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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR210TR | - - - |  | 5022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||
 | SQP50N06-09L_GE3 | - - - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 3065 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||
 | SI1022R-T1-GE3 | 0,6300 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1022 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 330 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,25OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||
 | 2N4860JTXV02 | - - - | | 2023 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4860 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||
 | SIHA11N80E-GE3 | 3.5400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 440MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1670 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | |||
 | SQ2361ES-T1_BE3 | 0,6300 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 177mohm @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 30 V | - - - | 2W (TC) | ||||
 | SUD17N25-165-E3 | - - - | | 1751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud17 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 17a (TC) | 10V | 165mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1950 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | ||
 | SIR864DP-T1-GE3 | - - - | | 8959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir864 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 2460 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 54W (TC) | |||
 | IRF830Strl | - - - | | 8468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||
| Irlz14strr | - - - | | 2581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||
| SIHD3N50D-E3 | 0,3563 | | 9541 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||
 | IRFD9123PBF | - - - | | 3308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9123 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 1a (ta) | 600mohm @ 600 mA, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | 390 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SIA437DJ-T1-GE3 | 0,6900 | | 2425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA437 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 29.7a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 14,5 MOHM @ 8A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 90 nc @ 8 v | ± 8 v | 2340 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||
| IRFR214TRPBF | 1.4500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | IRF840 | - - - | | 2932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||
 | SI4654DY-T1-GE3 | - - - | | 7223 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4654 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 28,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 16 v | 3770 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,9W (TC) | ||
| IRFZ44PBF | 2.0400 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFZ44PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||
 | SIR500DP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 85,9a (TA), 350,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,47 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 8960 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 104,1W (TC) | |||
| SQP120N10-3M8_GE3 | - - - | | 5436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP120 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 10V | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7230 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||
| SUD50N04-16P-E3 | - - - | | 6664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 9,8a (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 16 v | 1655 PF @ 20 V | - - - | 3.1W (TA), 35,7W (TC) | ||
| Sira52DP-T1-RE3 | 0,5600 | | 2336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira52 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 7150 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | ||||
 | SIS439DNT-T1-GE3 | - - - | | 2883 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SIS439 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 14a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2135 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52,1W (TC) | |||
 | IRFPF30 | - - - | | 6955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPF30 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPF30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 2,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |
| IRF9Z30 | - - - | | 2157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 50 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 9.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |
 | SQ4153EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 6784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4153 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 12 v | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 8.32mohm @ 14a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 151 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 11000 PF @ 6 V | - - - | 7.1W (TC) | ||||
 | SIHJ7N65E-T1-GE3 | 1.1737 | | 7081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sihj7 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 7.9a (TC) | 10V | 598mohm @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 96W (TC) | |||
 | IRL520L | - - - | | 7430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRL520 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL520L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 5,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |
| IRFR9214TRL | - - - | | 6458 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||
 | SIS126DN-T1-GE3 | 0,9500 | | 9191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS126 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 12A (TA), 45,1a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 10.2mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1402 PF @ 40 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||
| IRFBC40As | - - - | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC40AS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) |
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