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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUM47N10-24L-E3 | - - - |  | 7940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum47 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 47a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 40A, 10V | 3v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 136W (TC) | ||||
 | IRLR024 | - - - | | 5543 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRLR024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | IRFL210PBF | - - - | | 1779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl210 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 200 v | 960 Ma (TC) | 10V | 1,5OHM @ 580 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | Sia911edj-t1-GE3 | - - - | | 8750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia911 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 101mohm @ 2,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11nc @ 8v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFI9Z24GPBF | 2.6600 | | 1536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9Z24GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 8.5a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 5.1A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
 | SI7358ADP-T1-E3 | - - - | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7358 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 23a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4650 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
 | Irf614strl | - - - | | 8666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF614 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||
| Irll014 | - - - | | 4261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irll014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irll014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-Kanal | 60 v | 2.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||
 | IRLU014PBF | 1.2900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU014 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLU014PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
| Irfr310 | - - - | | 3591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfr310 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | SQS482en-T1_BE3 | 0,9100 | | 7825 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sqs482en-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 16.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1865 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) | ||||||
| SIHB20N50E-GE3 | 3.2800 | | 6792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 19A (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 92 NC @ 10 V | ± 30 v | 1640 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | SI4488DY-T1-E3 | 2.2500 | | 983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4488 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 3,5a (TA) | 10V | 50mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||
 | SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | | 3235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie812 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | ± 20 V | 8300 PF @ 20 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
| IRFR010PBF | 1.4700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFR010PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||
 | SUD50P10-43-E3 | - - - | | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 38a (TC) | 10V | 43mohm @ 9.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 5230 PF @ 50 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||
| IRFR1N60ATRRPBF | - - - | | 3189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||
 | SQJ443EP-T1_BE3 | 1.4100 | | 4778 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ443EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | 2030 PF @ 20 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
| SI4196DY-T1-E3 | - - - | | 9485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4196 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 22 NC @ 8 V | ± 8 v | 830 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA), 4,6W (TC) | ||||
 | Irfz48l | - - - | | 4864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irfz48 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfz48l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 190 W (TC) | ||||
| IRFL214TRPBF | 1.4000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl214 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 790 Ma (TC) | 10V | 2OHM @ 470 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
| SI4890BDY-T1-GE3 | - - - | | 5032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4890 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 25 V | 1535 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
| IRFR120TRRPBF | 0,6733 | | 5467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| SQM110P04-04L-GE3 | - - - | | 4477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM110p | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 13980 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) | ||||
| IRFL9014 | - - - | | 1285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFL9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||
 | IRF9Z34 | - - - | | 5320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z34 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||
| SI7454DP-T1-GE3 | 1.0773 | | 4952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 5a (ta) | 6 V, 10V | 34mohm @ 7.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SQP60N06-15_GE3 | - - - | | 6801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 56a (TC) | 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2480 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | ||||||
 | SQJA84EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja84 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 46a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 55W (TC) | |||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4917 | MOSFET (Metalloxid) | 5W (TC) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 8a (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | 1910pf @ 30v | - - - |
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