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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4932DY-T1-GE3 | 1.4000 |  | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4932 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 15mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48nc @ 10v | 1750pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SUM110N04-2M1P-E3 | - - - | | 6360 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 29a (TA), 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 360 nc @ 10 v | ± 20 V | 18800 PF @ 20 V | - - - | 3.13W (TA), 312W (TC) | |||||
 | SUP40N10-30-GE3 | - - - | | 6307 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 38,5a (TC) | 6 V, 10V | 30mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 89W (TC) | ||||
 | SIR874DP-T1-GE3 | - - - | | 1844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir874 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,4mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 985 PF @ 15 V | - - - | 3,9W (TA), 29,8W (TC) | ||||
 | SQD23N06-31L_GE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||||
 | SQJ412EP-T1_GE3 | 2.4400 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ412 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5950 PF @ 20 V | - - - | 83W (TC) | |||||
| SUD50N04-37P-T4-E3 | - - - | | 3712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 5.4a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 640 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 10,8W (TC) | ||||
| SUD50N06-07L-E3 | - - - | | 2680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 96a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.4mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 5800 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
| SUD50N06-08H-E3 | - - - | | 3414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 93a (TC) | 10V | 7,8 MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7000 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | 1.8600 | | 9392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4190 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 18,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,8 MOHM @ 15a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1970 PF @ 50 V | - - - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
 | SIHF8N50D-E3 | 1.6600 | | 1678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | |||||
 | SI8497DB-T2-E1 | 0,2083 | | 5512 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8497 | MOSFET (Metalloxid) | 6-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 13a (TC) | 2 V, 4,5 V. | 53mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 12 V | 1320 PF @ 15 V | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SQ1431EH-T1_GE3 | 0,6000 | | 35 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1431 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 175mohm @ 2a, 10V | 2v @ 250 ähm | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 205 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TC) | |||||
 | IRF9610SPBF | 1.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 1,8a (TC) | 10V | 3OHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||
 | SIHG22N50D-GE3 | 3.0401 | | 2149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHG22N50DGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 230mohm @ 11a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1938 PF @ 100 V | - - - | 312W (TC) | ||||
| SUM70040E-GE3 | 3.0600 | | 1615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum70040 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5100 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SIHH11N60EF-T1-GE3 | 3.9700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 357mohm @ 5.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1078 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
| SI4463CDY-T1-GE3 | 0,9400 | | 97 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4463 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 13,6a (TA), 49A (TC) | 2,5 V, 10 V. | 8mohm @ 13a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 162 NC @ 10 V | ± 12 V | 4250 PF @ 15 V | - - - | 2,7W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SQ2303ES-T1_GE3 | 0,5300 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 170 MOHM @ 1,8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 210 PF @ 25 V. | - - - | 1,9W (TC) | |||||
 | SQJ486EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 8810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ486 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 51a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1386 PF @ 15 V | - - - | 56W (TC) | |||||
| SIHP12N60E-GE3 | 2.6900 | | 2114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||
 | SIHB35N60E-GE3 | 6.4000 | | 229 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB35 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 132 NC @ 10 V | ± 30 v | 2760 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SI4128BDY-T1-GE3 | - - - | | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | SI4128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 8.3a (TA), 12A (TC) | 4,5 V, 10 V. | ± 25 V | ||||||||||||||||||
| SI2308CDS-T1-GE3 | 0,3900 | | 6373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 144mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 105 PF @ 30 V | - - - | 1.6W (TC) | ||||
 | SI1539DDL-T1-GE3 | - - - | | 5973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (Metalloxid) | 340 MW | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 700 Ma (TC), 460 Ma (TC) | 388MOHM @ 600 mA, 10 V, 1.07OHM @ 400 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 um, 3 V @ 250 µa | 1,1nc @ 4,5V, 1,2nc @ 4,5 V. | 28pf @ 15V, 21PF @ 15V | - - - | |||||||
| SI1900DL-T1-GE3 | 0,6100 | | 4465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1900 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW, 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 630 Ma (TA), 590 Ma (TA) | 480MOHM @ 590 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | - - - | - - - | |||||||
 | SIZ998DT-T1-GE3 | 1.5400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | SIZ998 | MOSFET (Metalloxid) | 20,2W, 32,9W | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 20A (TC), 60A (TC) | 6,7 MOHM @ 15a, 10V, 2,8 Mohm @ 19a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 8.1nc @ 4,5V, 19,8nc @ 4,5 V | 930pf @ 15V, 2620pf @ 15V | - - - | ||||||||
 | SQ3985ev-T1_GE3 | 0,6900 | | 9354 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3985 | MOSFET (Metalloxid) | 3W | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.9a (TC) | 145mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.6nc @ 4.5V | 350pf @ 10v | - - - | ||||||||
 | SQ4425EY-T1_GE3 | 1.9300 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4425 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 13a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3630 PF @ 25 V. | - - - | 6.8W (TC) | ||||||
 | SQD50N04-4M5L_GE3 | 2.4400 | | 8132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5860 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) |
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