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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Eingang | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | NTC-Thermistor | Eingangskapazität (Cies) bei Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-GT50LA65UF | 26.8736 | ![]() | 9487 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GT50 | 163 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 112-VS-GT50LA65UF | 1 | Einzelzerkleinerer | Grabenfeldstopp | 650 V | 59 A | 2,1 V bei 15 V, 50 A | 40 µA | NEIN | |||||||||||||||||
![]() | VS-GT50YF120NT | 115.8900 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Kasten | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | 231 W | Standard | - | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 112-VS-GT50YF120NT | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Vollständige Brücke | Grabenfeldstopp | 1200 V | 64 A | 2,8 V bei 15 V, 50 A | 50 µA | Ja | |||||||||||||||
![]() | VS-FA38SA50LCP | - | ![]() | 8292 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | FA38 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VSFA38SA50LCP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | N-Kanal | 500 V | 38A (Tc) | 10V | 130 mOhm bei 23 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 420 nC bei 10 V | ±20V | 6900 pF bei 25 V | - | 500 W (Tc) | ||||||||||||
![]() | VS-GT100DA120UF | 41.5000 | ![]() | 1995 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | HEXFRED® | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GT100 | 890 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzeln | Graben | 1200 V | 187 A | 2,55 V bei 15 V, 100 A | 100 µA | NEIN | 6,15 nF bei 25 V | ||||||||||||||
![]() | VS-GA200HS60S1 | - | ![]() | 9125 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | INT-A-Pak | GA200 | 830 W | Standard | INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - | 600 V | 480 A | 1,21 V bei 15 V, 200 A | 1mA | NEIN | 32,5 nF bei 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-70MT060WHTAPBF | - | ![]() | 6381 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 12-MTP-Modul | 70MT060 | 347 W | Standard | MTP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VS70MT060WHTAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Halbbrücke | NVV | 600 V | 100 A | 3,4 V bei 15 V, 140 A | 700 µA | NEIN | 8 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB150TH120U | - | ![]() | 6104 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (3 + 4) | GB150 | 1147 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGB150TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | - | 1200 V | 280 A | 3,6 V bei 15 V, 150 A | 5mA | NEIN | 12,7 nF bei 30 V | |||||||||||||
| VS-CPV364M4KPBF | - | ![]() | 2726 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 19-SIP (13 Ableitungen), IMS-2 | CPV364 | 63 W | Standard | IMS-2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Dreiphasen-Wechselrichter | - | 600 V | 24 A | 1,8 V bei 15 V, 24 A | 250 µA | NEIN | 1,6 nF bei 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GT75NA60UF | 37.4800 | ![]() | 5221 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GT75 | 231 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 112-VS-GT75NA60UF | 1 | Einzelzerkleinerer | Grabenfeldstopp | 600 V | 81 A | 2,26 V bei 15 V, 70 A | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||||
![]() | VS-EMG050J60N | - | ![]() | 6340 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | EMIPAK2 | EMG050 | 338 W | Standard | EMIPAK2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSEMG050J60N | EAR99 | 8541.29.0095 | 56 | Halbbrücke | - | 600 V | 88 A | 2,1 V bei 15 V, 50 A | 100 µA | Ja | 9,5 nF bei 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GT105LA120UX | - | ![]() | 3465 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GT105 | 463 W | Standard | SOT-227 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzeln | NVV | 1200 V | 134 A | 75 µA | NEIN | ||||||||||||||||
![]() | 50MT060WH | - | ![]() | 2289 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | 12-MTP-Modul | 50MT060 | 658 W | Standard | 12-MTP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | PT | 600 V | 114 A | 3,2 V bei 15 V, 100 A | 400 µA | NEIN | 7,1 nF bei 30 V | |||||||||||||||
| CPV364M4F | - | ![]() | 6788 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 19-SIP (13 Ableitungen), IMS-2 | CPV364 | 63 W | Standard | IMS-2 | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 84 | Dreiphasen-Wechselrichter | - | 600 V | 27 A | 1,6 V bei 15 V, 27 A | 250 µA | NEIN | 2,2 nF bei 30 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB75SA120UP | - | ![]() | 1928 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GB75 | 658 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VSGB75SA120UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzeln | NVV | 1200 V | 3,8 V bei 15 V, 75 A | 250 µA | NEIN | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB300NH120N | - | ![]() | 3595 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (3 + 4) | GB300 | 1645 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGB300NH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzeln | - | 1200 V | 500 A | 2,45 V bei 15 V, 300 A | 5mA | NEIN | 21,2 nF bei 25 V | |||||||||||||
![]() | GA200SA60U | - | ![]() | 1337 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | GA200 | 500 W | Standard | SOT-227B | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzeln | - | 600 V | 200 A | 1,9 V bei 15 V, 100 A | 1mA | NEIN | 16,5 nF bei 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GA200TH60S | - | ![]() | 8699 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (3 + 4) | GA200 | 1042 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGA200TH60S | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | - | 600 V | 260 A | 1,9 V bei 15 V, 200 A (typisch) | 5 µA | NEIN | 13,1 nF bei 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-FC220SA20 | - | ![]() | 8471 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | FC220 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSFC220SA20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | N-Kanal | 200 V | 220A (Tc) | 10V | 7 mOhm bei 150 A, 10 V | 5,1 V bei 500 µA | 350 nC bei 10 V | ±30V | 21000 pF bei 50 V | - | 789W (Tc) | |||||||||||
![]() | VS-GT90DA120U | 38.4000 | ![]() | 4419 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4, miniBLOC | 781 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 112-VS-GT90DA120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzeln | Grabenfeldstopp | 1200 V | 169 A | 2,6 V bei 15 V, 75 A | 100 µA | NEIN | |||||||||||||||
![]() | VS-GT75LP120N | - | ![]() | 6088 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | INT-A-Pak | GT75 | 543 W | Standard | INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | - | 1200 V | 150 A | 2,35 V bei 15 V, 75 A | 5mA | NEIN | 5,52 nF bei 25 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GT400TD60S | 259.7542 | ![]() | 4938 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | 1364 W | Standard | INT-A-PAK | herunterladen | REACH Unberührt | 112-VS-GT400TD60S | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Grabenfeldstopp | 600 V | 711 A | 1,4 V bei 15 V, 400 A | 300 µA | NEIN | |||||||||||||||||
![]() | VS-GT300TD60S | 209.2825 | ![]() | 2843 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | 882 W | Standard | INT-A-PAK | herunterladen | REACH Unberührt | 112-VS-GT300TD60S | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Grabenfeldstopp | 600 V | 466 A | 1,47 V bei 15 V, 300 A | 200 µA | NEIN | 24,2 nF bei 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB300AH120N | - | ![]() | 2164 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Doppeltes INT-A-PAK (5) | GB300 | 2500 W | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VSGB300AH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Einzeln | - | 1200 V | 620 A | 1,9 V bei 15 V, 300 A (typisch) | 5mA | NEIN | 21 nF bei 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GT400LH060N | 135.4500 | ![]() | 9055 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | GT400 | 1.363 kW | Standard | Doppeltes INT-A-PAK | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | 112-VS-GT400LH060N | 1 | Einzelzerkleinerer | Grabenfeldstopp | 600 V | 492 A | 2V bei 15V, 400A | 20 µA | NEIN | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB90DA60U | - | ![]() | 9603 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4 | GB90 | 625 W | Standard | SOT-227 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VS-GB90DA60UGI | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Einzeln | NVV | 600 V | 147 A | 2,8 V bei 15 V, 100 A | 100 µA | NEIN | ||||||||||||||
![]() | VS-ENQ030L120S | - | ![]() | 7672 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | EMIPAK-1B | ENQ030 | 216 W | Standard | EMIPAK-1B | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 98 | Dreistufiger Wechselrichter | Graben | 1200 V | 61 A | 2,52 V bei 15 V, 30 A | 230 µA | Ja | 3,34 nF bei 30 V | ||||||||||||||
| CPV364M4U | - | ![]() | 7732 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 19-SIP (13 Ableitungen), IMS-2 | CPV364 | 63 W | Standard | IMS-2 | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Dreiphasen-Wechselrichter | - | 600 V | 20 A | 1,84 V bei 15 V, 20 A | 250 µA | NEIN | 2,1 nF bei 30 V | |||||||||||||||
| CPV363M4K | - | ![]() | 3068 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 19-SIP (13 Ableitungen), IMS-2 | CPV363 | 36 W | Standard | IMS-2 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Dreiphasen-Wechselrichter | - | 600 V | 11 A | 2V bei 15V, 11A | 250 µA | NEIN | 740 pF bei 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GT200TS065S | 115.8100 | ![]() | 3012 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | FRED Pt® | Kasten | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | 1 kW | Standard | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 112-VS-GT200TS065S | 15 | Halbbrückenwechselrichter | Graben | 650 V | 476 A | 200 µA | NEIN | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GA250SA60S | - | ![]() | 3119 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor – Abteilung Dioden | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Fahrgestellmontage | SOT-227-4 | GA250 | 961 W | Standard | SOT-227 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzeln | - | 600 V | 400 A | 1,66 V bei 15 V, 200 A | 1mA | NEIN | 16,25 nF bei 30 V |

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