- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFBC30Strr | - - - |  | 7456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||||
 | SIR108DP-T1-RE3 | 1.7100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,4a (TA), 45A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 41,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2060 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
 | SIS438DN-T1-GE3 | 0,8500 | | 67 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS438 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 880 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 27,7W (TC) | ||||||||
| Irfz44strr | - - - | | 7485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||||
 | SI3424BDV-T1-GE3 | 0,6200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 735 PF @ 15 V | - - - | 2,1W (TA), 2,98W (TC) | ||||||||
 | IRFRC20TRR | - - - | | 8064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||||
 | IRFU020 | - - - | | 1579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
| SI7148DP-T1-GE3 | 2.9200 | | 6835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7148 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 28a (TC) | 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 35 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||||||
 | SUD50P04-13L-E3 | - - - | | 2282 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3120 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 93,7W (TC) | |||||||
 | IRFI9640G | - - - | | 8733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9640g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 6.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.7a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||
| SI7454DP-T1-GE3 | 1.0773 | | 4952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 5a (ta) | 6 V, 10V | 34mohm @ 7.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||||||
 | SI4618DY-T1-GE3 | - - - | | 1471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4618 | MOSFET (Metalloxid) | 1,98W, 4,16W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8a, 15,2a | 17mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 44nc @ 10v | 1535PF @ 15V | - - - | ||||||||||
 | SIDR680DP-T1-GE3 | 2.8900 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr680 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 32,8a (TA), 100A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,9 MOHM @ 20A, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 5150 PF @ 40 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SST4416-T1-E3 | - - - | | 4154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST4416 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 2.2pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 V | 3 V @ 1 na | |||||||||||||
 | SI1300BDL-T1-E3 | - - - | | 9245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1300 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 400 mA (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 850MOHM @ 250 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,84 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 35 PF @ 10 V. | - - - | 190 MW (TA), 200 MW (TC) | |||||||
 | SQJQ186ER-T1_GE3 | 2.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Möwenflügel | SQJQ186 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 329a (TC) | 10V | 2,3 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 185 NC @ 10 V. | ± 20 V | 10552 PF @ 25 V | - - - | 600W (TC) | ||||||||
| SI7104DN-T1-GE3 | 1.0490 | | 9150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7104 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 35a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,7 MOHM @ 26,1a, 4,5 V. | 1,8 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 12 V | 2800 PF @ 6 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SI1442DH-T1-GE3 | 0,4500 | | 7631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1442 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 20mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 8 V | ± 8 v | 1010 PF @ 6 V | - - - | 1,56W (TA), 2,8 W (TC) | |||||||
| IRFR9010TRR | - - - | | 2440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 5.3a (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||||||
 | SISS02DN-T1-GE3 | 1.5200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS02 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 51A (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 Mohm @ 15a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 83 NC @ 10 V | +16 V, -12v | 4450 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | 2.5000 | | 7609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 7.6a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 10a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||||||
| SISS5112DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 5441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS5112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 11A (TA), 40,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 14,9 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 790 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SIDR390DP-T1-GE3 | 2.4900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr390 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 69,9a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,8 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10180 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | IRF710L | - - - | | 2427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF710L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | - - - | | 8799 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir330 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,7W (TC) | |||||||
 | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - - - | | 9759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6924 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 28 v | 4.1a | 33mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | IRFD320PBF | 1.8600 | | 469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD320 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD320PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 400 V | 490 mA (TA) | 10V | 1,8OHM @ 210 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 410 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||
| SI3433CDV-T1-E3 | 0,5100 | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3433 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 38mohm @ 5,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 45 nc @ 8 v | ± 8 v | 1300 PF @ 10 V | - - - | 3.3W (TC) | ||||||||
| SI7886ADP-T1-E3 | - - - | | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 6450 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||||
 | SQS966enw-t1_GE3 | 0,9800 | | 8853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8W Dual | SQS966 | MOSFET (Metalloxid) | 27,8W (TC) | Powerpak® 1212-8W Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6a (TC) | 36mohm @ 1,25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8.8nc @ 10v | 572pf @ 25v | - - - |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)