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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Siz260DT-T1-GE3 | 1.2100 |  | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz260 | MOSFET (Metalloxid) | 4,3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 8,9a (TA), 24,7a (TC), 8,9a (TA), 24,6a (TC) | 24,5 MOHM @ 10a, 10 V, 24,7 MOHM @ 10A, 10 V | 2,4 V @ 250 ähm | 27nc @ 10v | 820pf @ 40V | - - - | |||||||
 | IRF9620Strr | - - - | | 3324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
 | SI4833BDY-T1-GE3 | - - - | | 1830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4833 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2,75W (TC) | |||||
 | SI8902EDB-T2-E1 | - - - | | 1454 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Mikro-Foot®csp | SI8902 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 6-micro foot ™ (2.36x1.56) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 3.9a | - - - | 1V @ 980 µA | - - - | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFI9Z34GPBF | 3.0900 | | 816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9Z34GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 10V | 140MOHM @ 7.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
 | SI6993DQ-T1-E3 | - - - | | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6993 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 3.6a | 31mohm @ 4.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFI9620G | - - - | | 5746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFI9620G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 340 PF @ 15 V | - - - | 30W (TC) | |||
 | SQD50N04-5M6L_GE3 | 1.3300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | ||||||
| IRFI730GPBF | 2.1600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI730 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI730GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 3.7a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||
| IRF740aStrrpbf | 1.8357 | | 5204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1030 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | IRFL9014PBF | - - - | | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SI8424DB-T1-E1 | - - - | | 6622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8424 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 12,2a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 31mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1950 PF @ 4 V. | - - - | 2,78W (TA), 6,25W (TC) | ||||
 | IRFPS30N60KPBF | - - - | | 7510 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | IRFPS30 | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPS30N60KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 190mohm @ 18a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 30 v | 5870 PF @ 25 V. | - - - | 450W (TC) | |||
 | SI7450DP-T1-GE3 | 2.9000 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.2a (ta) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| IRll1905TR | - - - | | 7411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRll1905 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 1,6a (ta) | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
| IRFL9014TR | - - - | | 7049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
| Irfiz34gpbf | 2.8500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfiz34 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irfiz34gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 10V | 50mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
| IRLIZ44GPBF | 2.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irliz44 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLIZ44GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 3300 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | ||||
| SIR788DP-T1-GE3 | - - - | | 1740 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir788 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,4mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 2873 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
| IRF9Z24S | - - - | | 3563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z24S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||
 | SI1058X-T1-E3 | - - - | | 8333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1058 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 91MOHM @ 1,3a, 4,5 V. | 1,55 V @ 250 ähm | 5,9 NC @ 5 V. | ± 12 V | 380 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | IRL620 | - - - | | 6237 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL620 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 3.1a, 5V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||
 | 2N6661-e3 | - - - | | 5595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6661 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 90 v | 860 mA (TC) | 5v, 10V | 4OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
| IRF9520PBF | 1.2900 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9520PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||
 | SUM50P10-42-E3 | - - - | | 1570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum50 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 18.8W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI8424CDB-T1-E1 | 0,6200 | | 4923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | SI8424 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 6.3a (ta) | 1,2 V, 4,5 V. | 20mohm @ 2a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 2340 PF @ 4 V. | - - - | 1,1W (TA), 2,7W (TC) | ||||
 | SQJ422EP-T1_GE3 | 1.6900 | | 1755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ422 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 74a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,4mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4660 PF @ 20 V | - - - | 83W (TC) | |||||
| IRL540PBF | 2.5100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRL540PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | SI3455ADV-T1-E3 | - - - | | 8487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3455 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 100mohm @ 3,5a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | IRFR320TRPBF | 1.3000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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