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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHG17N60D-GE3 | 2.4665 |  | 5395 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG17 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340Mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 30 v | 1780 PF @ 100 V | - - - | 277,8W (TC) | |||||
 | IRFR9024TR | - - - | | 2242 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SI7904DN-T1-GE3 | - - - | | 7903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7904 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 5.3a | 30mohm @ 7.7a, 4,5 V. | 1V @ 935 µA | 15nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFP460A | - - - | | 5143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 30 v | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
 | SI8851EDB-T2-E1 | 0,6200 | | 7006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 30-xfbga | SI8851 | MOSFET (Metalloxid) | Power Micro Foot® (2,4x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.7a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 180 nc @ 8 v | ± 8 v | 6900 PF @ 10 V. | - - - | 660 MW (TA) | ||||
 | SQ4850EY-T1_GE3 | 1.3700 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4850 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 6a, 5V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 25 V. | - - - | 6.8W (TC) | |||||
 | SISH434DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH434 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 17,6a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,6 MOHM @ 16,2a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1530 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFI9520GPBF | 2.5000 | | 7933 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9520GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 5.2a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
| SIHG70N60EF-GE3 | 8.8305 | | 3473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG70 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 70a (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 380 nc @ 10 v | ± 30 v | 7500 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | IRF9530strr | - - - | | 2934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 12a (TC) | 10V | 300MOHM @ 7.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | Sum70040m-GE3 | 3.0600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | Sum70040 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5100 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | |||||
| SI4154DY-T1-GE3 | 1.4900 | | 9625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4154 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 4230 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | SI1065X-T1-E3 | - - - | | 8941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1065 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 1.18a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 156mohm @ 1,18a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 10.8 NC @ 5 V. | ± 8 v | 480 PF @ 6 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SI7846DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 4a (ta) | 10V | 50mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI1404BDH-T1-GE3 | - - - | | 3173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1404 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,9a (TA), 2,37A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 238mohm @ 1,9a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 2,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 100 PF @ 15 V | - - - | 1,32W (TA), 2,28W (TC) | ||||
| IRF830STRLPBF | 2.3800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||
 | Sira88DP-T1-GE3 | 0,4900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira88 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 45,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,7 MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 4,5 V. | +20V, -16v | 985 PF @ 15 V | - - - | 25W (TC) | |||||
| SI1036X-T1-GE3 | 0,4200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1036 | MOSFET (Metalloxid) | 220 MW | SC-89-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 610 Ma (TA) | 540MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 36PF @ 15V | - - - | |||||||
| SI7748DP-T1-GE3 | - - - | | 8478 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7748 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 15a, 10V | 2,7 V @ 1ma | 92 NC @ 10 V | ± 20 V | 3770 PF @ 15 V | - - - | 4,8W (TA), 56W (TC) | |||||
 | SI2366D-T1-BE3 | 0,4600 | | 8433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2366D-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA), 5,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 335 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 2,1W (TC) | ||||||
 | SI4310BDY-T1-E3 | - - - | | 6530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4310 | MOSFET (Metalloxid) | 1.14W, 1.47W | 14-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 7,5a, 9,8a | 11mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 18nc @ 4,5 v | 2370PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI1069X-T1-GE3 | - - - | | 1073 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1069 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 940 Ma (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 184mohm @ 940 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6,86 NC @ 5 V. | ± 12 V | 308 PF @ 10 V | - - - | 236 MW (TA) | ||||
| SIR866DP-T1-GE3 | - - - | | 6025 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir866 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 107 NC @ 10 V | ± 20 V | 4730 PF @ 10 V. | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | Sia923edj-T4-GE3 | 0,6400 | | 3771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia923 | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W (TA), 7,8W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a (TA), 4,5a (TC) | 54mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 25nc @ 8v | - - - | - - - | |||||||
| IRFI540GPBF | 3.1800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI540GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | ||||
 | IRFD9020 | - - - | | 2528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9020 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD9020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,6a (ta) | 10V | 280 MOHM @ 960 mA, 10V | 4 V @ 1 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | |||
 | SI5513CDC-T1-E3 | 0,6200 | | 8418 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5513 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 4a, 3,7a | 55mohm @ 4,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.2nc @ 5v | 285PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI7946DP-T1-GE3 | - - - | | 4183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 2.1a | 150 MOHM @ 3,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFBC30ALPBF | 0,8678 | | 7403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBC30ALPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| IRF620Strr | - - - | | 8586 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) |
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