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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7450DP-T1-RE3 | 1.0516 |  | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SI7450 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3,2a (TA), 19,8a (TC) | |||||||||||||||||||||
 | SQM120N06-06_GE3 | 2.9400 | | 9218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6495 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||
 | SI4442DY-T1-E3 | 3.1400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4442 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 22A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SQA401CEJW-T1_GE3 | 0,4500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.75a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 330 PF @ 10 V. | - - - | 13.6W (TC) | ||||||
 | SIDR500EP-T1-RE3 | 3.4400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR500EP-T1-RE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 94a (TA), 421a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,47 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 8960 PF @ 15 V | - - - | 7,5 W (TA), 150 W (TC) | ||||||
 | SI7909DN-T1-E3 | - - - | | 1916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 5.3a | 37mohm @ 7.7a, 4,5 V. | 1V @ 700 ähm | 24nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4925BDY-T1-GE3 | 1.7000 | | 1623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4925 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 5.3a | 25mo @ 7.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHG25N40D-E3 | 3.7000 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG25 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHG25N40DE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 25a (TC) | 10V | 170Mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1707 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||
 | SQA444CEJW-T1_GE3 | 0,4800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 39mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) | ||||||
| SIHB24N65EF-GE3 | 6.0100 | | 6909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2774 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | IRFR9220 | - - - | | 7120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | IRFB13N50A | - - - | | 4485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB13 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB13N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 450MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 30 v | 1910 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||
| IRF530 | - - - | | 5575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | ||||
 | IRF9520StrRPBF | 1.2863 | | 1224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
 | SIA411DJ-T1-GE3 | - - - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 38 nc @ 8 v | ± 8 v | 1200 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||
| IRF640STRLPBF | 2.2000 | | 626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||||
 | SIHF9Z24Strr-GE3 | 1.0800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF9Z24Strr-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||||
 | IRFDC20 | - - - | | 5440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFDC20 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFDC20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 320 Ma (TA) | 10V | 4.4ohm @ 190 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||
 | SI7635DP-T1-GE3 | - - - | | 8467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7635 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 MOHM @ 26A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 16 v | 4595 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SIR696DP-T1-GE3 | 1.3600 | | 4035 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir696 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 125 v | 60a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1410 PF @ 75 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SI1304BDL-T1-GE3 | - - - | | 3164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 900 Ma (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 270 MOHM @ 900 Ma, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 2,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 100 PF @ 15 V | - - - | 340 MW (TA), 370 MW (TC) | ||||
 | SIB419DK-T1-GE3 | - - - | | 5166 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB419 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 60MOHM @ 5,2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.82 NC @ 5 V | ± 8 v | 562 PF @ 6 V | - - - | 2,45W (TA), 13,1W (TC) | ||||
| IRF730aStrl | - - - | | 8134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 30 v | 600 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SQM10250E_GE3 | 3.2100 | | 8409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM10250 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 65a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 30mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 4050 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SIHA155N60EF-GE3 | 3.6600 | | 8042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha155 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA155N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V | 89mohm @ 3.7a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1465 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | |||||
 | SQP120P06-6M7L_GE3 | - - - | | 7565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SQP120 | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 119a (TC) | ||||||||||||||||||
| Irfz44strr | - - - | | 7485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SIJ484DP-T1-GE3 | - - - | | 7114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ484 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,3 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,7W (TC) | ||||
| Irlz14strr | - - - | | 2581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SIHG47N60E-GE3 | 9.8400 | | 1313 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG47 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10V | 4v @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 30 v | 9620 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) |
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