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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2319DS-T1-BE3 | 0,7100 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 2.3a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 82mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 470 PF @ 20 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||||
 | SQJ486EP-T1_BE3 | 1.2200 | | 2523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 5.9a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1386 PF @ 37 V | - - - | 56W (TC) | ||||||
 | IRFR220TRPBF-BE3 | 0,6674 | | 3024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR220TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 4.8a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SI3469DV-T1-BE3 | 0,6600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3469DV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 6.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
| SIHD14N60ET4-GE3 | 2.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1205 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | ||||||
| SI2337DS-T1-BE3 | 1.0100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2337D-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 1,2a (TA), 2,2a (TC) | 6 V, 10V | 270 MOHM @ 1,2A, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 500 PF @ 40 V | - - - | 760 MW (TA), 2,5 W (TC) | |||||
 | SQJ992EP-T2_GE3 | 0,9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ992 | MOSFET (Metalloxid) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 15a (TC) | 56.2mohm @ 3.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 446PF @ 30V | - - - | |||||||
| IRFR320TRPBF-BE3 | 1.7900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SI6926ADQ-T1-BE3 | 1.2500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6926 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW (TA) | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-Si6926adq-t1-be3tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4.1a (ta) | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 10.5nc @ 4,5V | - - - | - - - | ||||||
| SQJ860EP-T1_BE3 | 0,9600 | | 3561 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ860EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||
 | SIHB30N60ET5-GE3 | 6.0700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||
| IRLR110TRPBF-BE3 | 0,6321 | | 1917 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRLR110TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 2,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SIHA25N50E-GE3 | 3.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1980 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | ||||||
| IRFR220PBF-BE3 | 0,6674 | | 6996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR220PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 4.8a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | Sidr402ep-t1-re3 | 2.5200 | | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR402EP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 65,2a (TA), 291a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,88 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,3 V @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 9100 PF @ 20 V | - - - | 7,5 W (TA), 150 W (TC) | ||||
 | SQJQ150E-T1_GE3 | 2.2200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJQ150E-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 233a (TC) | 10V | 1,9 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 92 NC @ 10 V | ± 20 V | 4643 PF @ 25 V. | - - - | 187W (TC) | ||||
 | SIA4371EDJ-T1-GE3 | 0,5300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIA4371edj-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.4a (TA), 9A (TC) | 2,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 12 V | - - - | 2,9W (TA), 15,6 W (TC) | |||||
 | SIAA02DJ-T1-GE3 | 0,6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIAA02 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 22A (TA), 52A (TC) | 2,5 V, 10 V. | 4,7mohm @ 8a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | +12 V, -8 V | 1250 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||
 | Sira18bdp-T1-GE3 | 0,4900 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 19A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,83 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | +20V, -16v | 680 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 17W (TC) | ||||
 | SIHP125N60EF-GE3 | 4.7600 | | 5247 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP125 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 30 v | 1533 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
 | SIHFR420TRL-GE3 | 0,3669 | | 5844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHFR420 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| SIHFR9120-GE3 | 0,7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHFR9120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| SIHP38N60EF-GE3 | 4.3943 | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP38 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 23.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 189 NC @ 10 V | ± 30 v | 3576 PF @ 100 V | - - - | 313W (TC) | ||||
 | SIHL630Strl-GE3 | 0,7501 | | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHL630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 10 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SIHF9520S-GE3 | 1.0900 | | 3888 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF9520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Sterben | Squn702 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC), 60 W (TC) | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 40V, 200V | 30a (TC), 20a (TC) | 9,2mohm @ 9,8a, 10V, 60MOHM @ 5A, 10V, 30MOHM @ 6a, 10V | 2,5 V bei 250 UA, 3,5 V BEI 250 µA | 23nc @ 20v, 14nc @ 20v, 30.2nc @ 100V | 1474pf @ 20V, 1450pf @ 20V, 1302pf @ 100V | - - - | ||||||
 | SISHA10DN-T1-GE3 | 0,9500 | | 1701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sisha10 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 25a (TA), 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,7 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | +20V, -16v | 2425 PF @ 15 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||
 | SISS60DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 1881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS60 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50,1a (TA), 181,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,31MOHM @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 85,5 NC @ 10 V. | +16 V, -12v | 3960 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 5.1W (TA), 65,8W (TC) | ||||
 | Sihu6n80ae-GE3 | 1.4400 | | 9011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Sihu6 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 950Mohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 422 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | ||||
| SIR846BDP-T1-RE3 | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 16,1a (TA), 65,8 (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2440 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 83,3W (TC) |
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