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Transistoren (195)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
VS-GB200NH120N	- - -	RFQ	3076	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB200		1562 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB200NH120N	Ear99	8541.29.0095	12	Einzel												- - -	1200 V	420 a	1,8 V @ 15V, 200a (Typ)	5 Ma	NEIN	18 NF @ 25 V.
VS-GT75LP120N	- - -	RFQ	6088	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Int-a-Pak	GT75		543 w	Standard	Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	24	Halbbrücke												- - -	1200 V	150 a	2,35 V @ 15V, 75a	5 Ma	NEIN	5.52 NF @ 25 V.
CPV364M4U	- - -	RFQ	7732	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV364		63 w	Standard	IMS-2	- - -	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	Drei -Phase -wechselrichter												- - -	600 V	20 a	1,84 V @ 15V, 20a	250 µA	NEIN	2.1 NF @ 30 V
VS-GB300AH120N	- - -	RFQ	2164	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (5)	GB300		2500 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB300AH120N	Ear99	8541.29.0095	12	Einzel												- - -	1200 V	620 a	1,9 V @ 15V, 300A (Typ)	5 Ma	NEIN	21 NF @ 25 V
VS-GT100TP120N	- - -	RFQ	7011	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	175 ° C (TJ)	Chassis -berg	INT-A-PAK (3 + 4)	GT100		652 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGT100TP120N	Ear99	8541.29.0095	24	Halbbrücke												Graben	1200 V	180 a	2,35 V @ 15V, 100a	5 Ma	NEIN	12.8 NF @ 30 V
VS-FC420SA15	25.6600	RFQ	2260	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	FC420	MOSFET (Metalloxid)			SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal	150 v	400A (TC)	10V	2,75 MOHM @ 200A, 10V	5.4v @ 1ma	250 NC @ 10 V	± 20 V	13700 PF @ 25 V.	- - -	909W (TC)
VS-50MT060TFT	61.7800	RFQ	8553	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	20-MTP-Modul	50MT060		144 w	Standard	20 MTP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-50MT060TFT			1	Volle Brucke												TRABENFELD STOPP	600 V	55 a	2,1 V @ 15V, 50a	40 µA	NEIN	3000 PF @ 25 V.
VS-GT75NA60UF	37.4800	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT75		231 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT75NA60UF			1	Einzelhubschlaar												TRABENFELD STOPP	600 V	81 a	2,26 V @ 15V, 70a	100 µA	NEIN
VS-GT200TP065U	2.0900	RFQ	9144	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	GT200		429 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT200TP065U			1	Halbbrücke												TRABENFELD STOPP	650 V	177 a	2,12 V @ 15V, 200a	200 µA	NEIN
VS-GT200TS065S	115.8100	RFQ	3012	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			1 kW	Standard		- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		112-VS-GT200TS065S			15	Halbbrückke Wechselrichter												Graben	650 V	476 a		200 µA	NEIN
VS-EMG050J60N	- - -	RFQ	6340	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Emipak2	EMG050		338 w	Standard	Emipak2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSEMG050J60N	Ear99	8541.29.0095	56	Halbbrücke												- - -	600 V	88 a	2,1 V @ 15V, 50a	100 µA	Ja	9.5 NF @ 30 V
VS-GT105LA120UX	- - -	RFQ	3465	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT105		463 w	Standard	SOT-227	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	Einzel												Npt	1200 V	134 a		75 µA	NEIN
Vs-ety020p120f	179.8500	RFQ	5155	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Aktiv				ETY020					Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	60
VS-GA200HS60S1PBF	- - -	RFQ	3571	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Int-a-Pak	GA200		830 w	Standard	Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGA200HS60S1PBF	Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke												- - -	600 V	480 a	1,21 V @ 15V, 200a	1 Ma	NEIN	32,5 NF @ 30 V
VS-50MT060WHTAPBF	- - -	RFQ	2346	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	50MT060		658 w	Standard	MTP	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS50MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke												- - -	600 V	114 a	3,2 V @ 15V, 100a	400 µA	NEIN	7.1 NF @ 30 V
VS-20MT120UFP	- - -	RFQ	4450	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	16-MTP-Modul	20mt120		240 w	Standard	MTP	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS20MT120UFP	Ear99	8541.29.0095	105	Vollbrückke Wechselrichter												Npt	1200 V	40 a	4,66v @ 15V, 40a	250 µA	NEIN	3.79 NF @ 30 V
VS-150MT060WDF-P	- - -	RFQ	1842	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	150mt060		543 w	Standard	12-MTP PressFit	- - -		Nicht Anwendbar			Ear99	8541.29.0095	105	Dual Buck Chopper												- - -	600 V	138 a	2,48 V @ 15V, 80a	100 µA	NEIN	14 NF @ 30 V
VS-GB50LP120N	- - -	RFQ	1848	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	INT-A-PAK (3 + 4)	GB50		446 w	Standard	Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB50LP120N	Ear99	8541.29.0095	24	Einzel												- - -	1200 V	100 a	1,7 V @ 15V, 50A (Typ)	1 Ma	NEIN	4.29 NF @ 25 V.
VS-GB300NH120N	- - -	RFQ	3595	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB300		1645 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB300NH120N	Ear99	8541.29.0095	12	Einzel												- - -	1200 V	500 a	2,45 V @ 15V, 300A	5 Ma	NEIN	21.2 NF @ 25 V.
VS-GT400th120U	- - -	RFQ	5234	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 8)	GT400		2344 w	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgt400th120u	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke												Graben	1200 V	750 a	2,35 V @ 15V, 400a	5 Ma	NEIN	51.2 NF @ 30 V
VS-70MT060WHTAPBF	- - -	RFQ	6381	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	70MT060		347 w	Standard	MTP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS70MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	Halbbrücke												Npt	600 V	100 a	3,4 V @ 15V, 140a	700 µA	NEIN	8 NF @ 30 V
VS-GT400LH060N	135.4500	RFQ	9055	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	GT400		1.363 kW	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT400LH060N			1	Einzelhubschlaar												TRABENFELD STOPP	600 V	492 a	2v @ 15V, 400a	20 µA	NEIN
VS-GT300TD60S	209.2825	RFQ	2843	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			882 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT300TD60S	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke												TRABENFELD STOPP	600 V	466 a	1,47 V @ 15V, 300A	200 µA	NEIN	24.2 NF @ 25 V.
VS-GT300FD060N	670.5450	RFQ	4047	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Lets Kaufen	175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Dual Int-A-Pak (4 + 8)	GT300		1250 w	Standard	Dual Int-A-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGT300FD060N	Ear99	8541.29.0095	12	Drei -Level -Wechselrichter												TRABENFELD STOPP	600 V	379 a	2,5 V @ 15V, 300A	250 µA	NEIN	23.3 NF @ 30 V
VS-GA200HS60S1	- - -	RFQ	9125	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Int-a-Pak	GA200		830 w	Standard	Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke												- - -	600 V	480 a	1,21 V @ 15V, 200a	1 Ma	NEIN	32,5 NF @ 30 V
VS-GB90DA60U	- - -	RFQ	9603	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4	GB90		625 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS-GB90DA60UGI	Ear99	8541.29.0095	160	Einzel												Npt	600 V	147 a	2,8 V @ 15V, 100a	100 µA	NEIN
VS-GT90SA120U	36.8300	RFQ	9471	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc			781 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT90SA120U	Ear99	8541.29.0095	10	Einzel												TRABENFELD STOPP	1200 V	169 a	2,6 V @ 15V, 75a	100 µA	NEIN
VS-GT100TS065S	85.9800	RFQ	5207	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			517 w	Standard		- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		112-VS-GT100TS065S			15	Halbbrückke Wechselrichter												Graben	650 V	247 a		100 µA	NEIN
VS-GT90DA60U	36.0300	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Hexfred®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT90		446 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT90DA60U			1	Einzel												TRABENFELD STOPP	600 V	146 a	2,15 V @ 15V, 100a	100 µA	NEIN
VS-ENW30S120T	130.3500	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	*	Kasten	Aktiv									Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-ENW30S120T	Ear99	8541.29.0095	100

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (195)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²