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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfr310 | - - - |  | 3591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfr310 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | IRF610PBF | 0,9300 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF610PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||
 | IRFU214 | - - - | | 6693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU214 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | SIAA40DJ-T1-GE3 | 0,6800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIAA40 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12,5 MOHM @ 5A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | +20V, -16v | 1200 PF @ 20 V | - - - | 19.2W (TC) | |||||
 | SIR632DP-T1-RE3 | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir632 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 29a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 34,5 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 740 PF @ 75 V | - - - | 69,5W (TC) | |||||
 | SQ4917EY-T1_GE3 | 1.8400 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4917 | MOSFET (Metalloxid) | 5W (TC) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 8a (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | 1910pf @ 30v | - - - | |||||||
 | SQJA96EP-T1_GE3 | 1.0600 | | 4176 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja96 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30a (TC) | 10V | 21,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||
| SQJA80EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 4217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja80 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 3800 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SIHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG24 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2774 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SQM90142E_GE3 | 2.9200 | | 2248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM90142 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 95a (TC) | 10V | 15.3mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 4200 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
| SUM70040E-GE3 | 3.0600 | | 1615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum70040 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5100 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SIHH11N60EF-T1-GE3 | 3.9700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Sihh11 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 357mohm @ 5.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1078 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
 | SI7904BDN-T1-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7904 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6a | 30mohm @ 7.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24nc @ 8v | 860PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI5406CDC-T1-GE3 | - - - | | 8521 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5406 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 20mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 nc @ 8 v | ± 8 v | 1100 PF @ 6 V | - - - | 2,3 W (TA), 5,7W (TC) | ||||
 | SI7328DN-T1-GE3 | 0,9923 | | 7802 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7328 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.6mohm @ 18.9a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 31,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 3,78W (TA), 52W (TC) | |||||
| SIA413DJ-T1-GE3 | 0,9400 | | 174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 29mohm @ 6.7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 57 NC @ 8 V | ± 8 v | 1800 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI4126DY-T1-GE3 | 2.4800 | | 4123 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4126 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 39a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,75 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 4405 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | SI1013R-T1-GE3 | 0,4500 | | 124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1013 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 350 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||
 | SI1026X-T1-GE3 | 0,5100 | | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1026 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 305 Ma | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6nc @ 4,5 V | 30pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI7463DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7463 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,2mohm @ 18,6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI7898DP-T1-GE3 | 2.2300 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7898 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 3a (ta) | 6 V, 10V | 85mohm @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SUM110P06-07L-E3 | 3.8100 | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,9 MOHM @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 345 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11400 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | ||||
| Sum90n08-4m8p-e3 | - - - | | 4336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 90a (TC) | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | 6460 PF @ 40 V | - - - | ||||||||
| SIHP18N50C-E3 | 2.8500 | | 877 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP18N50CE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 18a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 30 v | 2942 PF @ 25 V. | - - - | 223W (TC) | ||||
| SQM100N10-10_GE3 | 3.1200 | | 593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 185 NC @ 10 V. | ± 20 V | 8050 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SIHD6N80E-GE3 | 2.1300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
 | SI2308CDS-T1-GE3 | 0,3900 | | 6373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 144mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 105 PF @ 30 V | - - - | 1.6W (TC) | ||||
 | SI1539DDL-T1-GE3 | - - - | | 5973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (Metalloxid) | 340 MW | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 700 Ma (TC), 460 Ma (TC) | 388MOHM @ 600 mA, 10 V, 1.07OHM @ 400 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 um, 3 V @ 250 µa | 1,1nc @ 4,5V, 1,2nc @ 4,5 V. | 28pf @ 15V, 21PF @ 15V | - - - | |||||||
| SI1900DL-T1-GE3 | 0,6100 | | 4465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1900 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW, 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 630 Ma (TA), 590 Ma (TA) | 480MOHM @ 590 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | - - - | - - - | |||||||
 | SIZ998DT-T1-GE3 | 1.5400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | SIZ998 | MOSFET (Metalloxid) | 20,2W, 32,9W | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 20A (TC), 60A (TC) | 6,7 MOHM @ 15a, 10V, 2,8 Mohm @ 19a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 8.1nc @ 4,5V, 19,8nc @ 4,5 V | 930pf @ 15V, 2620pf @ 15V | - - - |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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