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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQS423en-T1_BE3 | 0,9400 |  | 9771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS423 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | - - - | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1975 PF @ 15 V | - - - | 62,5W (TC) | ||||||||||
 | SI2307CDS-T1-BE3 | 0,5100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2307 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,7a (TA), 3,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 88mohm @ 3,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 340 PF @ 15 V | - - - | 1,1W (TA), 1,8W (TC) | ||||||||
 | SIHP21N60EF-BE3 | 2.9200 | | 4159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2030 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||||||
| SI2304DDS-T1-BE3 | 0,4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2304 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI2304DDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,3a (TA), 3,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 3.2a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 6.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 235 PF @ 15 V | - - - | 1,1W (TA), 1,7W (TC) | |||||||
 | SI1539CDL-T1-BE3 | 0,4300 | | 6787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (Metalloxid) | 290 MW (TA), 340 MW (TC) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1539CDL-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 700 Ma (TA), 700 Ma (TC), 400 Ma (TA), 500 Ma (TC) | 388MOHM @ 600 mA, 10V, 890MOHM @ 400 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1,5nc @ 10v, 3nc @ 10v | 28pf @ 15V, 34PF @ 15V | - - - | |||||||||
| IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||||
 | SIHK125N60E-T1-GE3 | 5.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1811 PF @ 100 v | - - - | 132W (TC) | |||||||||
| IRFZ20PBF-BE3 | 1,9000 | | 657 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFZ20PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 50 v | 15a (TC) | 100mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||||
| SI2319CDS-T1-BE3 | 0,5700 | | 216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 3,1a (TA), 4,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 77mohm @ 3.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 595 PF @ 20 V | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||||||
 | SIHP085N60EF-GE3 | 5.9900 | | 4348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP085 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHP085N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2733 PF @ 100 V | - - - | 184W (TC) | |||||||
 | SQS460CENW-T1_GE3 | 0,8000 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS460 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQS460Cenw-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 5.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 580 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||||||
 | SQA470CEJW-T1_GE3 | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.25a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 440 PF @ 20 V | - - - | 13.6W (TC) | |||||||||
 | SQ3426aeev-t1_Be3 | 0,7100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3426 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | |||||||||
 | SI7224DN-T1-GE3 | - - - | | 9964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7224 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W, 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14.5nc @ 10v | 570PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SQJ488EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 4062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ488 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 7.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 979 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | ||||||||
| SI7620DN-T1-GE3 | - - - | | 9098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7620 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 13a (TC) | 10V | 126mohm @ 3,6a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 600 PF @ 75 V | - - - | 3,8 W (TA), 5,2W (TC) | |||||||
 | SUD50P10-43L-GE3 | 2.6500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 37,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 9.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
 | SI4423DY-T1-GE3 | 1.2191 | | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4423 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 7,5 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 900 MV @ 600 ähm | 175 NC @ 5 V | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||
 | SIR108DP-T1-RE3 | 1.7100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,4a (TA), 45A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 41,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2060 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
 | IRF630Strl | - - - | | 2493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||||
| SI7848DP-T1-E3 | - - - | | 5191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7848 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 10.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,83W (TA) | ||||||||
| SI4484EY-T1-GE3 | - - - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4484 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 4.8a (TA) | 6 V, 10V | 34mohm @ 6.9a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||||
 | SUD50N04-8M8P-4GE3 | 1.2900 | | 3233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 14A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,8 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 20 V | - - - | 3,1W (TA), 48,1W (TC) | ||||||||
 | Irfl210 | - - - | | 4066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl210 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfl210 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-Kanal | 200 v | 960 Ma (TC) | 10V | 1,5OHM @ 580 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
 | IRF9510 | - - - | | 1283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9510 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 4a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
| SI4952DY-T1-GE3 | - - - | | 8181 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4952 | MOSFET (Metalloxid) | 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 23mohm @ 7a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 18nc @ 10v | 680pf @ 13v | Logikpegel -tor | |||||||||
| SIHP22N60E-E3 | 2.1315 | | 5738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP22N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||||
| SI4403CDY-T1-GE3 | 0,7900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4403 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 13,4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 15,5 MOHM @ 9A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 90 nc @ 8 v | ± 8 v | 2380 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TC) | ||||||||
| SST4416-T1-E3 | - - - | | 4154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST4416 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 2.2pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 V | 3 V @ 1 na | |||||||||||||
| SI3424BDV-T1-GE3 | 0,6200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 735 PF @ 15 V | - - - | 2,1W (TA), 2,98W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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