SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
VS-GT75YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75YF120NT 139.9800
RFQ
ECAD 108 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 431 w Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 112-VS-GT75YF120NT Ear99 8541.29.0095 12 Volle Brucke TRABENFELD STOPP 1200 V 118 a 2,6 V @ 15V, 75a 100 µA Ja
VS-50MT060PHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060PHTAPBF 72.2800
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Hexfred® Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 12-MTP-Modul 50MT060 305 w Standard 12-MTP Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 112-VS-50MT060PHTAPBF 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 600 V 121 a 1,64 V @ 15V, 50a 100 µA Ja 6000 PF @ 25 V.
CPV363M4F Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV363M4F - - -
RFQ
ECAD 2178 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 19-sip (13 Leads), IMS-2 CPV363 36 w Standard IMS-2 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 84 Drei -Phase -wechselrichter - - - 600 V 16 a 1,63v @ 15V, 16a 250 µA NEIN 1.1 NF @ 30 V
GB35XF120K Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K - - -
RFQ
ECAD 4628 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg Econo2 GB35 284 w Standard - - - Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 14 Drei -Phase -wechselrichter Npt 1200 V 50 a 3v @ 15V, 50a 100 µA NEIN 3.475 NF @ 30 V
VS-GB600AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB600AH120N - - -
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Doppelter int-a-pak (5) GB600 3125 w Standard Double Int-a-Pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSGB600AH120N Ear99 8541.29.0095 12 Einzel - - - 1200 V 910 a 1,9 V @ 15V, 600A (Typ) 5 Ma NEIN 41 NF @ 25 V
VS-100MT060WDF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100MT060WDF - - -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg 16-MTP-Modul 100MT060 462 w Standard MTP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS100MT060WDF Ear99 8541.29.0095 105 - - - 600 V 121 a 2,29 V @ 15V, 60a 100 µA Ja 9.5 NF @ 30 V
VS-GP300TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GP300TD60S - - -
RFQ
ECAD 5442 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Dual Int-A-Pak (3 + 8) GP300 1136 w Standard Dual Int-A-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 12 Halbbrücke PT, Graben 600 V 580 a 1,45 V @ 15V, 300A 150 µa NEIN
VS-40MT060WFHT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT060WFHT - - -
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Hexfred® Tablett Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg 12-MTP-Modul 40MT060 284 w Standard 12-MTP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 112-VS-40MT060WFHT Ear99 8541.29.0095 105 Volle Brucke - - - 600 V 67 a - - - 250 µA Ja
VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT80DA120U 38.9900
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Hexfred® Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GT80 658 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel Graben 1200 V 139 a 2,55 V @ 15V, 80a 100 µA NEIN 4.4 NF @ 25 V
VS-20MT120UFAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFAPBF - - -
RFQ
ECAD 8023 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 16-MTP-Modul 20mt120 240 w Standard MTP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS20MT120UFAPBF Ear99 8541.29.0095 105 Vollbrückke Wechselrichter Npt 1200 V 20 a 4,66v @ 15V, 40a 250 µA NEIN 3.79 NF @ 30 V
CPV363M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division Cpv363m4u - - -
RFQ
ECAD 1226 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 19-sip (13 Leads), IMS-2 CPV363 36 w Standard IMS-2 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 160 Drei -Phase -wechselrichter - - - 600 V 13 a 2v @ 15V, 13a 250 µA NEIN 1.1 NF @ 30 V
VS-20MT050XC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT050XC - - -
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Aktiv - - - - - - - - - 20mt050 - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS20MT050XC Ear99 8541.29.0095 10 - - - - - - - - - NEIN
FA38SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA38SA50LC - - -
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc FA38 MOSFET (Metalloxid) SOT-227 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 500 V 38a (TC) 10V 130mohm @ 23a, 10V 4v @ 250 ähm 420 NC @ 10 V ± 20 V 6900 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC420SA10 23.7600
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc FC420 MOSFET (Metalloxid) SOT-227 Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 100 v 435a (TC) 10V 2,15 MOHM @ 200A, 10V 3,8 V @ 750 ähm 375 NC @ 10 V. ± 20 V 17300 PF @ 25 V. - - - 652W (TC)
VS-GP250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GP250SA60S - - -
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GP250 893 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel PT, Graben 600 V 380 a 1,3 V @ 15V, 100a 100 µA NEIN
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus