- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4886DY-GE3 | - - - |  | 9509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4886 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 13a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||
 | SIHH11N60E-T1-GE3 | 1.5753 | | 3792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 339mohm @ 5.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1076 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
 | SQ3425ev-T1_GE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3425 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 10.3 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 840 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TC) | |||||
 | SI7938DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7938 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 60a | 5,8 MOHM @ 18,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | 2300pf @ 20V | - - - | |||||||
| SI4396DY-GE3 | 0,8900 | | 378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4396 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1675 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,4W (TC) | ||||
 | 2N5116 | - - - | | 3587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SIHD2N80E-GE3 | 1.4200 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd2 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 2.8a (TC) | 10V | 2,75OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 315 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
 | SI1023CX-T1-GE3 | 0,4500 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (Metalloxid) | 220 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | - - - | 756MOHM @ 350 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2,5nc @ 4,5 V | 45PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQ4435EY-T1_GE3 | 1.4400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 2170 PF @ 15 V | - - - | 6.8W (TC) | |||||
| SI4860DY-T1-E3 | - - - | | 1404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4860 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 16a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SI3805DV-T1-GE3 | - - - | | 7941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3805 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.3a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 84mohm @ 3a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 330 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,1W (TA), 1,4W (TC) | |||||
| SI3495DV-T1-E3 | - - - | | 5223 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3495 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7A, 4,5 V. | 750 MV @ 250 ähm | 38 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | SIR438DP-T1-GE3 | 1.9500 | | 261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir438 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 4560 PF @ 10 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRFIB8N50K | - - - | | 2461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB8N50K | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 6.7a (TC) | 10V | 350Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 30 v | 2160 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||
| SI7370DP-T1-GE3 | 3.0700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7370 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,6a (TA) | 10V | 11Mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | IRF840A | - - - | | 1316 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf840a | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1018 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
| SI4384DY-T1-E3 | - - - | | 9449 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4384 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8,5 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.47W (TA) | ||||||
 | SIHF35N60E-GE3 | 3.0870 | | 4995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF35 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 132 NC @ 10 V | ± 30 v | 2760 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
 | IRF840LPBF | 1.6170 | | 2118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| SIHF5N50D-E3 | 1.3700 | | 9065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 30W (TC) | |||||
| V30408-T1-GE3 | - - - | | 6326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30408 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | - - - | | 7785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4110 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 17.3a (TC) | 10V | 13mohm @ 11.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2205 PF @ 40 V | - - - | 3,6 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
 | SI7423DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7423 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 11.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | Sia922edj-t1-GE3 | - - - | | 8843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia922 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4,5a | 64mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| IRF830SPBF | 2.2500 | | 95 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF830SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFU9010 | - - - | | 5645 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9010 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||
 | SISS4410DN-T1-GE3 | 0,8000 | | 6235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 14A (TA), 36A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 9mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 850 PF @ 20 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | ||||||
| Sira18ADP-T1-GE3 | 0,4300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 14.7W (TC) | ||||||
 | SI6415DQ-T1-GE3 | 1.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6415 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 6.5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SQJQ100E-T1_GE3 | 3.0300 | | 5071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1,5 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 14780 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)