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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFP150 | - - - |  | 7219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP150 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP150 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||
 | IRF840LCS | - - - | | 7570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF840LCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | IRF840LCLPBF | 2.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF840LCLPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI1072X-T1-E3 | - - - | | 7584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1072 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 93mohm @ 1,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 280 PF @ 15 V | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | IRFI9640GPBF | 3.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9640GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 6.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.7a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
 | SQJA02EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja02 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 4,8 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 4700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SIR158DP-T1-GE3 | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir158 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 4980 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SQS180Enw-t1_GE3 | 1.0600 | | 9668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 72a (TC) | 10V | 8.67Mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 3092 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | ||||||||
 | SIHH24N65E-T1-GE3 | 6.4800 | | 821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH24 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 23a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 116 nc @ 10 v | ± 30 v | 2814 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | |||||
 | SI7322ADN-T1-GE3 | 0,6800 | | 6488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7322 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15.1a (TC) | 10V | 57mohm @ 5.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 50 V | - - - | 26W (TC) | |||||
 | SIA810dj-t1-e3 | - - - | | 7278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA810 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 53mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.5 NC @ 8 V. | ± 8 v | 400 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
| Sia918edj-t1-GE3 | 0,4800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia918 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4,5a (TC) | 58mohm @ 3a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 5,5nc @ 4,5 V | - - - | - - - | |||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | 1.9300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir170 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 23,2a (TA), 95A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 6195 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRFBE30PBF | 2.2500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfbe30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irfbe30pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
| Sug80050e-GE3 | 5.1500 | | 7288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sug80050 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 150 v | 100a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6250 PF @ 75 V | - - - | 500W (TC) | |||||
| V30432-T1-GE3 | - - - | | 3590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30432 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SI4804BDY-T1-E3 | - - - | | 8729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4804 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| VQ1001P | - - - | | 1852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | - - - | VQ1001 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 14-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 N-Kanal | 30V | 830 Ma | 1,75OHM @ 200 Ma, 5V | 2,5 V @ 1ma | - - - | 110pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR024 | - - - | | 8624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
| IRF610Strl | - - - | | 7832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 36W (TC) | ||||
| SI4925BDY-T1-GE3 | 1.7000 | | 1623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4925 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 5.3a | 25mo @ 7.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI1023X-T1-GE3 | 0,4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 370 Ma | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFR310TRPBF | 1.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SI4684DY-T1-GE3 | - - - | | 8482 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4684 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.4mohm @ 16a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 12 V | 2080 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 4,45 W (TC) | ||||
| SI7617DN-T1-GE3 | 0,8800 | | 241 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7617 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12.3mohm @ 13.9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 25 V | 1800 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SIR850DP-T1-GE3 | - - - | | 2345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir850 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1120 PF @ 15 V | - - - | 4,8W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | SQJ431AEP-T1_GE3 | 1.6400 | | 7662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ431 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 9,4a (TC) | 6 V, 10V | 305mohm @ 3,8a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 3700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
| SI7135DP-T1-GE3 | 2.2300 | | 3236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7135 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | 8650 PF @ 15 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SIS990DN-T1-GE3 | 0,9200 | | 7977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | Sis990 | MOSFET (Metalloxid) | 25W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 12.1a | 85mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8nc @ 10v | 250pf @ 50V | - - - | |||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | 1.5200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4410 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ4410EY-T1_BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2385 PF @ 25 V. | - - - | 5W (TC) |
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