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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR214TRPBF | 1.4500 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SIHB22N60S-GE3 | - - - | | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | S | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 190mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2810 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SIHB30N60E-GE3 | 6.0700 | | 879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHB30N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | SIJA58DP-T1-GE3 | 0,4092 | | 3967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija58 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3750 PF @ 20 V | - - - | 27.7W (TC) | |||||
 | SI8409DB-T1-E1 | 1.1100 | | 9174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8409 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.47W (TA) | |||||
 | 2N6660-e3 | - - - | | 7399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SI3407DV-T1-E3 | - - - | | 7620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3407 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 12 V | 1670 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | ||||
 | SQA401EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 2854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SQA401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.75a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 330 PF @ 10 V. | - - - | 13.6W (TC) | |||||
 | V30433-T1-GE3 | - - - | | 9520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30433 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SI9407BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9407 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 4.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 120 MOHM @ 3,2A, 10V | 3v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 600 PF @ 30 V | - - - | 2,4 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SIR4409DP-T1-RE3 | 1.3100 | | 4098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 17,2a (TA), 60,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 5670 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||
| SQJ401EP-T2_GE3 | 0,9356 | | 3922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ401EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 32a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 6mohm @ 15a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 164 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 10015 PF @ 6 V | - - - | 83W (TC) | ||||
 | SIR826ADP-T1-GE3 | 2.5400 | | 9717 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SIR500DP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 85,9a (TA), 350,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,47 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 8960 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 104,1W (TC) | |||||
 | SISA10BDN-T1-GE3 | 0,9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 26a (TA), 104a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 36.2 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1710 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 63W (TC) | ||||||
| SIR820DP-T1-GE3 | 0,6350 | | 3781 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir820 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3512 PF @ 15 V | - - - | 37,8W (TC) | ||||||
 | IRFR210TRPBF-BE3 | 1.1700 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||||
| SUD50P04-23-E3 | - - - | | 1765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 8.2a (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 16 v | 1880 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 45,4W (TC) | ||||
 | SQ7415aen-t1_be3 | - - - | | 9246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQ7415 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 5.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1385 PF @ 25 V. | - - - | 53W (TC) | |||||||
 | SQD40030E_GE3 | 0,7297 | | 2938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40030 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | - - - | - - - | 65 NC @ 10 V | - - - | - - - | - - - | ||||||
 | SIR584DP-T1-RE3 | 1.5700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 24,7a (TA), 100A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 83,3W (TC) | ||||||
 | SI7236DP-T1-E3 | - - - | | 5143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7236 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 60a | 5.2mohm @ 20.7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 105nc @ 10v | 4000PF @ 10V | - - - | |||||||
| IRFBF20STRLPBF | 2.4700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 54W (TC) | |||||
| SI3585CDV-T1-GE3 | 0,5500 | | 3868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (Metalloxid) | 1,4W, 1,3W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 3.9a, 2.1a | 58mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.8nc @ 10v | 150pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQJQ186ER-T1_GE3 | 2.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Möwenflügel | SQJQ186 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 329a (TC) | 10V | 2,3 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 185 NC @ 10 V. | ± 20 V | 10552 PF @ 25 V | - - - | 600W (TC) | |||||
 | SI4058DY-T1-GE3 | 0,6200 | | 3764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4058 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 10.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 690 PF @ 50 V | - - - | 5.6W (TC) | ||||||
 | SI4310BDY-T1-E3 | - - - | | 6530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4310 | MOSFET (Metalloxid) | 1.14W, 1.47W | 14-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 7,5a, 9,8a | 11mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 18nc @ 4,5 v | 2370PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7164DP-T1-GE3 | 2.9100 | | 984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7164 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 6,25 MOHM @ 10a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2830 PF @ 30 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI4825DDY-T1-GE3 | 0,9400 | | 128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4825 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14,9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 25 V | 2550 PF @ 15 V | - - - | 2,7W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI3993CDV-T1-GE3 | 0,5100 | | 9869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3993 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 2.9a | 111mohm @ 2,5a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 8nc @ 10v | 210pf @ 15V | - - - |
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Standardprodukteinheit
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