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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Eingang | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | NTC-Thermistor | Eingangskapazität (Cies) bei Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-FC420SA15 | 25.6600 | ![]() | 2260 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | FC420 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 150 V | 400A (Tc) | 10V | 2,75 mOhm bei 200 A, 10 V | 5,4 V bei 1 mA | 250 nC bei 10 V | ±20V | 13700 pF bei 25 V | - | 909W (Tc) | ||||||||||||
![]() | VS-50MT060TFT | 61.7800 | ![]() | 8553 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 20-MTP-Modul | 50MT060 | 144 W | Standard | 20-MTP | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 112-VS-50MT060TFT | 1 | Vollständige Brücke | Grabenfeldstopp | 600 V | 55 A | 2,1 V bei 15 V, 50 A | 40 µA | NEIN | 3000 pF bei 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT300FD060N | 670.5450 | ![]() | 4047 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Letzter Kauf | 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Dual INT-A-PAK (4 + 8) | GT300 | 1250 W | Standard | Duales INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGT300FD060N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Dreistufiger Wechselrichter | Grabenfeldstopp | 600 V | 379 A | 2,5 V bei 15 V, 300 A | 250 µA | NEIN | 23,3 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-ENU060Y60U | - | ![]() | 1403 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Letzter Kauf | - | ROHS3-konform | 112-VS-ENU060Y60U | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT50TP120N | - | ![]() | 9172 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | INT-A-PAK (3 + 4) | GT50 | 405 W | Standard | INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGT50TP120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | Graben | 1200 V | 100 A | 2,35 V bei 15 V, 50 A | 5mA | NEIN | 6,24 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GT200TP065U | 2.0900 | ![]() | 9144 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | GT200 | 429 W | Standard | INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 112-VS-GT200TP065U | 1 | Halbbrücke | Grabenfeldstopp | 650 V | 177 A | 2,12 V bei 15 V, 200 A | 200 µA | NEIN | |||||||||||||||||
![]() | VS-40MT120UHTAPBF | - | ![]() | 3806 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 12-MTP-Modul | 40MT120 | 463 W | Standard | MTP | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VS40MT120UHTAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Halbbrücke | NVV | 1200 V | 80 A | 4,91 V bei 15 V, 80 A | 250 µA | NEIN | 8,28 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB75TP120U | - | ![]() | 2388 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | INT-A-PAK (3 + 4) | GB75 | 500 W | Standard | INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGB75TP120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | - | 1200 V | 105 A | 3,2 V bei 15 V, 75 A (typisch) | 2mA | NEIN | 4,3 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB55NA120UX | - | ![]() | 6073 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | HEXFRED® | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GB55 | 431 W | Standard | SOT-227 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzeln | NVV | 1200 V | 84 A | 50 µA | NEIN | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB200NH120N | - | ![]() | 3076 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (3 + 4) | GB200 | 1562 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGB200NH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzeln | - | 1200 V | 420 A | 1,8 V bei 15 V, 200 A (typisch) | 5mA | NEIN | 18 nF bei 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GT90DA60U | 36.0300 | ![]() | 2878 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | HEXFRED® | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GT90 | 446 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 112-VS-GT90DA60U | 1 | Einzeln | Grabenfeldstopp | 600 V | 146 A | 2,15 V bei 15 V, 100 A | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||||
![]() | VS-ETY020P120F | 179.8500 | ![]() | 5155 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Tablett | Aktiv | ETY020 | herunterladen | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT90SA120U | 36.8300 | ![]() | 9471 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | 781 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 112-VS-GT90SA120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzeln | Grabenfeldstopp | 1200 V | 169 A | 2,6 V bei 15 V, 75 A | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||
![]() | VS-GT100TS065S | 85.9800 | ![]() | 5207 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Kasten | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | 517 W | Standard | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 112-VS-GT100TS065S | 15 | Halbbrückenwechselrichter | Graben | 650 V | 247 A | 100 µA | NEIN | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT400TH120U | - | ![]() | 5234 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (3 + 8) | GT400 | 2344 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGT400TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Graben | 1200 V | 750 A | 2,35 V bei 15 V, 400 A | 5mA | NEIN | 51,2 nF bei 30 V | |||||||||||||
| VS-50MT060WHTAPBF | - | ![]() | 2346 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 12-MTP-Modul | 50MT060 | 658 W | Standard | MTP | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VS50MT060WHTAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - | 600 V | 114 A | 3,2 V bei 15 V, 100 A | 400 µA | NEIN | 7,1 nF bei 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-40MT120UHAPBF | - | ![]() | 9513 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 12-MTP-Modul | 40MT120 | 463 W | Standard | MTP | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VS40MT120UHAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | NVV | 1200 V | 80 A | 4,91 V bei 15 V, 80 A | 250 µA | NEIN | 8,28 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GT100TP120N | - | ![]() | 7011 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | INT-A-PAK (3 + 4) | GT100 | 652 W | Standard | INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGT100TP120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | Graben | 1200 V | 180 A | 2,35 V bei 15 V, 100 A | 5mA | NEIN | 12,8 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-20MT120UFP | - | ![]() | 4450 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 16-MTP-Modul | 20MT120 | 240 W | Standard | MTP | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VS20MT120UFP | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Vollbrückenwechselrichter | NVV | 1200 V | 40 A | 4,66 V bei 15 V, 40 A | 250 µA | NEIN | 3,79 nF bei 30 V | |||||||||||||
| VS-CPV362M4FPBF | - | ![]() | 9826 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 19-SIP (13 Ableitungen), IMS-2 | CPV362 | 23 W | Standard | IMS-2 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSCPV362M4FPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 8,8 A | 1,7 V bei 15 V, 4,8 A | 250 µA | NEIN | 340 pF bei 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GB70NA60UF | - | ![]() | 2412 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GB70 | 447 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VSGB70NA60UF | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzeln | NVV | 600 V | 111 A | 2,44 V bei 15 V, 70 A | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||
![]() | VS-GB100NH120N | - | ![]() | 6945 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (3 + 4) | GB100 | 833 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGB100NH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzeln | - | 1200 V | 200 A | 2,35 V bei 15 V, 100 A | 5mA | NEIN | 8,58 nF bei 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-ENW30S120T | 130.3500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | * | Kasten | Aktiv | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 112-VS-ENW30S120T | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GA200SA60SP | - | ![]() | 1004 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GA200 | 781 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VSGA200SA60SP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzeln | - | 600 V | 1,3 V bei 15 V, 100 A | 1mA | NEIN | 16,25 nF bei 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-150MT060WDF-P | - | ![]() | 1842 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Veraltet | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 12-MTP-Modul | 150MT060 | 543 W | Standard | 12-MTP Pressfit | - | Nicht anwendbar | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Doppelter Buck-Chopper | - | 600 V | 138 A | 2,48 V bei 15 V, 80 A | 100 µA | NEIN | 14 nF bei 30 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GA200HS60S1PBF | - | ![]() | 3571 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | INT-A-Pak | GA200 | 830 W | Standard | INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGA200HS60S1PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - | 600 V | 480 A | 1,21 V bei 15 V, 200 A | 1mA | NEIN | 32,5 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB400TH120U | - | ![]() | 5555 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (3 + 4) | GB400 | 2660 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGB400TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | NVV | 1200 V | 660 A | 3,6 V bei 15 V, 400 A | 5mA | NEIN | 33,7 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | 19MT050XF | - | ![]() | 7178 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | HEXFET® | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 16-MTP-Modul | 19MT050 | MOSFET (Metalloxid) | 1140W | 16-MTP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | *19MT050XF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 4 N-Kanal (Halbbrücke) | 500V | 31A | 220 mOhm bei 19 A, 10 V | 6 V bei 250 µA | 160 nC bei 10 V | 7210pF bei 25V | - | |||||||||||||
![]() | FB180SA10 | - | ![]() | 8744 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | HEXFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | FB180 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227 | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 6,5 mOhm bei 108 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 380 nC bei 10 V | ±20V | 10700 pF bei 25 V | - | 480 W (Tc) | ||||||||||||
| VS-CPV363M4FPBF | - | ![]() | 1904 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 19-SIP (13 Ableitungen), IMS-2 | CPV363 | - | IMS-2 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | - | - | NEIN |

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