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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7465DP-T1-GE3 | 1.3200 |  | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7465 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 3.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 64mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SIHA186N60EF-GE3 | 2.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha186 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-siha186N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 8.4a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 1081 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SIR826LDP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR826LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 21,3a (TA), 86a (TC) | 10V | 5mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 91 nc @ 10 v | ± 20 V | 3840 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SIHB35N60EF-GE3 | 6.4600 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB35 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 134 NC @ 10 V. | ± 30 v | 2568 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SIHA690N60E-GE3 | 0,9150 | | 4904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha690 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 4.3a (TC) | 10V | 700MOHM @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 347 PF @ 100 V | - - - | 29W (TC) | |||||
 | SIR880BDP-T1-RE3 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 18,6a (TA), 70,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 2930 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||||
 | SQJ180EP-T1_GE3 | 1.9300 | | 5507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ180EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 248a (TC) | 10V | 3mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 117 NC @ 10 V | ± 20 V | 6645 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | |||||
 | SIR5102DP-T1-RE3 | 3.0500 | | 3063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR5102DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 27a (TA), 110a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2850 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Sidr220ep-t1-re3 | 3.3600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 92,8a (TA), 415a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 10850 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 415W (TC) | |||||||
| SQC40016E_DFFR | 2.1000 | | 9527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | - - - | - - - | SQC40016 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-sqc40016e_dffr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
| SQJ401EP-T2_GE3 | 0,9356 | | 3922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ401EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 32a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 6mohm @ 15a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 164 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 10015 PF @ 6 V | - - - | 83W (TC) | ||||
 | SQJ460AEP-T2_GE3 | 0,5433 | | 3105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ460AEP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 58a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 10.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 20 V | 2654 PF @ 30 V | - - - | 68W (TC) | ||||
 | IRFR1N60APBF-BE3 | 1.5500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFR1N60APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||||
 | SIHB24N80AE-GE3 | 3.5600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB24N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 21a (TC) | 184mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 30 v | 1836 PF @ 100 V. | - - - | 208W (TC) | ||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | 1.0000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR186LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 23,8a (TA), 80,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.4mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1980 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SISH410DN-T1-GE3 | 1.0800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 22A (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIR5211DP-T1-GE3 | 0,9300 | | 8048 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 31.2a (TA), 105a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 10a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 158 NC @ 10 V | ± 12 V | 6700 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | ||||||
 | SI2303BDS-T1 | - - - | | 6326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.49a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 180 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
 | SIHA240N60E-GE3 | 2.9600 | | 9526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha240 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 783 PF @ 100 V | - - - | 31W (TC) | |||||
| SQJ162EP-T1_GE3 | 1.3200 | | 7763 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 166a (TC) | 10V | 5mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 3930 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | ||||||||
 | SI1036X-T1-GE3 | 0,4200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1036 | MOSFET (Metalloxid) | 220 MW | SC-89-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 610 Ma (TA) | 540MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 36PF @ 15V | - - - | |||||||
| IRF740StrRPBF | 1.8357 | | 5444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI4226DY-T1-GE3 | - - - | | 4490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4226 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 19,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 36nc @ 10v | 1255PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SIS452DN-T1-GE3 | - - - | | 6025 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS452 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,25 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1700 PF @ 6 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRF830BPBF | 1.1200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | 0,6400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS472 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15,3a (TA), 38,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||
 | SIHK185N60E-T1-GE3 | 4.4200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | SIHK185 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 185mohm @ 9.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1085 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
 | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 | | 5701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie802 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9mohm @ 23.6a, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 7000 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
 | IRFD110 | - - - | | 7738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD110 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1a (ta) | 10V | 540MOHM @ 600 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||
 | SIA911DJ-T1-GE3 | - - - | | 5903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia911 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 94mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12.8nc @ 8v | 355PF @ 10V | - - - |
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