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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2343D-T1-E3 | 0,6600 |  | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 53mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SIHG15N80AEF-GE3 | 3.0600 | | 525 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG15N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 350MOHM @ 6.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 30 v | 1128 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
| SI2371EDS-T1-GE3 | 0,4300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2371 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.8a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 12 V | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||
 | SI1302DL-T1-GE3 | 0,4400 | | 1190 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 600 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 480MOHM @ 600 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||
 | SI3447CDV-T1-E3 | - - - | | 8275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 7.8a (TC) | 4,5 v | 36mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 30 NC @ 8 V | ± 8 v | 910 PF @ 6 V | - - - | 2W (TA), 3W (TC) | |||||
 | SI6410DQ-T1-E3 | - - - | | 5357 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 7.8a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SI4490DY-T1-GE3 | 2.2000 | | 252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4490 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 2.85a (TA) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||
| SI4622DY-T1-E3 | - - - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4622 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W, 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 16mohm @ 9.6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 60nc @ 10v | 2458PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SQD50P08-28_GE3 | 2.7600 | | 4091 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 80 v | 48a (TC) | 10V | 28mohm @ 12.5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6035 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | Sira00DP-T1-GE3 | 2.1800 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira00 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1mohm @ 20a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | +20V, -16v | 11700 PF @ 15 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI4464DY-T1-GE3 | 1.4000 | | 3268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4464 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 1.7a (ta) | 6 V, 10V | 240 MOHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SI6413DQ-T1-E3 | - - - | | 8977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6413 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 10MOHM @ 8,8a, 4,5 V. | 800 MV @ 400 ähm | 105 NC @ 5 V | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | |||||
| SI4348DY-T1-E3 | - - - | | 2016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4348 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12,5 MOHM @ 11A, 10V | 2v @ 250 ähm | 23 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.31W (TA) | ||||||
| SI3879DV-T1-E3 | - - - | | 9160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3879 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 70 MOHM @ 3,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 12 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA), 3,3 W (TC) | ||||
 | SIJ478DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 1468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 20a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 1855 PF @ 40 V. | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | SQJ262EP-T1_GE3 | 1.3600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ262 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 15a (TC), 40A (TC) | 35,5 MOHM @ 2a, 10 V, 15,5 MOHM @ 5A, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 10nc @ 10v, 23nc @ 10v | 550pf @ 25v, 1260pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SIHA24N65EF-E3 | 3.0944 | | 5102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2774 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
| SI4866BDY-T1-GE3 | - - - | | 7295 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4866 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 21,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 5,3 MOHM @ 12A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 5020 PF @ 6 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,45 W (TC) | |||||
 | IRF737LC | - - - | | 2980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF737 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF737LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750 MOHM @ 3,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 430 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SQJ260EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ260 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 20a (TC), 54a (TC) | 19Mohm @ 6a, 10V, 8,5mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v, 40nc @ 10v | 1100pf @ 25v, 2500pf @ 25v | - - - | |||||||
| Si4836dy-e3 | - - - | | 1219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4836 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 17a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 3mohm @ 25a, 4,5 V. | 400 MV @ 250 um (min) | 75 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SQJQ100E-T1_GE3 | 3.0300 | | 5071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1,5 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 14780 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
| SI7186DP-T1-GE3 | - - - | | 2518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7186 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 32a (TC) | 10V | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 2840 PF @ 40 V | - - - | 5.2W (TA), 64W (TC) | ||||
 | SIS478DN-T1-GE3 | - - - | | 2526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10.5 NC @ 10 V | ± 25 V | 398 PF @ 15 V | - - - | 15.6W (TC) | |||||
 | SQJ952EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 4707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ952 | MOSFET (Metalloxid) | 25W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 23a (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1800pf @ 30v | - - - | |||||||
| SI3812DV-T1-GE3 | - - - | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3812 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | Schottky Diode (Isolier) | 830 MW (TA) | |||||
 | SI7980DP-T1-E3 | - - - | | 2807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7980 | MOSFET (Metalloxid) | 19.8W, 21.9W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 20V | 8a | 22mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27nc @ 10v | 1010pf @ 10v | - - - | ||||||
 | SUD42N03-3M9P-GE3 | - - - | | 1701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud42 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3535 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 73,5W (TC) | ||||
 | SIA472edj-t1-GE3 | 0,1583 | | 9213 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA472 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Single | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 20mohm @ 10,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 12 V | 1265 PF @ 15 V | - - - | 19.2W (TC) | ||||||
| SI9424BDY-T1-E3 | - - - | | 3642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9424 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 5.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 25mo @ 7.1a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 9 v | - - - | 1,25W (TA) |
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