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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD50N02-06P-GE3 | - - - |  | 2065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Sud50 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | IRF510STRLPBF | 1.4900 | | 320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||||
 | SI1426DH-T1-E3 | - - - | | 1104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1426 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1W (TA) | |||||
| IRF510S | - - - | | 2862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF510S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||
 | IRFL214TRPBF-BE3 | 1.4200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl214 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 790 Ma (TC) | 10V | 2OHM @ 470 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SI2303BDS-T1-E3 | - - - | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.49a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 180 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
 | SI7909DN-T1-E3 | - - - | | 1916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 5.3a | 37mohm @ 7.7a, 4,5 V. | 1V @ 700 ähm | 24nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI7148DP-T1-E3 | 2.4500 | | 6444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7148 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 35 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
 | SIHF22N60E-E3 | 1.8728 | | 5341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHF22N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | 1920 PF @ 100 V | - - - | ||||||||
| IRF740LCSTRL | - - - | | 6703 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||
 | SI3454ADV-T1-E3 | - - - | | 5088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | IRFP22N50A | - - - | | 2680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP22N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 230mohm @ 13a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 3450 PF @ 25 V. | - - - | 277W (TC) | |||
| SI3951DV-T1-GE3 | - - - | | 7117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3951 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.7a | 115mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5.1nc @ 5v | 250pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFB13N50APBF | 3.5000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB13 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 450MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 30 v | 1910 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SI7404DN-T1-E3 | - - - | | 7311 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7404 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8.5a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 13mohm @ 13.3a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SQS405CENW-T1_GE3 | 0,7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 16a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 15mohm @ 13,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 81 nc @ 8 v | ± 8 v | 3050 PF @ 6 V | - - - | 39W (TC) | ||||||
 | SI7964DP-T1-GE3 | - - - | | 3188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7964 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.1a | 23mohm @ 9.6a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 65nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||
| SI7407DN-T1-E3 | - - - | | 8034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 9,9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 12mohm @ 15,6a, 4,5 V. | 1V @ 400 ähm | 59 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI7790DP-T1-GE3 | - - - | | 2682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7790 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 25 V | 4200 PF @ 20 V | - - - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | IRFR020TRPBF | 1.6800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRFR110TRR | - - - | | 2423 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | IRFI540G | - - - | | 3101 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi540g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||
 | SIA913ADJ-T1-GE3 | 0,6200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia913 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 61Mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 20nc @ 8v | 590pf @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI6465DQ-T1-E3 | - - - | | 1495 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6465 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 8.8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 12mohm @ 8,8a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| IRFB18N50KPBF | 5.0500 | | 1854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFB18N50KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 17a (TC) | 10V | 290MOHM @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2830 PF @ 25 V. | - - - | 220W (TC) | ||||
| IRFBG30 | - - - | | 3844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBG30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBG30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 1000 v | 3.1a (TC) | 10V | 5ohm @ 1,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 980 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
| SIR872ADP-T1-GE3 | 1,8000 | | 2033 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 53,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 18MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 1286 PF @ 75 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SIA106DJ-T1-GE3 | 0,8800 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | Sia106 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 10a (ta), 12a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 4A, 10V | 4v @ 250 ähm | 13,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 30 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SI4948BEY-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4948 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 2.4a | 120 MOHM @ 3.1a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 22nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI1967DH-T1-GE3 | 0,4100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.3a | 490MOHM @ 910 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4nc @ 8v | 110pf @ 10v | Logikpegel -tor |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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