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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7620DN-T1-GE3 | - - - |  | 9098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7620 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 13a (TC) | 10V | 126mohm @ 3,6a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 600 PF @ 75 V | - - - | 3,8 W (TA), 5,2W (TC) | ||||
 | SUD50P10-43L-GE3 | 2.6500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 37,1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 9.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4600 PF @ 50 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SI7456CDP-T1-GE3 | 1.6700 | | 3200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 27,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 730 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 35,7W (TC) | |||||
 | SUD70090E-GE3 | 1.5800 | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD70090 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 50a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1950 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SI7270DP-T1-GE3 | - - - | | 2475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7270 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 21nc @ 10v | 900PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | Sia914dj-t1-e3 | - - - | | 5141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia914 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 53mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.5nc @ 8v | 400PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF9Z34StrRPBF | 2.8100 | | 408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9Z34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| SI7317DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7317 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 2.8a (TC) | 6 V, 10V | 1,2OHM @ 500 mA, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 9.8 NC @ 10 V. | ± 30 v | 365 PF @ 75 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||
| IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
 | SI8407DB-T2-E1 | - - - | | 5162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Mikro-Foot®csp | SI8407 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Foot ™ (2,4x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 1a, 4,5 V. | 900 MV @ 350 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.47W (TA) | |||||
 | SI3445ADV-T1-GE3 | - - - | | 8634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 4,4a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 42mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRFIBC40G | - - - | | 4175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibc40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfibc40g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,1A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
| SIS414DN-T1-GE3 | - - - | | 8432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 16mohm @ 10a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 12 V | 795 PF @ 15 V | - - - | 3.4W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SIHG47N65E-GE3 | 8.0800 | | 5833 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG47 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 24a, 10V | 4v @ 250 ähm | 273 NC @ 10 V | ± 30 v | 5682 PF @ 100 V | - - - | 417W (TC) | |||||
 | SQJ403BEEP-T1_BE3 | 1.6000 | | 7997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sqj403beep-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 164 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 68W (TC) | |||||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | 0,9600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis890 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7,6a (TA), 24,7a (TC) | 25,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1330 PF @ 50 V | - - - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||||
 | SI4626ADY-T1-GE3 | 0,9923 | | 4355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4626 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 5370 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| SI4831BDY-T1-E3 | - - - | | 7710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 6.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 625 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,3 W (TC) | ||||
| SI4835DDY-T1-E3 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4835 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 25 V | 1960 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,6W (TC) | |||||
 | SIJA58DP-T1-GE3 | 0,4092 | | 3967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija58 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3750 PF @ 20 V | - - - | 27.7W (TC) | |||||
 | SI7450DP-T1-RE3 | 1.0516 | | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SI7450 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3,2a (TA), 19,8a (TC) | |||||||||||||||||||||
| SI7788DP-T1-GE3 | 1.3183 | | 3551 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7788 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,1 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 5370 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
| SI4823DY-T1-E3 | - - - | | 4254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4823 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 108mohm @ 3,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 660 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,7W (TA), 2,8 W (TC) | |||||
| SI4544DY-T1-GE3 | - - - | | 1086 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4544 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 30V | - - - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 35nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4864DY-T1-GE3 | 4.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4864 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,5 MOHM @ 25A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SI1480DH-T1-GE3 | 0,5100 | | 2193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1480 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 2.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5 NC @ 10 V | ± 20 V | 130 PF @ 50 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
| SIHD7N60ET4-GE3 | 0,8080 | | 2938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd7 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 680 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||
 | SI8466EDB-T2-E1 | 0,5100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | SI8466 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 3.6a (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 43mohm @ 2a, 4,5 V. | 700 MV @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 710 PF @ 4 V. | - - - | 780 MW (TA), 1,8W (TC) | ||||
| SIR188DP-T1-RE3 | 1,5000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir188 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 25,5a (TA), 60A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 3,85 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1920 PF @ 30 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
| SI7946ADP-T1-GE3 | 1.0322 | | 7895 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7946 | MOSFET (Metalloxid) | 19.8W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 150 v | 7.7a (TC) | 186mohm @ 3a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 6,5nc @ 7,5V | 230pf @ 75V | - - - |
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