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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQA401CEJW-T1_GE3 | 0,4500 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.75a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 330 PF @ 10 V. | - - - | 13.6W (TC) | ||||||
 | SQJ488EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 4062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ488 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 7.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 979 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | |||||
 | SI4618DY-T1-GE3 | - - - | | 1471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4618 | MOSFET (Metalloxid) | 1,98W, 4,16W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8a, 15,2a | 17mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 44nc @ 10v | 1535PF @ 15V | - - - | |||||||
 | SIR4602LDP-T1-RE3 | 0,9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15,2a (TA), 52,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.8mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1185 PF @ 30 V | - - - | 3.6W (TA), 43W (TC) | ||||||
 | SQJ146ELP-T1_GE3 | 0,9400 | | 2030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ146 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ146ELP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 74a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1780 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | |||||
 | IRFBC20STRLPBF | 2.9100 | | 358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| SI4453DY-T1-GE3 | - - - | | 3197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4453 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 12 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 6,5 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 900 MV @ 600 ähm | 165 NC @ 5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SI2343DS-T1 | - - - | | 6118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 53mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SQJA66EP-T1_GE3 | 1.4400 | | 8768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja66 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 10V | 3mohm @ 10a, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 20 V | 5400 PF @ 25 V. | Standard | 68W (TC) | |||||
| SI9435BDY-T1-E3 | 0,8900 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||
 | SIHB30N60AEL-GE3 | 5.9500 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB30 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 120MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2565 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | IRFB9N60APBF-BE3 | 3.0800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFB9N60APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 750MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||||
 | SIHA11N80E-GE3 | 3.5400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 440MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1670 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | |||||
| SQM40010EL_GE3 | 2.9200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM40010 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 230 NC @ 10 V. | ± 20 V | 17100 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SI1307EDL-T1-E3 | - - - | | 9881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1307 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 850 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 290MOHM @ 1A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 290 MW (TA) | |||||
| SI4888DY-T1-E3 | - - - | | 7098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4888 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 16a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 24 nc @ 5 v | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SI3129DV-T1-GE3 | 0,6800 | | 9953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3129DV-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 3,8a (TA), 5,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 82.7mohm @ 3.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 805 PF @ 40 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | |||||
 | IRL530 | - - - | | 9746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL530 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4V, 5V | 160MOHM @ 9A, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||
| IRF510SRRPBF | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI7464DP-T1-GE3 | 1.8900 | | 8218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7464 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 1,8a (ta) | 6 V, 10V | 240 MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
 | SI1413EDH-T1-E3 | - - - | | 7428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1413 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 115mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 450 MV @ 100 UA (min) | 8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SI8800EDB-T2-E1 | 0,4700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8800 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8.3 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 500 MW (TA) | |||||
| IRF9510 | - - - | | 1283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9510 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 4a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||
| SIR4606DP-T1-GE3 | 1.2600 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 10.5a (TA), 16a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 4A, 10V | 4v @ 250 ähm | 13,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 30 V | - - - | 3,7W (TA), 31,2W (TC) | ||||||
 | SIHK185N60EF-T1GE3 | 4.6000 | | 9129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 1081 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
| SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4421 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,75 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 800 MV @ 850 ähm | 125 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SUD50N03-12P-GE3 | - - - | | 9132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 16,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
 | SQJA34EP-T1_GE3 | 1.1100 | | 4562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja34 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 4.3mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
| SI7886ADP-T1-E3 | - - - | | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 6450 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
| SI1401EDH-T1-GE3 | 0,4100 | | 8266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1401 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 34mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) |
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