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Transistoren (195)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
VS-GA200HS60S1	- - -	RFQ	9125	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Int-a-Pak	GA200		830 w	Standard	Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke												- - -	600 V	480 a	1,21 V @ 15V, 200a	1 Ma	NEIN	32,5 NF @ 30 V
VS-GT100TS065S	85.9800	RFQ	5207	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			517 w	Standard		- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		112-VS-GT100TS065S			15	Halbbrückke Wechselrichter												Graben	650 V	247 a		100 µA	NEIN
VS-GT90SA120U	36.8300	RFQ	9471	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc			781 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT90SA120U	Ear99	8541.29.0095	10	Einzel												TRABENFELD STOPP	1200 V	169 a	2,6 V @ 15V, 75a	100 µA	NEIN
VS-GB400th120U	- - -	RFQ	5555	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB400		2660 w	Standard	Double Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgb400th120u	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke												Npt	1200 V	660 a	3,6 V @ 15V, 400a	5 Ma	NEIN	33.7 NF @ 30 V
VS-40MT120UHTAPBF	- - -	RFQ	3806	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	40mt120		463 w	Standard	MTP	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS40MT120UHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	Halbbrücke												Npt	1200 V	80 a	4,91v @ 15V, 80a	250 µA	NEIN	8.28 NF @ 30 V
VS-GB75SA120UP	- - -	RFQ	1928	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GB75		658 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		VSGB75SA120UP	Ear99	8541.29.0095	180	Einzel												Npt	1200 V		3,8 V @ 15V, 75A	250 µA	NEIN
GA200SA60U	- - -	RFQ	1337	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -		Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GA200		500 w	Standard	SOT-227B	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel												- - -	600 V	200 a	1,9 V @ 15V, 100a	1 Ma	NEIN	16,5 NF @ 30 V
VS-GT100DA120UF	41,5000	RFQ	1995	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Hexfred®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT100		890 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel												Graben	1200 V	187 a	2,55 V @ 15V, 100a	100 µA	NEIN	6.15 NF @ 25 V.
VS-GB75TP120U	- - -	RFQ	2388	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	INT-A-PAK (3 + 4)	GB75		500 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB75TP120U	Ear99	8541.29.0095	24	Halbbrücke												- - -	1200 V	105 a	3,2 V @ 15V, 75A (Typ)	2 Ma	NEIN	4.3 NF @ 30 V
VS-GB150TH120U	- - -	RFQ	6104	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB150		1147 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgb150th120u	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke												- - -	1200 V	280 a	3,6 V @ 15V, 150a	5 Ma	NEIN	12.7 NF @ 30 V
CPV364M4F	- - -	RFQ	6788	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -		Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV364		63 w	Standard	IMS-2	- - -	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	84	Drei -Phase -wechselrichter												- - -	600 V	27 a	1,6 V @ 15V, 27a	250 µA	NEIN	2.2 NF @ 30 V
VS-ENW30S120T	130.3500	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	*	Kasten	Aktiv									Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-ENW30S120T	Ear99	8541.29.0095	100
VS-GT50YF120NT	115.8900	RFQ	108	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			231 w	Standard	- - -	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT50YF120NT	Ear99	8541.29.0095	12	Volle Brucke												TRABENFELD STOPP	1200 V	64 a	2,8 V @ 15V, 50a	50 µA	Ja
VS-CPV364M4KPBF	- - -	RFQ	2726	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV364		63 w	Standard	IMS-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	Drei -Phase -wechselrichter												- - -	600 V	24 a	1,8 V @ 15V, 24a	250 µA	NEIN	1,6 NF @ 30 V
Vs-ga200th60s	- - -	RFQ	8699	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GA200		1042 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsga200th60s	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke												- - -	600 V	260 a	1,9 V @ 15V, 200a (Typ)	5 µA	NEIN	13.1 NF @ 25 V.
50MT060WH	- - -	RFQ	2289	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -		Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	50MT060		658 w	Standard	12-MTP	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke												Pt	600 V	114 a	3,2 V @ 15V, 100a	400 µA	NEIN	7.1 NF @ 30 V
VS-FC80NA20	- - -	RFQ	8317	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	FC80	MOSFET (Metalloxid)			SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160		N-Kanal	200 v	108a (TC)	10V	14mohm @ 80a, 10V	5,5 V @ 250 ähm	161 NC @ 10 V	± 30 v	10720 PF @ 50 V	- - -	405W (TC)
VS-GT400TD60S	259.7542	RFQ	4938	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Fred Pt®	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			1364 w	Standard	Int-a-Pak	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	112-VS-GT400TD60S	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke												TRABENFELD STOPP	600 V	711 a	1,4 V @ 15V, 400a	300 µA	NEIN
VS-ENU060Y60U	- - -	RFQ	1403	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Lets Kaufen									- - -	ROHS3 -KONFORM			112-VS-ENU060Y60U			1
VS-GB70NA60UF	- - -	RFQ	2412	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GB70		447 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		VSGB70NA60UF	Ear99	8541.29.0095	180	Einzel												Npt	600 V	111 a	2,44 V @ 15V, 70a	100 µA	NEIN
VS-FA38SA50LCP	- - -	RFQ	8292	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	FA38	MOSFET (Metalloxid)			SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		VSFA38SA50LCP	Ear99	8541.29.0095	180		N-Kanal	500 V	38a (TC)	10V	130mohm @ 23a, 10V	4v @ 250 ähm	420 NC @ 10 V	± 20 V	6900 PF @ 25 V.	- - -	500W (TC)
VS-GA200SA60SP	- - -	RFQ	1004	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GA200		781 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		VSGA200SA60SP	Ear99	8541.29.0095	180	Einzel												- - -	600 V		1,3 V @ 15V, 100a	1 Ma	NEIN	16.25 NF @ 30 V
VS-40MT120UHAPBF	- - -	RFQ	9513	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	12-MTP-Modul	40mt120		463 w	Standard	MTP	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS40MT120UHAPBF	Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke												Npt	1200 V	80 a	4,91v @ 15V, 80a	250 µA	NEIN	8.28 NF @ 30 V
FB180SA10	- - -	RFQ	8744	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Hexfet®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	FB180	MOSFET (Metalloxid)			SOT-227	- - -	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal	100 v	180a (TC)	10V	6,5 MOHM @ 108A, 10V	4v @ 250 ähm	380 nc @ 10 v	± 20 V	10700 PF @ 25 V.	- - -	480W (TC)
VS-GB400th120n	- - -	RFQ	8302	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB400		2604 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgb400th120n	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke												- - -	1200 V	800 a	1,9 V @ 15V, 400A (Typ)	5 Ma	NEIN	32.7 NF @ 25 V.
VS-GB100NH120N	- - -	RFQ	6945	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB100		833 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB100NH120N	Ear99	8541.29.0095	12	Einzel												- - -	1200 V	200 a	2,35 V @ 15V, 100a	5 Ma	NEIN	8.58 NF @ 25 V.
CPV363M4K	- - -	RFQ	3068	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV363		36 w	Standard	IMS-2	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	Drei -Phase -wechselrichter												- - -	600 V	11 a	2v @ 15V, 11a	250 µA	NEIN	740 PF @ 30 V
VS-CPV363M4FPBF	- - -	RFQ	1904	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	19-sip (13 Leads), IMS-2	CPV363			- - -	IMS-2	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	- - -												- - -			- - -		NEIN
VS-GB75NA60UF	- - -	RFQ	4811	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GB75		447 w	Standard	SOT-227	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	160	Einzel												Npt	600 V	109 a	2v @ 15V, 35a	50 µA	NEIN
VS-FC220SA20	- - -	RFQ	8471	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	FC220	MOSFET (Metalloxid)			SOT-227	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSFC220SA20	Ear99	8541.29.0095	160		N-Kanal	200 v	220a (TC)	10V	7mohm @ 150a, 10V	5,1 V @ 500 ähm	350 NC @ 10 V	± 30 v	21000 PF @ 50 V	- - -	789W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (195)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²