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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1025X-T1-E3 | - - - |  | 4135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1025 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 190 ma | 4OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,7nc @ 15V | 23pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI4102DY-T1-E3 | - - - | | 9449 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4102 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 3.8a (TC) | 6 V, 10V | 158mohm @ 2,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 370 PF @ 50 V | - - - | 2,4W (TA), 4,8W (TC) | ||||
 | SI8405DB-T1-E1 | - - - | | 9954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8405 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3.6a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 55mohm @ 1a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.47W (TA) | |||||
 | SIHH11N65EF-T1-GE3 | 4.3300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 382mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 30 v | 1243 PF @ 100 V | - - - | 130W (TC) | |||||
 | IRFR110 | - - - | | 9160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
| IRFR024PBF | 1.2300 | | 7362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | Irfiz34g | - - - | | 9889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfiz34 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfiz34g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 10V | 50mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
 | IRF9640Strl | - - - | | 1574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRFR120PBF | 1.2300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFR120PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| SI4688DY-T1-GE3 | - - - | | 2611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4688 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1580 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||
 | SIHP15N60E-GE3 | 2.9500 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 1350 PF @ 100 V | - - - | 180W (TC) | |||||
 | SQJ414EP-T1_GE3 | 0,9400 | | 7272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1110 PF @ 15 V | - - - | 45W (TC) | |||||
| SI4401DDY-T1-GE3 | 0,8700 | | 4288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 16.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3007 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | |||||
 | VQ1006P | - - - | | 6088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | - - - | VQ1006 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 14-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 N-Kanal | 90V | 400 ma | 4,5OHM @ 1a, 10V | 2,5 V @ 1ma | - - - | 60pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFBF20LPBF | 1.2165 | | 5130 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBF20LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||
 | IRF820PBF | 1.4200 | | 8810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF820PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SQ7414aenw-t1_GE3 | - - - | | 3575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQ7414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 8.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1590 PF @ 30 V | - - - | 62W (TC) | ||||||
| SI4835DDY-T1-GE3 | 1.2300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4835 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 25 V | 1960 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,6W (TC) | |||||
| SI4908DY-T1-E3 | - - - | | 7320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4908 | MOSFET (Metalloxid) | 2.75W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5a | 60MOHM @ 4.1a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 355PF @ 20V | - - - | ||||||
 | SI7862ADP-T1-GE3 | 2.2903 | | 2084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7862 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 16 v | 18a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 29a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7340 PF @ 8 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| IRLZ14 | - - - | | 8433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLZ14 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||
 | SUD50N02-09P-GE3 | - - - | | 4880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 39,5W (TC) | |||||
| IRL3202L | - - - | | 9397 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRL3202 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL3202L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 48a (TC) | 4,5 V, 7V | 16mohm @ 29a, 7V | 700 MV @ 250 um (min) | 43 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 2000 PF @ 15 V | - - - | 69W (TC) | |||
 | SIA914ADJ-T1-GE3 | - - - | | 9137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia914 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 43mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 12.5nc @ 8v | 470pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI5475DC-T1-GE3 | - - - | | 3540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5475 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 31mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 450 mV @ 1ma (min) | 29 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| IRF9640L | - - - | | 1852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9640L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 125W (TC) | |||
| SQJ412EP-T2_GE3 | 0,7110 | | 5531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ412 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ412EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5950 PF @ 20 V | - - - | 83W (TC) | ||||
| SI7495DP-T1-GE3 | - - - | | 7048 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7495 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 13a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 6,5 MOHM @ 21A, 4,5 V. | 900 MV @ 1ma | 140 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| IRF540L | - - - | | 6623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF540L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | Siz730dt-T1-GE3 | 0,8300 | | 175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz730 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 16a, 35a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 24nc @ 10v | 830pf @ 15V | Logikpegel -tor |
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