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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJA72EP-T1_GE3 | 1.5700 |  | 6535 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja72 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 37a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1390 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | |||||
 | SUM40010el-GE3 | 2.8900 | | 8952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum40010 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 230 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11155 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | IRF730S | - - - | | 1821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF730S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SI1441EDH-T1-GE3 | 0,5300 | | 9255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1441 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 41mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 2,8 W (TC) | |||||
 | SI7758DP-T1-GE3 | - - - | | 3199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7758 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,9 MOHM @ 20A, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 7150 PF @ 15 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| IRF740Strl | - - - | | 3914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | IRFBC40PBF-BE3 | 2.4100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBC40PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | IRFI9Z14GPBF | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9Z14GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||
 | Sira84DP-T1-GE3 | 0,5700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira84 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | +20V, -16v | 1535 PF @ 15 V | - - - | 34.7W (TC) | |||||
| Irfz48Strl | - - - | | 1613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz48 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 190 W (TC) | ||||
 | SQJA70EP-T1_GE3 | 0,8300 | | 2002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja70 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 14.7a (TC) | 10V | 95mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||||
 | SQJ202EP-T2_GE3 | 1.3300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ202 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ202EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 12V | 20A (TC), 60A (TC) | 6,5 MOHM @ 15a, 10 V, 3,3 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 22nc @ 10v, 54nc @ 10v | 975PF @ 6V, 2525PF @ 6v | - - - | |||||||
 | SIHH068N60E-T1-GE3 | 8.1500 | | 7837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH068 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 68mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 2650 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | |||||
 | SI1037X-T1-E3 | - - - | | 9617 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1037 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 770 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 195mohm @ 770 Ma, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 170 MW (TA) | |||||
 | SI7108DN-T1-E3 | 2.0000 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 MOHM @ 22A, 10V | 2v @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SIA449DJ-T1-GE3 | 0,4600 | | 1183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA449 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 20mohm @ 6a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 12 V | 2140 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQS405en-T1_GE3 | 1.1100 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS405 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 16a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 20mohm @ 13,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 75 NC @ 8 V | ± 8 v | 2650 PF @ 6 V. | - - - | 39W (TC) | ||||||
 | SI6404DQ-T1-GE3 | - - - | | 8129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6404 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8.6a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 9mohm @ 11a, 10V | 600 MV @ 250 UA (min) | 48 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.08W (TA) | |||||
| IRF510Strl | - - - | | 5031 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | SQ3985ev-T1_BE3 | 0,6900 | | 3146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3985 | MOSFET (Metalloxid) | 3W (TC) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3985ev-t1_be3ct | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.9a (TC) | 145mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.6nc @ 10v | 350pf @ 10v | - - - | |||||||
| IRL630Strl | - - - | | 7339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 10 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRF820PBF-BE3 | 1.4000 | | 4606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF820PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||
| IRL630Strr | - - - | | 5852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 10 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRF9640PBF | 2.0400 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9640PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
 | SI2300D-T1-GE3 | 0,4100 | | 7492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2300 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 68mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 12 V | 320 PF @ 15 V | - - - | 1,1W (TA), 1,7W (TC) | ||||
 | IRFPC50APBF | 4.2200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 580Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 30 v | 2100 PF @ 25 V | - - - | 180W (TC) | ||||
| IRFP21N60LPBF | 7.4000 | | 2747 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP21N60LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 320Mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 330W (TC) | ||||
 | SQD50N04-5M6_GE3 | 0,7578 | | 3969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 5.6mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | |||||
| SI2341D-T1-E3 | - - - | | 3005 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2341 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 72mohm @ 2,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 400 PF @ 15 V | - - - | 710 MW (TA) | ||||
| SIHW33N60E-GE3 | 6.6800 | | 9981 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | SIHW33 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 480 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3508 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) |
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