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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFZ20PBF-BE3 | 1,9000 |  | 657 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfz20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFZ20PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 50 v | 15a (TC) | 100mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||
| IRF510PBF-BE3 | 1.1200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF510PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
 | SIE806DF-T1-GE3 | - - - | | 8509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie806 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 25a, 10V | 2v @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 12 V | 13000 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIRS4600DP-T1-RE3 | 3.7500 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 58a (TA), 334a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,2 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 162 NC @ 10 V | ± 20 V | 7655 PF @ 30 V | - - - | 7.4W (TA), 240W (TC) | ||||||
 | SIJH5100E-T1-GE3 | 6.0000 | | 8964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 28a (TA), 277a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,89mohm @ 20a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 128 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 50 V | - - - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | SI4814BDY-T1-E3 | - - - | | 2310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4814 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W, 3.5W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 10a, 10,5a | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI2333DDS-T1-GE3 | 0,4200 | | 8990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 8 v | 1275 PF @ 6 V. | - - - | 1,2W (TA), 1,7W (TC) | ||||
| SI4831BDY-T1-E3 | - - - | | 7710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 6.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 625 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,3 W (TC) | ||||
 | SQ1539EH-T1_GE3 | 0,7600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SQ1539 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 850 Ma (TC) | 280MOHM @ 1A, 10V, 940MOHM @ 500 Ma, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 4,5V, 1,6nc @ 4,5 V. | 48PF @ 15V, 50pf @ 15V | - - - | |||||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | 1.0500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4064 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,8 MOHM @ 6.1A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 2096 PF @ 25 V. | - - - | 6.8W (TC) | ||||||
 | SIHP8N50D-E3 | 1.7300 | | 6384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SIA483DJ-T1-GE3 | 0,5100 | | 118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA483 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1550 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SI1058X-T1-E3 | - - - | | 8333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1058 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 91MOHM @ 1,3a, 4,5 V. | 1,55 V @ 250 ähm | 5,9 NC @ 5 V. | ± 12 V | 380 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SQJQ140E-T1_GE3 | 3.4200 | | 215 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 701a (TC) | 10V | 0,53 MOHM @ 20A, 10 V. | 3,3 V @ 250 ähm | 288 NC @ 10 V | ± 20 V | 17000 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | ||||||
 | SI7218DN-T1-GE3 | - - - | | 3490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7218 | MOSFET (Metalloxid) | 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 24a | 25mohm @ 8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 700PF @ 15V | - - - | |||||||
| SI4472DY-T1-E3 | - - - | | 1495 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4472 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 7.7a (TC) | 8 V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1735 PF @ 50 V | - - - | 3.1W (TA), 5,9W (TC) | |||||
 | SISH112DN-T1-GE3 | 1.4900 | | 8296 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 17,8a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TC) | |||||
 | SIR410DP-T1-GE3 | 1.0700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir410 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SI5975DC-T1-GE3 | - - - | | 1962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5975 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 3.1a | 86mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 450 mV @ 1ma (min) | 9nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1410EDH-T1-E3 | - - - | | 4328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1410 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2,9a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 70 MOHM @ 3,7A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1W (TA) | |||||
| SUP70060E-GE3 | 2.0800 | | 4366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP70060 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 131a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 3330 PF @ 50 V | - - - | 200W (TC) | |||||
 | SQS180Enw-t1_GE3 | 1.0600 | | 9668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 72a (TC) | 10V | 8.67Mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 3092 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | ||||||||
 | SUM25P10-138-E3 | - - - | | 5340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum25 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 16,7a (TC) | 6 V, 10V | 13,8 MOHM @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2110 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 88,2W (TC) | |||||
 | IRFU020 | - - - | | 1579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | Irfibe20GPBF | 2.9500 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibe20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 1.4a (TC) | 10V | 6,5 Ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||||
 | Sihu6n80e-GE3 | 2.3400 | | 1499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab | Sihu6 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
 | SQJ409EP-T1_BE3 | 1.4900 | | 1565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ409EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 11000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SI7104DN-T1-E3 | 0,9923 | | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7104 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 35a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,7 MOHM @ 26,1a, 4,5 V. | 1,8 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 12 V | 2800 PF @ 6 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI7148DP-T1-E3 | 2.4500 | | 6444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7148 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 35 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
 | SIHH150N60E-T1-GE3 | 5.3800 | | 6149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH150 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1514 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) |
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