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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Ausfluss - rds (on) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irf830as | - - - |  | 5679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf830as | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||||
 | SQJQ142E-T1_GE3 | 2.5200 | | 1641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ142 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJQ142E-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 460a (TC) | 10V | 1,24 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 6975 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | ||||||||
 | SQJ454EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 6267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ454 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 145mohm @ 7,5a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||
 | SUP85N03-3M6P-GE3 | - - - | | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3535 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 78,1W (TC) | |||||||||
| 2N4392-2 | - - - | | 8641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4392 | 1,8 w | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 14pf @ 20V | 40 v | 25 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 Ohm | |||||||||||||
 | TP0202K-T1-E3 | - - - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TP0202 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 385 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1 nc @ 10 v | ± 20 V | 31 PF @ 15 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||
| IRF530strr | - - - | | 7918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||||||
 | IRFD210PBF | 1.3900 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD210 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD210PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 600 mA (TA) | 10V | 1,5OHM @ 360 mA, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||
 | IRFR9210 | - - - | | 2040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||||
 | SIR626LDP-T1-RE3 | 1,8000 | | 3581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir626 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 45,6a (TA), 186a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5900 PF @ 30 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||||
 | SISS30DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS30 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 15,9a (TA), 54,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8.25MOHM @ 10a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1666 PF @ 10 V. | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | |||||||||
 | 2N4117A-2 | - - - | | 6504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4117 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 30 µa @ 10 V | 600 mv @ 1 na | ||||||||||||||
| SIHB30N60E-GE3 | 6.0700 | | 879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHB30N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||
| IRFR9120TRLPBF | 1.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||||||
 | SIHB30N60AEL-GE3 | 5.9500 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB30 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 120MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2565 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||||
 | SUD35N05-26L-E3 | - - - | | 6918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud35 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 55 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 20a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | 885 PF @ 25 V. | - - - | 7.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | SQD40061EL_GE3 | 1.6500 | | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40061 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 14500 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | |||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | 2.9100 | | 2464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ469 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 32a (TC) | 6 V, 10V | 25mo @ 10.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 5100 PF @ 40 V | - - - | 100 W (TC) | |||||||||
 | IRFI9Z24GPBF | 2.6600 | | 1536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9Z24GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 8.5a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 5.1A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||||||
 | SI1065X-T1-E3 | - - - | | 8941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1065 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 1.18a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 156mohm @ 1,18a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 10.8 NC @ 5 V. | ± 8 v | 480 PF @ 6 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||||||
| SIR5623DP-T1-RE3 | 1.7100 | | 4432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5623 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 10,5a (TA), 37,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1575 PF @ 30 V | - - - | 4,8W (TA), 59,5W (TC) | |||||||||
| SUM110N05-06L-E3 | - - - | | 2085 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 110a (TC) | 6mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | 3300 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||
 | SQJB40EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB40 | MOSFET (Metalloxid) | 34W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 8mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 35nc @ 10v | 1900pf @ 25v | - - - | |||||||||||
 | Sqs460enw-t1_ge3 | 0,8900 | | 5409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 5.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 755 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||||||
 | SI7913DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7913 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 5a | 37mohm @ 7,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | SI3585CDV-T1-GE3 | 0,5500 | | 3868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (Metalloxid) | 1,4W, 1,3W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 3.9a, 2.1a | 58mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.8nc @ 10v | 150pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | SI1401EDH-T1-GE3 | 0,4100 | | 8266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1401 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 34mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) | |||||||||
 | SI7946DP-T1-GE3 | - - - | | 4183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 2.1a | 150 MOHM @ 3,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| IRFR010PBF | 1.4700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFR010PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||||||
| SUP60N10-16L-E3 | - - - | | 9230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 3820 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) |
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