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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFP360LCPBF | 5.8800 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP360 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP360LCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
 | SIHF12N60E-GE3 | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | |||||
 | SI7960DP-T1-E3 | - - - | | 9652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7960 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.2a | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 75nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR9024PBF | 1.9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | IRFI840GLC | - - - | | 7984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFI840GLC | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 850MOHM @ 2,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
 | IRFBC30Strl | - - - | | 7558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SQ3426EEV-T1-GE3 | - - - | | 9832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3426 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7a (TC) | 42mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | 700 PF @ 30 V | - - - | ||||||||
 | SI4682DY-T1-GE3 | - - - | | 7187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4682 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.4mohm @ 16a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1595 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,45 W (TC) | ||||
| SI4544DY-T1-E3 | - - - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4544 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30V | - - - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 35nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI7220DN-T1-GE3 | 1.7700 | | 71 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7220 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.4a | 60MOHM @ 4,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI6969DQ-T1-GE3 | - - - | | 9139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6969 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | - - - | 34mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 40nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4532ADY-T1-E3 | - - - | | 2483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4532 | MOSFET (Metalloxid) | 1.13W, 1.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 3.7a, 3a | 53mohm @ 4,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 16nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIR798DP-T1-GE3 | - - - | | 6675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir798 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2.05ohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5050 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 83W (TC) | ||||||
 | SIA430DJ-T4-GE3 | - - - | | 9778 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA430 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 12a (ta), 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 7A, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 800 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | |||||
 | SI1912EDH-T1-E3 | - - - | | 2372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1912 | MOSFET (Metalloxid) | 570 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1.13a | 280 MOHM @ 1,13A, 4,5 V. | 450 MV @ 100 UA (min) | 1nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SISH108DN-T1-GE3 | 0,7100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen II | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 MOHM @ 22A, 10V | 2v @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SIR424DP-T1-GE3 | 0,9400 | | 5859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir424 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 10 V | - - - | 4,8W (TA), 41,7W (TC) | |||||
| SIR846ADP-T1-RE3 | 0,8618 | | 8819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 6 V, 10V | 7,8 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 2350 PF @ 50 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
 | SI3457CDV-T1-BE3 | 0,5400 | | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3457CDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.1a (TA), 5.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 450 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 3W (TC) | ||||||
 | SIHP24N65E-E3 | 5.7000 | | 9372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP24N65EEEE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
| SI4532CDY-T1-GE3 | 0,6900 | | 6205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4532 | MOSFET (Metalloxid) | 2.78W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 6a, 4,3a | 47mohm @ 3,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9nc @ 10v | 305PF @ 15V | - - - | |||||||
| SI1400DL-T1-GE3 | - - - | | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1400 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,6a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,7A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 568 MW (TA) | |||||
| SI4493DY-T1-GE3 | - - - | | 4801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4493 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 7,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 110 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI4884BDY-T1-GE3 | - - - | | 2948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4884 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1525 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,45 W (TC) | |||||
| SI4493DY-T1-E3 | - - - | | 2766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4493 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 7,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 110 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI4862DY-T1-E3 | 1.6758 | | 6470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4862 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 16 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,3 MOHM @ 25A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 70 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
| SI4626ADY-T1-E3 | 0,9923 | | 9189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4626 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 5370 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
 | SIHH11N60E-T1-GE3 | 1.5753 | | 3792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 339mohm @ 5.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1076 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
| SI4660DY-T1-E3 | - - - | | 9333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4660 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 23.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 16 v | 2410 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,6W (TC) | ||||
 | SQ3425ev-T1_GE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3425 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 10.3 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 840 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TC) |
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