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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N4858JVP02 | - - - |  | 2049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | 2N4858 | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | SIHG085N60EF-GE3 | 6.5600 | | 2537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG085 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG085N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2733 PF @ 100 V | - - - | 184W (TC) | ||||
 | SIHF085N60EF-GE3 | 6.2400 | | 4067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2733 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | ||||||||
 | SQD40N06-25L-GE3 | - - - | | 6585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 10V | 22mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||
 | IRFPG40 | - - - | | 9824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPG40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPG40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 1000 v | 4.3a (TC) | 10V | 3,5OHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4936 | MOSFET (Metalloxid) | 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15nc @ 10v | 530pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHH120N60E-T1-GE3 | 6.0900 | | 4280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH120 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 120Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1600 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
| SI4931DY-T1-GE3 | 1.2300 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4931 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8,9a, 4,5 V. | 1 V @ 350 µA | 52nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4431CDY-T1-E3 | 1.0700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4431 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 32mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1006 PF @ 15 V | - - - | 4.2W (TC) | |||||
| SQA310CEJW-T1_GE3 | 0,4700 | | 9729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 535 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) | ||||||||
 | SIB404DK-T1-GE3 | - - - | | 3348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB404 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 9a (TC) | 4,5 v | 19Mohm @ 3a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 5 V | - - - | 2,5 W (TA), 13W (TC) | ||||||
| SIHH240N60E-T1-GE3 | 2.8000 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH240 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHH240N60E-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 783 PF @ 100 V | - - - | 89W (TC) | ||||
| SIHG70N60EF-GE3 | 8.8305 | | 3473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG70 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 70a (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 7500 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
| SIHG22N60AE-GE3 | 4.0100 | | 5859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 1451 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
| 2N5114Jan02 | - - - | | 1721 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5114 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | IRF510PBF-BE3 | 1.1200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF510PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
 | SI1917EDH-T1-E3 | - - - | | 9386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1917 | MOSFET (Metalloxid) | 570 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 1a | 370MOHM @ 1A, 4,5 V. | 450 MV @ 100 UA (min) | 2nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIR1309DP-T1-GE3 | 0,9400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 19,1a (TA), 65,7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 25 V | 3250 PF @ 15 V | - - - | 4,8W (TA), 56,8W (TC) | |||||||
| SI1900DL-T1-E3 | 0,6000 | | 3537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1900 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 590 Ma | 480MOHM @ 590 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SIHD3N50D-E3 | 0,3563 | | 9541 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | Sidr220ep-t1-re3 | 3.3600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 92,8a (TA), 415a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 10850 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 415W (TC) | |||||||
 | SIR850DP-T1-GE3 | - - - | | 2345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir850 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1120 PF @ 15 V | - - - | 4,8W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | SI7224DN-T1-GE3 | - - - | | 9964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7224 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W, 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14.5nc @ 10v | 570PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI1406DH-T1-E3 | - - - | | 1704 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1406 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA) | |||||
| SI7214DN-T1-E3 | - - - | | 1688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7214 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.6a | 40mohm @ 6.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI3456BDV-T1-GE3 | - - - | | 2013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | SI5855CDC-T1-E3 | - - - | | 1068 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5855 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 144mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,8 NC @ 5 V. | ± 8 v | 276 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,3W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
 | SQJ465EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ465 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 85mohm @ 3,5a, 10 V, 1,17Mohm @ 20a, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1140 PF @ 30 V | - - - | 45W (TC) | |||||
| SIR880ADP-T1-GE3 | 1.8600 | | 1429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir880 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,3 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2289 PF @ 40 V. | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SQJ202EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ202 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 12V | 20a, 60a | 6,5 MOHM @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 975PF @ 6v | - - - |
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