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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N5116JTX02 | - - - |  | 3942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||||
| 2N5433 | - - - | | 9430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206AC, bis 52-3 Metall Kann | 2N5433 | 300 MW | To-206AC (bis 52) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 30pf @ 0v | 25 v | 100 mA @ 15 V | 3 v @ 3 na | ||||||||||||
| 2N5433-2 | - - - | | 3511 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206AC, bis 52-3 Metall Kann | 2N5433 | 300 MW | To-206AC (bis 52) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | N-Kanal | 30pf @ 0v | 25 v | 100 mA @ 15 V | 3 v @ 3 na | ||||||||||||
| 2n5433-e3 | - - - | | 9032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206AC, bis 52-3 Metall Kann | 2N5433 | 300 MW | To-206AC (bis 52) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 30pf @ 0v | 25 v | 100 mA @ 15 V | 3 v @ 3 na | ||||||||||||
| 2N5545JTXL01 | - - - | | 9006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-71-6 | 2n5545 | To-71 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||||
| 2N5547JTX01 | - - - | | 8640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-71-6 | 2n5547 | To-71 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||||
 | 3N163 | - - - | | 7835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | - - - | MOSFET (Metalloxid) | To-72 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | P-Kanal | 40 v | 50 mA (ta) | 20V | 250 Ohm @ 100 µA, 20V | 5 V @ 10 µA | ± 30 v | 3,5 PF @ 15 V | - - - | 375 MW (TA) | |||||||
 | SIHB8N50D-GE3 | 0,7765 | | 3374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB8 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||||
 | SIA537EDJ-T1-GE3 | 0,6600 | | 9503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA537 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 12V, 20V | 4,5a | 28mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16nc @ 8v | 455PF @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SQM100N10-10_GE3 | 3.1200 | | 593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 185 NC @ 10 V. | ± 20 V | 8050 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||||
| SUM110P06-07L-E3 | 3.8100 | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,9 MOHM @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 345 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11400 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | ||||||
| Sum90n08-4m8p-e3 | - - - | | 4336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 90a (TC) | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | 6460 PF @ 40 V | - - - | ||||||||||
 | SI4462DY-T1-E3 | - - - | | 2650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4462 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 1.15a (TA) | 480 MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | - - - | |||||||||||
 | SI6435ADQ-T1-E3 | - - - | | 1288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.7a (TA) | 30mohm @ 5.5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20 NC @ 5 V | - - - | |||||||||||
 | SI8402DB-T1-E1 | - - - | | 3231 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8402 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.3a (ta) | 37mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | - - - | |||||||||||
 | TP0101K-T1-E3 | - - - | | 4158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TP0101 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 580 mA (TA) | 650MOHM @ 580 Ma, 4,5 V. | 1 V @ 50 µA | 2,2 NC @ 4,5 V. | - - - | |||||||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | 0,5700 | | 72 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2312 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 31mohm @ 5a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 750 MW (TA) | |||||||
| SI2318D-T1-E3 | 0,5300 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 20 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||||
| SI2325D-T1-E3 | 1.0000 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2325 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 530 Ma (TA) | 6 V, 10V | 1,2OHM @ 500 mA, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||||
 | SI3493BDV-T1-E3 | 0,9600 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 27,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 43,5 NC @ 5 V. | ± 8 v | 1805 PF @ 10 V. | - - - | 2.08W (TA), 2.97W (TC) | |||||||
| SI3585DV-T1-E3 | - - - | | 6956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 2a, 1,5a | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 3.2nc @ 4.5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||
| SI4470EY-T1-E3 | - - - | | 2790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4470 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 9a (ta) | 6 V, 10V | 11Mohm @ 12a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,85W (TA) | |||||||
| SI4484EY-T1-E3 | - - - | | 4026 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4484 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 4.8a (TA) | 6 V, 10V | 34mohm @ 6.9a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||||
| SI4642DY-T1-E3 | - - - | | 5922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4642 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 34a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,75 MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 1ma | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5540 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||||
 | SI5433BDC-T1-E3 | - - - | | 5969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5433 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.8a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 37mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 22 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||||
 | SI5858DU-T1-E3 | - - - | | 3418 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5858 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16 NC @ 8 V | ± 8 v | 520 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 2,3 W (TA), 8,3W (TC) | ||||||
 | SI7220DN-T1-E3 | 2.5000 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7220 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.4a | 60MOHM @ 4,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SI7448DP-T1-E3 | - - - | | 1350 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7448 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13,4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 6,5 MOHM @ 22A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||||
| SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.2a (ta) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||||
| SI7464DP-T1-E3 | 1.8900 | | 1559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7464 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 1,8a (ta) | 6 V, 10V | 240 MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) |
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