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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Typ	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	Aktuell	Stromspannung	Spannung - Isolation	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
FDA2712	9.5400	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3				MOSFET (Metalloxid)			To-3pn	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal					250 V	64a (TC)	10V	34mohm @ 40a, 10V	5 V @ 250 ähm	129 NC @ 10 V	± 30 v	10175 PF @ 25 V.	- - -	357W (TC)
RFD8P06LE	0,3300	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa				MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.29.0095	1			P-Kanal					60 v	8a (TC)	4,5 V, 5 V.	300mohm @ 8a, 5V	2v @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 10 V	675 PF @ 25 V.	- - -	48W (TC)
MPS6514	1.0000	RFQ	4526	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	2.000																												25 v	200 ma						50na (ICBO)					Npn	500mv @ 5ma, 50 mA	150 @ 2MA, 10V	- - -
MMBD1705A	0,0300	RFQ	32	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		MMBD17		Standard			SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit																1 Paar -Gemeinsamer -Anode	30 v	50 Ma	1,1 V @ 50 Ma	1 ns	50 na @ 20 v	150 ° C (max)
BZX85C18-T50R	0,0300	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial					1 w		DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.10.0050	1																					1,2 V @ 200 Ma		500 NA @ 12,5 V.														18 v	20 Ohm
TN4033a	0,0900	RFQ	99	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)		TN4033			1 w		To-226-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	2.000																												80 v	1 a						50na (ICBO)					PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 100 Ma, 5V	- - -
FFPF10H60STU	0,4800	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-2 Full Pack				Standard			To-220f-2l	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	600 V		2,5 V @ 10 a	40 ns	1 mA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	10a	- - -
2N7052	0,0600	RFQ	5293	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	12																												100 v	1,5 a						200na					NPN - Darlington	1,5 V @ 100 µA, 100 mA	1000 @ 1a, 5v	200 MHz
FSB50825A	5.0100	RFQ	922	Fairchild Semiconductor	Bewegung SPM® 5	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	23-Powerdip-Modul (0,551 ", 14,00 mm)	Mosfet							Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1	3 Phase				3.6 a	250 V	1500 VRMs
HUF76439S3ST	- - -	RFQ	5618	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	209			N-Kanal					60 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	12mohm @ 75a, 10V	3v @ 250 ähm	84 NC @ 10 V	± 16 v	2745 PF @ 25 V.	- - -	180W (TC)
BCW33	0,0200	RFQ	18	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	18.000																												32 v	500 mA						100NA (ICBO)					Npn	250 mV @ 500 µA, 10 mA	420 @ 2MA, 5V	200 MHz
1N5821	0,2000	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-201aa, Do-27, axial		1n58		Schottky			Do-201	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	Ear99	8541.10.0080	1.603		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	30 v		900 mv @ 9.4 a		2 ma @ 30 v	-50 ° C ~ 150 ° C.	3a	- - -
FDP5500	2.2600	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		FDP55		MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal					55 v	80A (TC)	10V	7mohm @ 80a, 10V	4v @ 250 ähm	269 NC @ 20 V	± 20 V	3565 PF @ 25 V.	- - -	375W (TC)
BC858C	0,0400	RFQ	67	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					380 MW		SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	Rohs Nick Konform			Ear99	8541.21.0075	8.460																												30 v	100 ma						15NA (ICBO)					PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
FMG1G50US60L	36.8400	RFQ	46	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr-Ga					250 w	Standard	19 Uhr-Ga	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	15	Einzel																										- - -	600 V	50 a		2,8 V @ 15V, 50a				250 µA	NEIN			3.46 NF @ 30 V
FDB2532-F085	- - -	RFQ	3736	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal					150 v	79a (TC)	6 V, 10V	16mohm @ 33a, 10V	4v @ 250 ähm	107 NC @ 10 V	± 20 V	5870 PF @ 25 V.	- - -	310W (TC)
FDC699p	0,5500	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP				MOSFET (Metalloxid)			Supersot ™ -6 FLMP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal					20 v	7a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	22mohm @ 7a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	38 NC @ 5 V.	± 12 V	2640 PF @ 10 V.	- - -	2W (TA)
FDS6699s	- - -	RFQ	6735	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		FDS6699		MOSFET (Metalloxid)			8-soic	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal					30 v	21a (ta)	4,5 V, 10 V.	3,6 MOHM @ 21A, 10V	3V @ 1ma	91 nc @ 10 v	± 20 V	3610 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
KST42MTF	- - -	RFQ	1462	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	3.000																												300 V	500 mA						100NA (ICBO)					Npn	500 mv @ 2MA, 20 mA	40 @ 30 ma, 10V	50 MHz
IRF520	1.0000	RFQ	7757	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)			To-220ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform			Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal					100 v	9.2a (TC)	10V	270 MOHM @ 5,5A, 10V	4v @ 250 ähm	16 NC @ 10 V	± 20 V	360 PF @ 25 V.	- - -	60 W (TC)
BZX85C24-T50R	0,0300	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial					1 w		DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.10.0050	3.000																					1,2 V @ 200 Ma		500 NA @ 17 V														24 v	25 Ohm
MMPQ2222	0,6800	RFQ	133	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe)		MMPQ22			1W		16-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0075	2.500																												30V	500 mA						50na (ICBO)					4 NPN (Quad)	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 1V	300 MHz
BC638	0,0700	RFQ	6673	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					1 w		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	2.000																												60 v	1 a						100NA (ICBO)					PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 150 mA, 2V	100 MHz
BC859AMTF	0,0500	RFQ	51	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					310 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	3.000																												30 v	100 ma						15NA (ICBO)					PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
FFPF10UP20STU	0,5300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-220-2 Full Pack				Standard			To-220f-2l	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	567		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	200 v		1,15 V @ 10 a	35 ns	100 µA @ 200 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.	10a	- - -
BCX71J	0,0300	RFQ	118	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		BCX71			350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	3.000																												45 V	100 ma						20na					PNP	550 MV @ 1,25 mA, 50 mA	250 @ 2MA, 5V	- - -
1N4001	0,0200	RFQ	131	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial				Standard			DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.10.0080	5.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)																	50 v		1,1 V @ 1 a		5 µa @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	1a	15PF @ 4V, 1 MHz
FGH75N60SFTU	- - -	RFQ	1451	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			Standard		452 w		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	450				400 V, 75A, 3OHM, 15 V.																							Feldstopp	600 V	150 a	225 a	2,9 V @ 15V, 75A	2,7MJ (EIN), 1MJ (AUS)	250 NC	26ns/138ns
KSD261GBU	0,0300	RFQ	4116	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					500 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	9.000																												20 v	500 mA						100NA (ICBO)					Npn	400 mv @ 50 mA, 500 mA	200 @ 100ma, 1V	- - -
KSA733CGTA	0,0200	RFQ	67	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					250 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	2.000																												50 v	150 Ma						100NA (ICBO)					PNP	300mv @ 10 mA, 100 mA	200 @ 1ma, 6v	180 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²