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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7119DN-T1-GE3 | 1.0000 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7119 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 3.8a (TC) | 6 V, 10V | 1,05OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 666 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFR9214TR | - - - | | 9404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
| SIS426DN-T1-GE3 | - - - | | 4830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS426 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1570 PF @ 10 V. | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SI8800EDB-T2-E1 | 0,4700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8800 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8.3 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 500 MW (TA) | |||||
 | SI4430BDY-T1-GE3 | 1.8500 | | 9321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4430 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 36 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SISH112DN-T1-GE3 | 1.4900 | | 8296 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 17,8a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TC) | |||||
 | SQJ410EP-T1_GE3 | 2.4400 | | 6209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 10.3A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 6210 PF @ 15 V | - - - | 83W (TC) | |||||
| SI7409ADN-T1-E3 | - - - | | 6256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7409 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 19mohm @ 11a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | IRFBC30AStrr | - - - | | 2952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
 | SUD50N10-18P-GE3 | - - - | | 8157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 8.2a (TA), 50A (TC) | 10V | 18,5 Mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2600 PF @ 50 V | - - - | 3W (TA), 136,4W (TC) | ||||
| IRF9630SPBF | 2.9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 6,5a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
| SI4947ADY-T1-GE3 | - - - | | 6959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4947 | MOSFET (Metalloxid) | 1.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 3a | 80MOHM @ 3,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 8nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFR420TR | - - - | | 2389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | IRFP21N60L | - - - | | 9884 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 320Mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 330W (TC) | ||||
 | SI5403DC-T1-GE3 | 1.0400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5403 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1340 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | ||||
 | SISS30DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS30 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 15,9a (TA), 54,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8.25MOHM @ 10a, 10V | 3,8 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1666 PF @ 10 V. | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SQM200N04-1M7L_GE3 | 3.3700 | | 3819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | SQM200 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 291 nc @ 10 v | ± 20 V | 11168 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SUD50NP04-77P-T4E3 | - - - | | 9003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-5, dpak (4 Leitete + Tab), to-252ad | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | 10.8W, 24W | To-252-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 40V | 8a | 37mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 640PF @ 20V | - - - | |||||||
 | SI7431DP-T1-E3 | 4.0900 | | 6994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7431 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 2.2a (TA) | 6 V, 10V | 174mohm @ 3,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | IRFB9N60A | - - - | | 4304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB9N60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB9N60A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||
 | SUM40N10-30-E3 | - - - | | 8392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum40 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 30mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 107W (TC) | ||||
| SQ3418aeev-t1_GE3 | 0,3929 | | 2137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3418 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 8a | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 3,5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 528 PF @ 25 V. | - - - | 5W (TC) | |||||
| SIR814DP-T1-GE3 | - - - | | 9411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir814 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 3800 PF @ 20 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI5515DC-T1-E3 | - - - | | 8862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5515 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 4.4a, 3a | 40mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI2377EDS-T1-BE3 | 0,5200 | | 8759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2377EDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3,7A (TA), 4,4a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 61Mohm @ 3,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 21 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1,25W (TA), 1,8W (TC) | |||||||
| IRF740SPBF | 2.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF740SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI4910DY-T1-E3 | - - - | | 3885 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4910 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 7.6a | 27mohm @ 6a, 10V | 2v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 855PF @ 20V | - - - | ||||||
| IRF530strr | - - - | | 7918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| SIR401DP-T1-GE3 | 0,9700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 3,2 Mohm @ 15a, 10 V | 1,5 V @ 250 ähm | 310 nc @ 10 v | ± 12 V | 9080 PF @ 10 V | - - - | 5W (TA), 39W (TC) | |||||
| IRLR014PBF | 1.0500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) |
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