- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1905DL-T1-E3 | - - - |  | 7024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1905 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 570 Ma | 600MOHM @ 570 Ma, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 2.3nc @ 4.5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SUD35N10-26P-GE3 | 2.1700 | | 90 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud35 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 35a (TC) | 7v, 10V | 26mohm @ 12a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 2000 PF @ 12 V | - - - | 8.3W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SI1021R-T1-GE3 | 0,5500 | | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1021 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 190 ma (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,7 NC @ 15 V | ± 20 V | 23 PF @ 25 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||||
 | SQM120N03-1M5L_GE3 | 3.8200 | | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 30 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 15605 PF @ 15 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SISS10ADN-T1-GE3 | 0,9600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS10 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 31.7a (TA), 109a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3030 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SI7413DN-T1-GE3 | - - - | | 3638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8.4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 15mohm @ 13.2a, 4,5 V. | 1V @ 400 ähm | 51 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SQJQ404E-T1_GE3 | 2.8100 | | 5732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ404 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1,72 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 16480 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
 | SIHA240N60E-GE3 | 2.9600 | | 9526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha240 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 783 PF @ 100 V | - - - | 31W (TC) | |||||
 | SIHP11N80E-GE3 | 3.5300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 440MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1670 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||||
| SI7112DN-T1-GE3 | 1.7500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 17,8a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SI4933DY-T1-E3 | - - - | | 3964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9,8a, 4,5 V. | 1V @ 500 ähm | 70NC @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia921 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 59mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFD224PBF | 1.4900 | | 2298 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD224 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD224PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 630 Ma (TA) | 10V | 1,1OHM @ 380 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||
 | IRFL210TRPBF-BE3 | 0,8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl210 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFL210TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 960 Ma (TC) | 1,5OHM @ 580 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
| SI4226DY-T1-E3 | - - - | | 2590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4226 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 19,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 36nc @ 10v | 1255PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SQP90P06-07L_GE3 | - - - | | 6256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 14280 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||
 | SIR680ADP-T1-RE3 | 2.3400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir680 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30,7a (TA), 125A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,88 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 83 NC @ 10 V | ± 20 V | 4415 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | SI1051X-T1-GE3 | - - - | | 2469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1051 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 122mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 9.45 NC @ 5 V | ± 5 V | 560 PF @ 4 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SI2301BDS-T1-E3 | 0,4600 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2301 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.2a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 375 PF @ 6 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
 | SI5915DC-T1-E3 | - - - | | 6494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5915 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 3.4a | 70 MOHM @ 3,4A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 9nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4620DY-T1-E3 | - - - | | 9669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4620 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta), 7,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 1040 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SI6473DQ-T1-GE3 | - - - | | 3301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6473 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 12,5 MOHM @ 9,5A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 70 NC @ 5 V. | ± 8 v | - - - | 1.08W (TA) | |||||
| SIR104DP-T1-RE3 | 2.4900 | | 1220 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir104 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 18,3a (TA), 79a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 6.4mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 4230 PF @ 50 V | - - - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
 | SISS98DN-T1-GE3 | 1.0800 | | 3279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SISS98 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 14.1a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 105mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 608 PF @ 100 V | - - - | 57W (TC) | |||||
| SI4401BDY-T1-GE3 | 1.9500 | | 9135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 8.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 55 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SI7818DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7818 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 2.2a (TA) | 6 V, 10V | 135mohm @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | IRF730SPBF | 1.1708 | | 4448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF730SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | 3N164 | - - - | | 4665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | - - - | MOSFET (Metalloxid) | To-72 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | P-Kanal | 30 v | 50 mA (ta) | 20V | 300ohm bei 100 ua, 20 V. | 5 V @ 10 µA | ± 30 v | 3,5 PF @ 15 V | - - - | 375 MW (TA) | |||||
 | IRLZ14PBF | 1.1100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLZ14PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||
 | Irfi720g | - - - | | 5880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI720 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi720g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 2.6a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)