- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUM110P08-11-E3 | - - - |  | 5642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 80 v | 110a (TC) | 10V | 11.1Mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 11500 PF @ 40 V | - - - | 13,6 W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SIA450DJ-T1-E3 | - - - | | 7182 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 240 V | 1,52a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 2,9ohm @ 700 mA, 10 V | 2,4 V @ 250 ähm | 7.04 NC @ 10 V | ± 20 V | 167 PF @ 120 V | - - - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
 | Irf644nstrl | - - - | | 2203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 8.4a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 1060 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | SI7611DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 3561 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7611 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 9.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 1980 PF @ 20 V | - - - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SI9434BDY-T1-E3 | - - - | | 9597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9434 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | 2N7002-T1-GE3 | 0,4100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | To-236 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 115 Ma (TA) | 5v, 10V | 7.5OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 200 MW (TA) | |||||
 | SIHG22N60AE-GE3 | 4.0100 | | 5859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 1451 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | SIR418DP-T1-GE3 | 1.3500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir418 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 20a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2410 PF @ 20 V | - - - | 39W (TC) | |||||
 | 2N4860JTXL02 | - - - | | 7180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4860 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SI3459BDV-T1-E3 | 0,8300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3459 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2,9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 216mohm @ 2,2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 30 V | - - - | 3.3W (TC) | |||||
| SI4916DY-T1-E3 | - - - | | 8390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4916 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W, 3.5W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 10a, 10,5a | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS443 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11.7mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 4370 PF @ 20 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIHA22N60E-E3 | 3.9000 | | 4436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
| Sira14bdp-T1-GE3 | 0,5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 21a (Ta), 64a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.38MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 917 PF @ 15 V | - - - | 3.7W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SQM50028EM_GE3 | 3.0300 | | 742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | SQM50028 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 2mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 185 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11900 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
| SIHB065N60E-GE3 | 6.8400 | | 6078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB065 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 40a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 2700 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | IRLR024TR | - - - | | 9144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SI5905DC-T1-E3 | - - - | | 9289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5905 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 3a | 90 MOHM @ 3a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 9nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFPS37N50APBF | - - - | | 8060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS37 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPS37N50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 36a (TC) | 10V | 130MOHM @ 22A, 10V | 4v @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 30 v | 5579 PF @ 25 V. | - - - | 446W (TC) | ||||
 | SUP85N03-04P-E3 | - - - | | 2868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 30 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.3mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 166W (TC) | ||||
 | SQP100P06-9M3L_GE3 | - - - | | 5131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP100 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,3mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12010 PF @ 25 V. | - - - | 187W (TC) | ||||||
 | SIB433EDK-T1-GE3 | 0,5300 | | 7902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB433 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 58mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 21 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | ||||||
| SI2315BDS-T1-GE3 | 0,6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2315 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 4,5 v | 50 MOHM @ 3,85a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 715 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SQJ454EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 6267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ454 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 145mohm @ 7,5a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
| IRF710STRLPBF | 1.6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||
 | IRFD9220PBF | 2.7600 | | 2009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9220 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 200 v | 560 Ma (TA) | 10V | 1,5OHM @ 340 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||
| SI7425DN-T1-E3 | - - - | | 5366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7425 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 16mohm @ 12,6a, 4,5 V. | 1V @ 300 ähm | 39 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SQ2361ES-T1_GE3 | 0,6300 | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.8a (TC) | 10V | 177mohm @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 30 V | - - - | 2W (TC) | ||||||
 | SIRS4600DP-T1-RE3 | 3.7500 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 58a (TA), 334a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,2 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 162 NC @ 10 V | ± 20 V | 7655 PF @ 30 V | - - - | 7.4W (TA), 240W (TC) | ||||||
| SQJA62EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja62 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 5100 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)