- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (195)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-GB100NH120N | - - - |  | 6945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 833 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB100NH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 200 a | 2,35 V @ 15V, 100a | 5 Ma | NEIN | 8.58 NF @ 25 V. | |
 | VS-CPV362M4FPBF | - - - | | 9826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV362 | 23 w | Standard | IMS-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSCPV362M4FPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - - - | 600 V | 8.8 a | 1,7 V @ 15V, 4,8a | 250 µA | NEIN | 340 PF @ 30 V | ||
| CPV363M4K | - - - | | 3068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV363 | 36 w | Standard | IMS-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 11 a | 2v @ 15V, 11a | 250 µA | NEIN | 740 PF @ 30 V | ||
 | VS-GT90DA120U | 38.4000 | | 4419 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | 781 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-GT90DA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 169 a | 2,6 V @ 15V, 75a | 100 µA | NEIN | |||
| VS-GB400AH120N | - - - | | 4488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (5) | GB400 | 2500 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB400AH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 650 a | 1,9 V @ 15V, 400A (Typ) | 5 Ma | NEIN | 30 NF @ 25 V | |
 | VS-GB50LA120UX | - - - | | 6363 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB50 | 431 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Vsgb50la120ux | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Npt | 1200 V | 84 a | 2,8 V @ 15V, 50a | 50 µA | NEIN | |||
| VS-GB75TP120N | - - - | | 2743 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | INT-A-PAK (3 + 4) | GB75 | 543 w | Standard | Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB75TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 150 a | 2,35 V @ 15V, 75a | 5 Ma | NEIN | 5.52 NF @ 25 V. | |
| VS-92-0173 | - - - | | 1251 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 112-VS-92-0173 | Veraltet | 1 | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
| VS-CPV364M4FPBF | - - - | | 6901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV364 | 63 w | Standard | IMS-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - - - | 600 V | 27 a | 1,5 V @ 15V, 15a | 250 µA | NEIN | 2.2 NF @ 30 V | |||
| VS-GB100th120n | - - - | | 9228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 833 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb100th120n | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 200 a | 2,35 V @ 15V, 100a | 5 Ma | NEIN | 8.58 NF @ 25 V. | |
| VS-GB75YF120UT | - - - | | 1366 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | GB75 | 480 w | Standard | Econo2 4pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb75yf120ut | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - - - | 1200 V | 100 a | 4,5 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | |||
| VS-VSHPS1444 | - - - | | 8826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | VSHPS14 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 112-VS-VSHPS1444 | Veraltet | 160 | |||||||||||||||||
| VS-GT55LA120UX | 37.4900 | | 157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | 291 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-GT55LA120ux | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzelhubschlaar | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 68 a | 2,8 V @ 15V, 50a | 50 µA | NEIN | |||
| VS-GB150TH120N | - - - | | 5871 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB150 | 1008 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb150th120n | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 300 a | 2,35 V @ 15V, 150a | 5 Ma | NEIN | 11 NF @ 25 V | |
| VS-GT200TS065N | 90.8800 | | 6788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 517 w | Standard | INT-A-PAK IGBT | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 112-VS-GT200TS065N | 15 | Halbbrückke Wechselrichter | Graben | 650 V | 193 a | 2,3 V @ 15V, 200a | 100 µA | NEIN | ||||||
| VS-GB100LP120N | - - - | | 7295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Int-a-Pak | GB100 | 658 w | Standard | Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB100LP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Einzel | - - - | 1200 V | 200 a | 1,8 V @ 15V, 100A (Typ) | 1 Ma | NEIN | 7.43 NF @ 25 V | |
| VS-CPV362M4UPBF | - - - | | 2185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV362 | 23 w | Standard | IMS-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - - - | 600 V | 7.2 a | 2,2 V @ 15V, 3,9a | 250 µA | NEIN | 530 PF @ 30 V | |||
| VS-GB50TP120N | - - - | | 8378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | INT-A-PAK (3 + 4) | GB50 | 446 w | Standard | Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB50TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 100 a | 2,15 V @ 15V, 50a | 5 Ma | NEIN | 4.29 NF @ 25 V. | |
| VS-GB400AH120U | - - - | | 8417 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (5) | GB400 | 2841 w | Standard | Double Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGB400AH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzel | - - - | 1200 V | 550 a | 3,6 V @ 15V, 400a | 5 Ma | NEIN | 33.7 NF @ 30 V | |
| VS-GA100TS120UPBF | - - - | | 8337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Int-a-Pak | GA100 | 520 w | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGA100TS120UPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 182 a | 3v @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 18.67 NF @ 30 V | ||
 | VS-GB90SA120U | - - - | | 1375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4 | GB90 | 862 w | Standard | SOT-227 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-GB90SA120UGI | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzel | Npt | 1200 V | 149 a | 3,9 V @ 15V, 75a | 250 µA | NEIN | ||
| VS-GB100TS120NPBF | - - - | | 5788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | Int-a-Pak | GB100 | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | - - - | NEIN | |||||||||
| VS-ENV020M120M | 43.6400 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Kasten | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-Env020m120m | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
| VS-ENY050C60 | 54.2200 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Kasten | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-ENY050C60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
| VS-ENV020F65U | 39.8500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Kasten | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-Env020f65U | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
| VS-20MT120PFP | 91.8800 | | 2525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 16-MTP-Modul | 20mt120 | 240 w | Standard | 16-MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-20MT120PFP | 1 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 57 a | 2,16 V @ 15V, 20a | 200 µA | NEIN | 1430 PF @ 30 V | ||||
| VS-GB55LA120UX | - - - | | 9171 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB55 | 431 w | Standard | SOT-227 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzel | Npt | 1200 V | 84 a | 50 µA | NEIN | ||||
| VS-GT180DA120U | 46.2400 | | 4466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT180 | 1087 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 281 a | 2.05 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | 9.35 NF @ 25 V. | ||
| Vs-gb200th120n | - - - | | 4893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1136 w | Standard | Double Int-a-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb200th120n | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 360 a | 2,35 V @ 15V, 200a | 5 Ma | NEIN | 14.9 NF @ 25 V. | |
| VS-S1683 | - - - | | 6770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | S1683 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 112-VS-S1683 | Veraltet | 12 |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)