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Transistoren (195)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
CPV362M4U	- - -	RFQ	7618	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV362	23 w	Standard	IMS-2	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	Drei -Phase -wechselrichter	- - -	600 V	7.2 a	1,95 V @ 15V, 7,2a	250 µA	NEIN	530 PF @ 30 V
VS-GB75LA60UF	- - -	RFQ	9658	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GB75	447 w	Standard	SOT-227	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	Einzel	Npt	600 V	109 a	2v @ 15V, 35a	50 µA	NEIN
VS-25MT060WFAPBF	- - -	RFQ	9958	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	16-MTP-Modul	25mt060	195 w	Standard	MTP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS25MT060WFAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	Vollbrückke Wechselrichter	- - -	600 V	69 a	3,25 V @ 15V, 50a	250 µA	NEIN	5.42 NF @ 30 V
VS-GT100DA120U	- - -	RFQ	6448	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT100	893 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		VSGT100DA120U	Ear99	8541.29.0095	180	Einzel	Graben	1200 V	258 a	2,1 V @ 15V, 100a	100 µA	NEIN
2N3904PH	- - -	RFQ	4097	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	2N3904	625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	1.000			40 v	200 ma		- - -			Npn	300mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	300 MHz
VS-GB90DA120U	- - -	RFQ	8487	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GB90	862 w	Standard	SOT-227	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB90DA120U	Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	Npt	1200 V	149 a	3,8 V @ 15V, 75A	250 µA	NEIN
Vs-gb300th120n	- - -	RFQ	7750	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB300	1645 w	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgb300th120n	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke	- - -	1200 V	500 a	2,45 V @ 15V, 300A	5 Ma	NEIN	21.2 NF @ 25 V.
VS-CPV362M4UPBF	- - -	RFQ	2185	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV362	23 w	Standard	IMS-2	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160		- - -	600 V	7.2 a	2,2 V @ 15V, 3,9a	250 µA	NEIN	530 PF @ 30 V
VS-ETF075Y60U	102.1755	RFQ	2016	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Emipak-2b	ETF075	294 w	Standard	Emipak-2b	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	60	Drei -Level -Wechselrichter	Graben	600 V	100 a	1,93 V @ 15V, 75a	100 µA	Ja	4.44 NF @ 30 V
VS-GT75NP120N	- - -	RFQ	8383	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	INT-A-PAK (3 + 4)	GT75	446 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgt75np120n	Ear99	8541.29.0095	24	Einzel	- - -	1200 V	150 a	2,08 V @ 15V, 75A (Typ)	1 Ma	NEIN	9.45 NF @ 30 V
VS-GT100TP60N	79.2400	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	175 ° C (TJ)	Chassis -berg	INT-A-PAK (3 + 4)	GT100	417 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	24	Halbbrücke	Graben	600 V	160 a	2,1 V @ 15V, 100a	5 Ma	NEIN	7.71 NF @ 30 V
VS-GT150TS065S	100.8500	RFQ	6108	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		789 w	Standard		- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		112-VS-GT150TS065S			15	Halbbrückke Wechselrichter	Graben	650 V	372 a		150 µa	NEIN
VS-GB150YG120NT	- - -	RFQ	7460	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	GB150	892 w	Standard	Econo3 4pack	- - -					Ear99	8541.29.0095	10	Volle Brucke	Npt	1200 V	182 a	4v @ 15V, 200a	120 µA	Ja
VS-70MT060WSP	- - -	RFQ	8101	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	70MT060	378 w	Einphasenbrückenreichrichter	MTP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS70MT060WSP	Ear99	8541.29.0095	105	Einzel	- - -	600 V	96 a	2,15 V @ 15V, 40a	100 µA	Ja	7.43 NF @ 30 V
VS-GT50TP60N	- - -	RFQ	2413	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	175 ° C (TJ)	Chassis -berg	INT-A-PAK (3 + 4)	GT50	208 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGT50TP60N	Ear99	8541.29.0095	24	Halbbrücke	Graben	600 V	85 a	2,1 V @ 15V, 50a	1 Ma	NEIN	3.03 NF @ 30 V
VS-GA100TS60SFPBF	- - -	RFQ	1054	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Int-a-Pak	GA100	780 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGA100TS60SFPBF	Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke	Pt	600 V	220 a	1,28 V @ 15V, 100a	1 Ma	NEIN	16.25 NF @ 30 V
VS-GA200SA60UP	- - -	RFQ	6509	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GA200	500 w	Standard	SOT-227	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGA200SA60UP	Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	- - -	600 V	200 a	1,9 V @ 15V, 100a	1 Ma	NEIN	16,5 NF @ 30 V
VS-GB100th120U	- - -	RFQ	4082	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB100	1136 w	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgb100th120u	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke	Npt	1200 V	200 a	3,6 V @ 15V, 100a	5 Ma	NEIN	8.45 NF @ 20 V
VS-GB15XP120KTPBF	- - -	RFQ	5764	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	GB15	187 w	Standard	MTP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB15XP120KTPBF	Ear99	8541.29.0095	105	Drei -Phase -wechselrichter	Npt	1200 V	30 a	3,66 V @ 15V, 30a	250 µA	Ja	1,95 NF @ 30 V
VS-GT140DA60U	68.0600	RFQ	9869	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT140	652 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	Graben	600 V	200 a	2v @ 15V, 100a	100 µA	NEIN
CPV362M4K	- - -	RFQ	2047	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV362	23 w	Standard	IMS-2	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	*CPV362M4K	Ear99	8541.29.0095	160	Drei -Phase -wechselrichter	- - -	600 V	5.7 a	1,93 V @ 15V, 3a	250 µA	NEIN	450 PF @ 30 V
VS-GT80DA60U	- - -	RFQ	5528	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT80	454 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT80DA60U	Ear99	8541.29.0095	10	Einzelschalter	TRABENFELD STOPP	600 V	123 a	2,45 V @ 15V, 80a	100 µA	NEIN	10.8 NF @ 25 V
VS-VSHPS1445	- - -	RFQ	3948	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet								- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		112-VS-VSHPS1445	Veraltet		160
VS-40MT120PHAPBF	63.7700	RFQ	104	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	12-MTP-Modul		305 w	Standard	12-MTP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-40MT120Phapbf	Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1200 V	75 a	2,65 V @ 15V, 40a	50 µA	NEIN	3.2 NF @ 25 V
VS-GB150TS60NPBF	- - -	RFQ	6749	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	INT-A-PAK (3 + 4)	GB150	500 w	Standard	Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB150TS60NPBF	Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke	Npt	600 V	138 a	3v @ 15V, 150a	200 µA	NEIN
VS-GT300YH120N	208.0242	RFQ	1757	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 8)	GT300	1042 w	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGT300YH120N	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke	Graben	1200 V	341 a	2,17 V @ 15V, 300A (Typ)	300 µA	NEIN	36 NF @ 30 V
VS-GB70LA60UF	- - -	RFQ	4224	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GB70	447 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		VSGB70LA60UF	Ear99	8541.29.0095	180	Einzel	Npt	600 V	111 a	2,44 V @ 15V, 70a	100 µA	NEIN
VS-ENZ025C60N	64.7100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	*	Kasten	Aktiv								Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-ENZ025C60N	Ear99	8541.29.0095	100
VS-CPV364M4UPBF	- - -	RFQ	4578	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV364	63 w	Standard	IMS-2	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160		- - -	600 V	20 a	2,1 V @ 15V, 10a	250 µA	NEIN	2.1 NF @ 30 V
VS-GT400th120N	- - -	RFQ	2344	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 8)	GT400	2119 w	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgt400th120n	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke	Graben	1200 V	600 a	2,15 V @ 15V, 400A	5 Ma	NEIN	28.8 NF @ 25 V.

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (195)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²