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Transistoren (195)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-GT200SA60UP | - - - |  | 5873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | - - - | ROHS3 -KONFORM | 112-VS-GT200SA60UP | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-ETL015Y120H | - - - | | 2877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Emipak-2b | ETL015 | 89 w | Standard | Emipak-2b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 56 | Graben | 1200 V | 22 a | 3,03 V @ 15V, 15a | 75 µA | Ja | 1.07 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
 | VS-GT100LA120UX | - - - | | 1111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT100 | 463 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Vsgt100la120ux | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Graben | 1200 V | 134 a | 2.85 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||||||
| VS-GB100TS60NPBF | - - - | | 6585 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Int-a-Pak | GB100 | 390 w | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB100TS60NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 108 a | 2.85 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | ||||||||||||||||||
| VS-GB50YF120N | - - - | | 8066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | GB50 | 330 w | Standard | Econo2 4pack | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB50YF120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - - - | 1200 V | 66 a | 4,5 V @ 15V, 75A | 250 µA | NEIN | |||||||||||||||||||
| GA200SA60S | - - - | | 2692 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GA200 | 630 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 600 V | 200 a | 1,3 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
| VS-GB300th120U | - - - | | 8038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB300 | 2119 w | Standard | Double Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb300th120u | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 530 a | 3,6 V @ 15V, 300A | 5 Ma | NEIN | 25.3 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
| VS-GB100TP120U | - - - | | 8769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Int-a-Pak | GB100 | 735 w | Standard | Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB100TP120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 150 a | 3,9 V @ 15V, 100a | 2 Ma | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
| VS-GT120DA65U | - - - | | 8864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT120 | 577 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzelschalter | Graben | 650 V | 167 a | 2v @ 15V, 100a | 50 µA | NEIN | 6.6 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||
| VS-GB150LH120N | - - - | | 4950 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB150 | 1389 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB150LH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 300 a | 1,87 V @ 15V, 150a (Typ) | 1 Ma | NEIN | 10.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
| VS-GB75LP120N | - - - | | 9601 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | INT-A-PAK (3 + 4) | GB75 | 658 w | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB75LP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Einzel | - - - | 1200 V | 170 a | 1,82 V @ 15V, 75A (Typ) | 1 Ma | NEIN | 5.52 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||
| VS-GT105NA120ux | - - - | | 6939 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT105 | 463 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzel | Graben | 1200 V | 134 a | 75 µA | NEIN | ||||||||||||||||||||
| VS-GT100DA60U | - - - | | 5065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT100 | 577 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGT100DA60U | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Graben | 600 V | 184 a | 2v @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||||||
| VS-GT100LA65UF | 37.8600 | | 3653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT100 | 230 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-GT100LA65UF | 1 | Einzelhubschlaar | TRABENFELD STOPP | 650 V | 94 a | 2,1 V @ 15V, 100a | 80 µA | NEIN | |||||||||||||||||||||
| VS-100MT060WSP | - - - | | 8105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 12-MTP-Modul | 100MT060 | 403 w | Einphasenbrückenreichrichter | MTP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Einzel | - - - | 600 V | 107 a | 2,49 V @ 15V, 60a | 100 µA | Ja | 9.5 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||
| VS-GB50NA120ux | - - - | | 3846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB50 | 431 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Vsgb50na120ux | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Npt | 1200 V | 84 a | 2,8 V @ 15V, 50a | 50 µA | NEIN | |||||||||||||||||||
 | VS-GT75YF120UT | 146.1400 | | 107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 431 w | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-GT75YF120UT | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 118 a | 2,6 V @ 15V, 75a | 100 µA | Ja | |||||||||||||||||||
 | VS-CPV362M4KPBF | - - - | | 1847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV362 | - - - | IMS-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - - - | - - - | - - - | NEIN | |||||||||||||||||||||||
| VS-GT100NA120ux | - - - | | 9787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT100 | 463 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Vsgt100NA120ux | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Graben | 1200 V | 134 a | 2.85 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||||||
| 50MT060uls | - - - | | 7149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 10-mtp | 50MT060 | 445 w | Standard | 10-mtp | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Einzel | - - - | 600 V | 100 a | 2,55 V @ 15V, 100a | 250 µA | NEIN | 14.7 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
 | VS-GT175DA120U | - - - | | 2201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT175 | 1087 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGT175DA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzel | Graben | 1200 V | 288 a | 2,1 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | ||||||||||||||||||
| VS-GB75DA120UP | - - - | | 1823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB75 | 658 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGB75DA120UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Npt | 1200 V | 3,8 V @ 15V, 75A | 250 µA | NEIN | ||||||||||||||||||||
 | MPSA42PH | - - - | | 7274 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPSA42 | 625 MW | To-92-3 | - - - | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||
| VS-ENM040M60P | 64.7100 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Kasten | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-ENM040M60P | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-GB200TS60NPBF | - - - | | 7396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | INT-A-PAK (3 + 4) | GB200 | 781 w | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB200TS60NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 209 a | 2,84 V @ 15V, 200a | 200 µA | NEIN | ||||||||||||||||||
 | VS-ETF150Y65N | 68.5600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Kasten | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Modul | ETF150 | 600 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-ETF150Y65NGI | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | Halbbrückke Wechselrichter | Npt | 650 V | 201 a | 2,17 V @ 15V, 150a | Ja | ||||||||||||||||||||
| VS-GT400th60N | - - - | | 4516 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 8) | GT400 | 1600 w | Standard | Double Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgt400th60n | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Graben | 600 V | 530 a | 2.05 V @ 15V, 400A | 5 Ma | NEIN | 30.8 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
 | VS-FB190SA10 | - - - | | 2875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | FB190 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 100 v | 190a (TJ) | 10V | 6,5 MOHM @ 180A, 10V | 4,35 V @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | 10700 PF @ 25 V. | - - - | 568W (TC) | ||||||||||||||||
| VS-GB200LH120N | - - - | | 4720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1562 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB200LH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 370 a | 2.07v @ 15V, 200a (Typ) | 100 na | NEIN | 18 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||
| CPV362M4U | - - - | | 7618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV362 | 23 w | Standard | IMS-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 7.2 a | 1,95 V @ 15V, 7,2a | 250 µA | NEIN | 530 PF @ 30 V |
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