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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1034X-T1-E3 | - - - |  | 4463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 180 ma | 5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | IRFR020TRL | - - - | | 6218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||||
 | SQS401EN-T1_BE3 | 0,9400 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1875 PF @ 20 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||||
 | SIHH20N50E-T1-GE3 | 4.8500 | | 7820 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 147mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2063 PF @ 100 V | - - - | 174W (TC) | ||||||||
 | SIJ462ADP-T1-GE3 | 1.4600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ462 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SSIJ462ADP-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15,8a (TA), 39,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1235 PF @ 30 V | - - - | 3,6 W (TA), 22,3W (TC) | |||||||
 | SIHF35N60EF-GE3 | 3.3325 | | 4348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF35 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 134 NC @ 10 V. | ± 30 v | 2568 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | ||||||||
 | SQ3425ev-T1_BE3 | 0,6900 | | 6117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3425 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 10.3 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 840 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TC) | |||||||||
 | SQJ858AEP-T1_BE3 | 1.3700 | | 7783 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ858 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ858AEP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 58a (TC) | 6,3 MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2450 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | |||||||||
 | IRFP264PBF | 5.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP264 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP264PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 250 V | 38a (TC) | 10V | 75mohm @ 23a, 10V | 4v @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 5400 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | |||||||
 | Irfibe20GPBF | 2.9500 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibe20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 1.4a (TC) | 10V | 6,5 Ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | ||||||||
| IRFPC50LC | - - - | | 9050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPC50LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2300 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||||
 | SI3440DV-T1-E3 | 1.5200 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3440 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 1.2a (TA) | 6 V, 10V | 375mohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||||||
 | 2N4339 | - - - | | 6713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4339 | 300 MW | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 7pf @ 15V | 50 v | 500 µa @ 15 V | 600 mv @ 100 na | |||||||||||||
 | SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4421 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 800 MV @ 850 ähm | 125 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||
 | SIHB16N50C-E3 | 6.4600 | | 947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB16 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 380Mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | ||||||||
 | SI1433DH-T1-E3 | - - - | | 3152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1433 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 150 MOHM @ 2,2a, 10 V | 3 V @ 100 µA | 5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||
| SI7326DN-T1-GE3 | 0,9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7326 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 10a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 13 NC @ 5 V | ± 25 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||
| SI4362BDY-T1-E3 | - - - | | 3090 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4362 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 29a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 19.8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 12 V | 4800 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6,6 W (TC) | |||||||
 | IRL620PBF | 1,8000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRL620PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 3.1a, 5V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||
| IRF9Z10 | - - - | | 4700 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF9Z10 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||||||
| IRFP150 | - - - | | 7219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP150 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP150 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||||
 | SI8409DB-T1-E1 | 1.1100 | | 9174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8409 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.47W (TA) | ||||||||
| SI7322DN-T1-GE3 | 1.7200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7322 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 18a (TC) | 10V | 58mohm @ 5.5a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 750 PF @ 50 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SIS778DN-T1-GE3 | - - - | | 5560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis778 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 42,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1390 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 52W (TC) | |||||||||
 | IRFL110TRPBF-BE3 | 0,9300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 10V | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||||||
 | IRF840LCLPBF | 2.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF840LCLPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||
| SI4804CDY-T1-GE3 | 0,7600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4804 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 865PF @ 15V | - - - | ||||||||||
 | SUD50P04-23-E3 | - - - | | 1765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 8.2a (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 16 v | 1880 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 45,4W (TC) | |||||||
 | SIB406EDK-T1-GE3 | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB406 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 350 PF @ 10 V | - - - | 1,95W (TA), 10W (TC) | ||||||||
| SQ3469EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3469 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 6.7a, 10V | 2,5 V @ 25 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 1020 PF @ 10 V | - - - | 5W (TC) |
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