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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3483DV-T1-E3 | - - - |  | 2604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.7a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | SI1470DH-T1-E3 | - - - | | 9308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1470 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 66mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 5 V. | ± 12 V | 510 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
 | SI4880DY-T1-E3 | - - - | | 8371 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4880 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 13a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 25 NC @ 5 V | ± 25 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||
 | IRLU024PBF | 1.7000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU024 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLU024PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | IRF9610Strl | - - - | | 5762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 1,8a (TC) | 10V | 3OHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||
 | IRF520PBF | 1.1900 | | 6891 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF520PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||
 | SIS476DN-T1-GE3 | 1.1800 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI5903DC-T1-E3 | - - - | | 3675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5903 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.1a | 155mohm @ 2,1a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRF840SPBF | 2.1000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF840SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIRC16DP-T1-RE3 | 1.3600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIRC16DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 57A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,96 MOHM @ 15a, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | +20V, -16v | 5150 PF @ 10 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TA), 54,3W (TC) | ||||||
 | SUD40151el-GE3 | 1.8900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD40151 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 17.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 112 NC @ 10 V | ± 20 V | 5340 PF @ 20 V | - - - | 50W (TC) | |||||
| SI4931DY-T1-GE3 | 1.2300 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4931 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8,9a, 4,5 V. | 1 V @ 350 µA | 52nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFR9014NTRL | - - - | | 3645 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SQA470EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 8742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SQA470 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.25a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 440 PF @ 20 V | - - - | 13.6W (TC) | |||||
 | IRF520SPBF | 1.3600 | | 750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
 | SUM25P10-138-E3 | - - - | | 5340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum25 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 16,7a (TC) | 6 V, 10V | 13,8 MOHM @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2110 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 88,2W (TC) | |||||
 | SI1056X-T1-E3 | - - - | | 1187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1056 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1.32a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 89mohm @ 1,32a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 8,7 NC @ 5 V. | ± 8 v | 400 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SI2335D-T1-E3 | - - - | | 8189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2335 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 51mohm @ 4a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 1225 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
| SI4124DY-T1-E3 | 0,9497 | | 1384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4124 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 20,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 14A, 10V | 3v @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3540 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SI1330EDL-T1-BE3 | 0,5300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1330 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1330edl-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 2,5 Ohm @ 250 mA, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | ||||||
| IRL530 | - - - | | 9746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL530 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4V, 5V | 160MOHM @ 9A, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||
 | Irfz34l | - - - | | 7988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irfz34 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz34l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4v @ 250 ähm | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
| SI2338D-T1-GE3 | 0,5300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2338 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 5,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 424 PF @ 15 V | - - - | 1,3 W (TA), 2,5W (TC) | ||||
| Irf730as | - - - | | 1464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf730as | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 30 v | 600 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
| SQ4284EY-T1_GE3 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4284 | MOSFET (Metalloxid) | 3.9W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | - - - | 13,5 MOHM @ 7A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45nc @ 10v | 2200PF @ 25V | Logikpegel -tor | |||||||
| IRF710 | - - - | | 9674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF710 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||
| SI4483ADY-T1-GE3 | 1.2100 | | 7322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4483 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 19,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.8mohm @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 25 V | 3900 PF @ 15 V | - - - | 2,9W (TA), 5,9W (TC) | |||||
 | SIHF23N60E-GE3 | 1.7972 | | 9785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF23 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 30 v | 2418 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
| Sum75n06-09l-e3 | - - - | | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum75 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 9,3mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
| SI1467DH-T1-GE3 | 0,6700 | | 9993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1467 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 561 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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