SIC
close

Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FQNL1N50BTA Fairchild Semiconductor FQNL1N50BTA - - -
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 944 N-Kanal 500 V 270 Ma (TC) 10V 9ohm @ 135 mA, 10V 3,7 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 30 v 150 PF @ 25 V. - - - 1,5 W (TC)
1N5995B Fairchild Semiconductor 1n5995b 1.8400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
BZX79C6V2-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C6V2-T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX79C6 500 MW Do-35 Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
FDP8442 Fairchild Semiconductor FDP8442 3.3100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 40 v 23a (TA), 80A (TC) 10V 3.1MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 235 NC @ 10 V ± 20 V 12200 PF @ 25 V. - - - 254W (TC)
FPDB20PH60 Fairchild Semiconductor FPDB20PH60 12.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch 27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) IGBT Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 10 2 Phase 12 a 600 V 2500 VRMs
FJY3001R Fairchild Semiconductor Fjy3001r 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 Fjy300 200 MW SOT-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 22 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FSB50250AT Fairchild Semiconductor FSB50250AT 3.9800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 5 Schüttgut Aktiv K. Loch 23-Powerdip-Modul (0,551 ", 14,00 mm) Mosfet Herunterladen Ear99 8542.39.0001 76 3 Phase 1.2 a 500 V 1500 VRMs
FFPF20U60DNTU Fairchild Semiconductor FFPF20U60DNTU 0,5400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack Standard To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 20a 2,2 V @ 20 a 90 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
KSP27TA Fairchild Semiconductor Ksp27ta 0,0200
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 1.890 60 v 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100 mA, 5V - - -
FJN965TA Fairchild Semiconductor Fjn965ta - - -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 750 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 945 20 v 5 a 1 µA Npn 1v @ 100 mA, 3a 230 @ 500 mA, 2V 150 MHz
FFAF10U40DNTU Fairchild Semiconductor FFAF10U40DNTU 0,8500
RFQ
 ECAD 563 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3 Full Pack Standard To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 10a 1,4 V @ 10 a 50 ns 30 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C.
FLZ6V8C Fairchild Semiconductor FLZ6v8c 0,0200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 17.006 1,2 V @ 200 Ma 1,1 µa bei 3,5 V 6,8 v 6.6 Ohm
MMBZ5257B Fairchild Semiconductor MMBZ5257B - - -
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 25 V. 33 v 58 Ohm
SSP1N60A Fairchild Semiconductor SSP1N60A 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 1a (TC) 10V 12ohm @ 500 mA, 10V 4v @ 250 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 190 PF @ 25 V. - - - 34W (TC)
BZX79C6V2 Fairchild Semiconductor BZX79C6V2 0,0300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 11.539 1,5 V @ 100 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
FLZ3V6A Fairchild Semiconductor FLZ3v6a 1.0000
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 Ma 2,8 µa @ 1 V 3.6 V 48 Ohm
BZX85C6V2T50A Fairchild Semiconductor BZX85C6V2T50A - - -
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 6,45% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 3 V 6.2 v 4 Ohm
IRF654BFP001 Fairchild Semiconductor IRF654BFP001 0,9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 21a (TC) 10V 140 MOHM @ 10,5a, 10V 4v @ 250 ähm 123 NC @ 10 V ± 30 v 3400 PF @ 25 V. - - - 156W (TC)
RF1S530SM9A Fairchild Semiconductor RF1S530SM9A 0,9600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 14a (TC) 10V 160 MOHM @ 8.3A, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 79W (TC)
ISL9N327AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N327AD3ST 0,5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 27mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 26 NC @ 10 V ± 20 V 910 PF @ 15 V - - - 50W (TA)
FEP16CT Fairchild Semiconductor FEP16CT 0,4700
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Standard To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 16a 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBFJ305 Fairchild Semiconductor MMBFJ305 0,1400
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-MMBFJ305-600039 Ear99 8541.21.0095 1
FGD3N60LSDTM-T-FS Fairchild Semiconductor FGD3N60LSDTM-T-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard 40 w To-252, (d-pak) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 2.500 480 V, 3A, 470OHM, 10V 234 ns - - - 600 V 6 a 25 a 1,5 V @ 10V, 3a 250 µJ (EIN), 1MJ (AUS) 12,5 NC 40ns/600ns
PN4249 Fairchild Semiconductor PN4249 0,0500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 6.662 60 v 500 mA 10NA (ICBO) PNP 250 mV @ 500 µA, 10 mA 100 @ 100 µA, 5 V - - -
BC548BBU Fairchild Semiconductor BC548BBU 0,0200
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
MMSD4148-D87Z-FS Fairchild Semiconductor MMSD4148-D87Z-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 Standard SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µa @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 4PF @ 0V, 1MHz
BC558BTA Fairchild Semiconductor BC558BTA 0,0300
RFQ
 ECAD 7121 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC558 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 2.859 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
SGS5N150UFTU Fairchild Semiconductor SGS5N150UFTU 3.1500
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Sgs5n Standard 50 w To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 66 600 V, 5A, 10OHM, 10 V. - - - 1500 V 10 a 20 a 5,5 V @ 10V, 5a 190 µJ (EIN), 100 µJ (AUS) 30 NC 10ns/30ns
BC859AMTF Fairchild Semiconductor BC859AMTF 0,0500
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 150 MHz
KSA733CGTA Fairchild Semiconductor KSA733CGTA 0,0200
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 250 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 1ma, 6v 180 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen