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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA950DJ-T1-GE3 | - - - |  | 3492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA950 | MOSFET (Metalloxid) | 7W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 190V | 950 Ma | 3,8ohm bei 360 mA, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 4,5nc @ 10v | 90PF @ 100V | Logikpegel -tor | |||||
 | SIE818DF-T1-GE3 | 1.9970 | | 1947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie818 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 38 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SUD50P04-13L-GE3 | - - - | | 8598 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3120 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 93,7W (TC) | |||
 | SI2327D-T1-GE3 | - - - | | 6148 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2327 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 380 Ma (TA) | 6 V, 10V | 2,35OHM @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 510 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | |||
| SI2343CDS-T1-GE3 | 0,6200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 4.2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 590 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | |||
 | SI3464DV-T1-GE3 | 0,6200 | | 143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3464 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 8 v | 1065 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA), 3,6 W (TC) | ||||
 | SI4823DY-T1-GE3 | - - - | | 4938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4823 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 108mohm @ 3,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 660 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,7W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
| SI4850EY-T1-GE3 | 1.7700 | | 558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4850 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.7W (TA) | |||||
 | SI5513CDC-T1-GE3 | 0,6200 | | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5513 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 4a, 3,7a | 55mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.2nc @ 5v | 285PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||
 | SI7236DP-T1-GE3 | - - - | | 3838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7236 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 60a | 5.2mohm @ 20.7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 105nc @ 10v | 4000PF @ 10V | - - - | ||||||
| SI7872DP-T1-GE3 | - - - | | 2380 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7872 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQJ465EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ465 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 85mohm @ 3,5a, 10 V, 1,17Mohm @ 20a, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1140 PF @ 30 V | - - - | 45W (TC) | ||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.4mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 10700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SQSA80ENW-T1_GE3 | 1.1100 | | 516 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQSA80 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1358 PF @ 40 V. | - - - | 62,5W (TC) | ||||
 | SUM90142E-GE3 | 3.2700 | | 8011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90142 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 90a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 15mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 3120 PF @ 100 V | - - - | 375W (TC) | ||||
 | SUP50020E-GE3 | 2.9300 | | 4691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP50020 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 128 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | Siha17n80e-e3 | 4.8600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2408 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
| SIS698DN-T1-GE3 | 0,3045 | | 2231 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis698 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 6.9a (TC) | 6 V, 10V | 195mohm @ 2,5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 210 PF @ 50 V | - - - | 19,8W (TC) | |||||
| SQ3457ev-T1_GE3 | 0,6900 | | 735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 705 PF @ 15 V | - - - | 5W (TC) | |||||
 | SQD100N04-3M6_GE3 | 1.6100 | | 5859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 3,6 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 6700 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
| SQD100N04-3M6L_GE3 | 1.6100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 3,6 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 6700 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | SQJ403EP-T1_GE3 | 1.5700 | | 819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ403 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 109 NC @ 10 V | ± 20 V | 4500 PF @ 15 V | - - - | 68W (TC) | ||||
| SQJ464EP-T1_GE3 | 1.0100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ464 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 7.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2086 PF @ 30 V | - - - | 45W (TC) | |||||
| SQP100N04-3M6_GE3 | - - - | | 7171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP100 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 3,6 MOHM @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 7200 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||
 | SQP120N06-6M7_GE3 | - - - | | 2740 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SQP120 | To-220ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 119a (TC) | |||||||||||||||||
| SQR40030ER_GE3 | 1.5700 | | 9416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-4, dpak (3 Leads + Tab) | SQR40030 | To-252 (dpak) Umgekehrter Bleii | - - - | 1 (unbegrenzt) | 0000.00.0000 | 2.000 | - - - | ||||||||||||||||||
 | SQV120N06-4M7L_GE3 | - - - | | 3592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | SQV120 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 230 NC @ 10 V. | ± 20 V | 8800 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SUM70101EL-GE3 | 4.2300 | | 6937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum70101 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.1Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7000 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | ||||
| SI3440ADV-T1-GE3 | 0,4700 | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3440 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 2.2a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 380MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 80 PF @ 75 V | - - - | 3.6W (TC) | ||||
| SI4848ADY-T1-GE3 | 0,6800 | | 9550 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4848 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 5.5a (TC) | 6 V, 10V | 84mohm @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 335 PF @ 75 V | - - - | 5W (TC) |
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