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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2323CDS-T1-GE3 | 0,7500 |  | 6436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1090 PF @ 10 V. | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||
 | SIRA22DP-T1-RE3 | 0,5977 | | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira22 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,76 MOHM @ 15a, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | +16 V, -12v | 7570 PF @ 10 V | - - - | 83.3W (TC) | |||||
 | SI1302DL-T1-E3 | 0,4400 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 600 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 480MOHM @ 600 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||
 | SIJH5700E-T1-GE3 | 6.5400 | | 8533 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 17a (ta), 174a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 7500 PF @ 75 V | - - - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | SIHF28N60EF-GE3 | 3.3075 | | 4560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF28 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2714 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
| SI7886ADP-T1-GE3 | - - - | | 3546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 6450 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
 | IRF640Strl | - - - | | 4966 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | ||||
 | SUP45P03-09-GE3 | - - - | | 2149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 30 v | 45a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 15 V | - - - | 73,5W (TC) | ||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | 1.0700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SQJ202EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ202 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 12V | 20a, 60a | 6,5 MOHM @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 975PF @ 6v | - - - | |||||||
 | IRF840PBF | 1.9400 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF840PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
| SI7461DP-T1-E3 | 2.4000 | | 1301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7461 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14,5 MOHM @ 14,4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SUV85N10-10-E3 | - - - | | 1250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUV85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.5Mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6550 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 250 W (TC) | ||||
| IRFBC30STRLPBF | 2.9100 | | 52 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | IRF744L | - - - | | 9534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF744 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF744L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 8.8a (TC) | 10V | 630mohm @ 5.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
| IRFBC40A | - - - | | 5275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC40A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
 | SI4228DY-T1-GE3 | 0,8700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4228 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 18mohm @ 7a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 25nc @ 10v | 790pf @ 12.5V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SUD40N04-10A-E3 | - - - | | 4825 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 40a, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | ||||
 | IRFR9024TRRPBF | - - - | | 4463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SISS40DN-T1-GE3 | 0,5292 | | 3401 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS40 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 36,5a (TC) | 6 V, 10V | 21mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRFBC40ASTRL | - - - | | 3669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
| SI2377EDS-T1-GE3 | 0,4400 | | 7653 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2377 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.4a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 61Mohm @ 3,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 21 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1,25W (TA), 1,8W (TC) | |||||
| SI2333CDS-T1-E3 | 0,6200 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 7.1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 35mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1225 PF @ 6 V | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||
| IRFR9010PBF | 1.0600 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||
| IRF620Strl | - - - | | 3842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) | ||||
 | SI5908DC-T1-GE3 | 1.3900 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5908 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHP21N60EF-GE3 | 4.0000 | | 9034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHP21N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2030 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||
| IRF840Strr | - - - | | 3701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI3454ADV-T1-GE3 | - - - | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
| IRF7822TRR | - - - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IRF7822 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (ta) | 4,5 v | 6,5 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 60 NC @ 5 V | ± 12 V | 5500 PF @ 16 V | - - - | 3.1W (TA) |
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