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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHA12N50E-GE3 | 1.8700 |  | 950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA12N50E-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 886 PF @ 100 V | - - - | 32W (TC) | ||||||
 | SI4953ADY-T1-GE3 | - - - | | 4441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4953 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 3.7a | 53mohm @ 4,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 25nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI7772DP-T1-GE3 | 0,8100 | | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7772 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1084 PF @ 15 V | - - - | 3,9W (TA), 29,8W (TC) | |||||
 | SI1965DH-T1-GE3 | 0,5100 | | 8643 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1965 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 1.3a | 390MOHM @ 1A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4.2nc @ 8v | 120pf @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1013X-T1-E3 | - - - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1013 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 350 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
 | IRLU3714TR | - - - | | 9734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU3714 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 20 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 18a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9,7 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 670 PF @ 10 V. | - - - | 47W (TC) | |||||
 | SI5471DC-T1-GE3 | 0,7500 | | 1050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5471 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 20mohm @ 9.1a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 12 V | 2945 PF @ 10 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | ||||
| SQ9945bey-t1_be3 | 1.1100 | | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ9945 | MOSFET (Metalloxid) | 4W (TC) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.4a (TC) | 64mohm @ 3.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 470pf @ 25v | - - - | ||||||||
 | IRFP450LCPBF | 7.0900 | | 344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP450 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP450LCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9407 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 4.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 120 MOHM @ 3,2A, 10V | 3v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 600 PF @ 30 V | - - - | 2,4 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | IRF634L | - - - | | 6831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF634L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SQJ204EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 1991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ204 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 12V | 20A (TC), 60A (TC) | 8.3MOHM @ 4A, 10V, 3MOHM @ 10a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v, 50nc @ 10v | 1400pf @ 6v, 3700pf @ 6v | - - - | |||||||
 | SI1054X-T1-GE3 | - - - | | 6435 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1054 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 1.32a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 95mohm @ 1,32a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,57 NC @ 5 V. | ± 8 v | 480 PF @ 6 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
| SI1443EDH-T1-GE3 | 0,5400 | | 1694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1443 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4a (TC) | 10V | 54mohm @ 4.3a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 28 NC @ 10 V | ± 12 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) | |||||
| SI5441DC-T1-GE3 | - - - | | 2909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5441 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.9a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 55mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 22 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIA461DJ-T1-GE3 | 0,4100 | | 9838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA461 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 45 nc @ 8 v | ± 8 v | 1300 PF @ 10 V | - - - | 3,4W (TA), 17,9 W (TC) | |||||
| SI7686DP-T1-E3 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7686 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 13,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 1220 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 37,9W (TC) | |||||
 | SIHP22N65E-GE3 | 2.4402 | | 1004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2415 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||
 | SUD25N04-25-T4-E3 | - - - | | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 33W (TC) | ||||
| SQ4005EY-T1_BE3 | 1.0100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4005 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4005EY-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 12 v | 15a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 22mohm @ 13,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 38 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 3600 PF @ 6 V | - - - | 6W (TC) | |||||
 | SI7972DP-T1-GE3 | 1.1100 | | 5519 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7972 | MOSFET (Metalloxid) | 22W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 8a (TC) | 18mohm @ 11a, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | 1050pf @ 30v | - - - | |||||||
| SI1469DH-T1-GE3 | 0,6300 | | 6496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1469 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.7a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 80Mohm @ 2a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 470 PF @ 10 V. | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) | ||||
 | 2N7002K-T1-E3 | 0,2900 | | 986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | ||||
| SI7658ADP-T1-GE3 | 2.9200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7658 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4590 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| SI7784DP-T1-GE3 | - - - | | 8744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7784 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,7W (TC) | ||||
 | IRFL214TR | - - - | | 8398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl214 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 790 Ma (TC) | 10V | 2OHM @ 470 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | IRF730aStrl | - - - | | 8134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 30 v | 600 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SI4914DY-T1-E3 | - - - | | 6056 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4914 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W, 1.16W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 5.5a, 5.7a | 23mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFU9214PBF | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9214 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9214PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
| SUP85N04-03-E3 | - - - | | 2150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 40 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | 6860 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) |
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