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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFD9220PBF | 2.7600 |  | 2009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9220 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 200 v | 560 Ma (TA) | 10V | 1,5OHM @ 340 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SIHB10N40D-GE3 | 1.7100 | | 7918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB10 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||
 | Irfi9610g | - - - | | 3023 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9610 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9610g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 2a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||
| IRFD320 | - - - | | 6210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD320 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD320 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 400 V | 490 mA (TA) | 10V | 1,8OHM @ 210 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||
 | SI7846DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 4a (ta) | 10V | 50mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SIHF18N50D-E3 | 2.9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 18a (TC) | 10V | 280MOHM @ 9A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 30 v | 1500 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
 | SI1036X-T1-GE3 | 0,4200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1036 | MOSFET (Metalloxid) | 220 MW | SC-89-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 610 Ma (TA) | 540MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 36PF @ 15V | - - - | |||||||
 | IRFR1N60ATRPBF | 1.5500 | | 985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||||
 | SISH434DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH434 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 17,6a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,6 MOHM @ 16,2a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1530 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRLR024TR | - - - | | 9144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRFR9024TR | - - - | | 2242 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SI2366D-T1-BE3 | 0,4600 | | 8433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2366D-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA), 5,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 335 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 2,1W (TC) | ||||||
 | SI7904DN-T1-GE3 | - - - | | 7903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7904 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 5.3a | 30mohm @ 7.7a, 4,5 V. | 1V @ 935 µA | 15nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5484DU-T1-E3 | - - - | | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5484 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 16mohm @ 7,6a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 12 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | SI1404BDH-T1-GE3 | - - - | | 3173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1404 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,9a (TA), 2,37A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 238mohm @ 1,9a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 2,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 100 PF @ 15 V | - - - | 1,32W (TA), 2,28W (TC) | ||||
| IRFS11N50A | - - - | | 2267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFS11N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||
 | SI2315BDS-T1-GE3 | 0,6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2315 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 4,5 v | 50 MOHM @ 3,85a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 715 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | Sira88DP-T1-GE3 | 0,4900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira88 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 45,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,7 MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 4,5 V. | +20V, -16v | 985 PF @ 15 V | - - - | 25W (TC) | |||||
| IRF830STRLPBF | 2.3800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||
 | SIHD240N60E-GE3 | 2.5500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHD240 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 783 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
| IRFS11N50ATRL | - - - | | 4632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||
| IRFBE20S | - - - | | 2735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfbe20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfbe20S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 1,8a (TC) | 10V | 6,5OHM @ 1,1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
 | SI7425DN-T1-E3 | - - - | | 5366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7425 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 16mohm @ 12,6a, 4,5 V. | 1V @ 300 ähm | 39 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| IRLD120PBF | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRLD120 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLD120PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 100 v | 1,3a (ta) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 780 Ma, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||
| SQS401EN-T1_GE3 | - - - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1875 PF @ 20 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
 | SI8424CDB-T1-E1 | 0,6200 | | 4923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | SI8424 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 6.3a (ta) | 1,2 V, 4,5 V. | 20mohm @ 2a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 2340 PF @ 4 V. | - - - | 1,1W (TA), 2,7W (TC) | ||||
| IRL620Strl | - - - | | 4869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4 V, 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| SI1033X-T1-E3 | - - - | | 6318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 145 Ma | 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 1,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI3451DV-T1-GE3 | - - - | | 2430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3451 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 115mohm @ 2,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5.1 NC @ 5 V | ± 12 V | 250 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA), 2,1W (TC) | ||||
| SI7222DN-T1-E3 | - - - | | 7562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7222 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a | 42mohm @ 5.7a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 29nc @ 10v | 700PF @ 20V | - - - |
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