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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
1N4933 Fairchild Semiconductor 1N4933 0,0200
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,2 V @ 1 a 300 ns 5 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
FQH90N10V2 Fairchild Semiconductor Fqh90n10v2 2.9800
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 105a (TC) 10V 10MOHM @ 52,5a, 10V 4v @ 250 ähm 191 NC @ 10 V. ± 30 v 6150 PF @ 25 V. - - - 330W (TC)
FDS6680A Fairchild Semiconductor FDS6680A 1.0000
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 12,5a (TA) 4,5 V, 10 V. 9,5 MOHM @ 12,5A, 10V 3v @ 250 ähm 23 NC @ 5 V ± 20 V 1620 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
KSB1116AGTA Fairchild Semiconductor KSB1116AGTA - - -
RFQ
 ECAD 1565 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 750 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.141 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300 mV @ 50 Ma, 1a 200 @ 100 Ma, 2V 120 MHz
FDMC4436BZ Fairchild Semiconductor FDMC4436BZ 0,2900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - - - - - - - - - - - - - Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFP140 Fairchild Semiconductor IRFP140 1.0000
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ac Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 100 v 31a (TC) 77mohm @ 19a, 10V 4v @ 250 ähm 72 NC @ 10 V 1700 PF @ 25 V. - - -
SGR6N60UFTF Fairchild Semiconductor SGR6N60UFTF 1.0000
RFQ
 ECAD 1585 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SGR6N Standard 30 w To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.000 300 V, 3a, 80 Ohm, 15 V - - - 600 V 6 a 25 a 2,6 V @ 15V, 3a 57 µJ (EIN), 25 µJ (AUS) 15 NC 15ns/60ns
FDD8444 Fairchild Semiconductor FDD8444 1.0600
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 327 N-Kanal 40 v 145a (TC) 10V 5.2mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 116 nc @ 10 v ± 20 V 6195 PF @ 25 V. - - - 153W (TC)
FGI40N60SFTU Fairchild Semiconductor FGI40N60SFTU 3.3100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 290 w I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. Feldstopp 600 V 80 a 120 a 2,9 V @ 15V, 40a 1,13 MJ (EIN), 310 µJ (AUS) 120 NC 25ns/115ns
MM5Z62V Fairchild Semiconductor Mm5z62v 0,0200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523F MM5Z6 200 MW SOD-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 8.000 50 na @ 43.4 v 62 v 215 Ohm
FDMS2510SDC Fairchild Semiconductor FDMS2510SDC 1.0100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 25 v 28a (TA), 49a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,9 MOHM @ 23A, 10V 3V @ 1ma 45 nc @ 10 v ± 20 V 2780 PF @ 13 V - - - 3,3 W (TA), 60 W (TC)
FSAM20SM60A Fairchild Semiconductor FSAM20SM60A 58.6500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 2 Schüttgut Aktiv K. Loch 32-Powerdip-Modul (1,370 ", 34,80 mm) IGBT FSAM20 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.39.0001 1 3 Phase 20 a 600 V 2500 VRMs
MM3Z4V7B Fairchild Semiconductor Mm3z4v7b 0,0200
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 2,7 µa @ 2 V 4,7 v 75 Ohm
FQB1P50TM Fairchild Semiconductor FQB1P50TM - - -
RFQ
 ECAD 1733 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 500 V 1,5a (TC) 10V 10.5OHM @ 750 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 63W (TC)
FFPF10UP30STTU Fairchild Semiconductor FFPF10UP30sttu - - -
RFQ
 ECAD 5536 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Full Pack Standard To-220f-2l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,4 V @ 10 a 45 ns 100 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
SFM9014TF Fairchild Semiconductor SFM9014TF 0,5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 60 v 1,8a (ta) 10V 500mohm @ 900 mA, 10V 4v @ 250 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 2,8 W (TA)
FSB50825AS Fairchild Semiconductor FSB50825As - - -
RFQ
 ECAD 1891 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 5 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 23-Powermd-Modul, Möwenflügel Mosfet - - - 0000.00.0000 1 3 Phase 3.6 a 250 V 1500 VRMs
1N4743A Fairchild Semiconductor 1N4743a 0,0300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.779 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 9,9 V 13 v 10 Ohm
FGH40T65SH Fairchild Semiconductor FGH40T65SH - - -
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1
1N962BTR Fairchild Semiconductor 1N962BTR 0,0200
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 11.995 5 µa @ 8,4 V 11 v 9,5 Ohm
FDS4080N7 Fairchild Semiconductor FDS4080N7 1.5500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 13a (ta) 10V 10mohm @ 13a, 10V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 20 V 1750 PF @ 20 V - - - 3.9W (TA)
HUF76443S3S Fairchild Semiconductor HUF76443S3S 1.5500
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 8mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 129 NC @ 10 V ± 16 v 4115 PF @ 25 V. - - - 260W (TC)
RFD14N05SL Fairchild Semiconductor RFD14N05SL - - -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 1
TN3019A Fairchild Semiconductor TN3019A 0,1500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 1 w To-226-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 1.500 80 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 100 MHz
FDU6612A Fairchild Semiconductor FDU6612A 0,3400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 30 v 9,5a (TA), 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 20mohm @ 9.5a, 10V 3v @ 250 ähm 9.4 NC @ 5 V. ± 20 V 660 PF @ 15 V - - - 2,8 W (TA), 36W (TC)
KSC2330YTA Fairchild Semiconductor KSC2330YTA 0,0700
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) KSC2330 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 300 V 100 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 120 @ 20 mA, 10V 50 MHz
KSB772YSTU Fairchild Semiconductor KSB772YSTU 0,1900
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1 w To-126-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1,576 30 v 3 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 160 @ 1a, 2v 80MHz
FCP125N60E Fairchild Semiconductor FCP125N60E - - -
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FCP125 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 600 V 29a (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 95 NC @ 10 V ± 20 V 2990 PF @ 380 V - - - 278W (TC)
FDP045N10A Fairchild Semiconductor FDP045N10A 1.0000
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FDP045 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 100 v 120a (TC) 10V 4,5 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 20 V 5270 PF @ 50 V - - - 263W (TC)
EGP10A Fairchild Semiconductor EGP10A 0,0700
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4,990 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 950 mv @ 1 a 5 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 22PF @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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