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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR5211DP-T1-GE3 | 0,9300 |  | 8048 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 31.2a (TA), 105a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 10a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 158 NC @ 10 V | ± 12 V | 6700 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | ||||||
 | SIR4409DP-T1-RE3 | 1.3100 | | 4098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 17,2a (TA), 60,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 5670 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 59,5W (TC) | ||||||
 | SIA4446DJ-T1-GE3 | 0,6800 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 13a (ta), 31a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | +20V, -16v | 915 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | ||||||
 | SIHK185N60EF-T1GE3 | 4.6000 | | 9129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 1081 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||
 | SUD19P06-60-GE3 | 1.1800 | | 80 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud19 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 18,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1710 PF @ 25 V | - - - | 2,3 W (TA), 38,5 W (TC) | |||||
 | SIB404DK-T1-GE3 | - - - | | 3348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB404 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 9a (TC) | 4,5 v | 19Mohm @ 3a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 5 V | - - - | 2,5 W (TA), 13W (TC) | ||||||
| SUD50N03-16P-GE3 | - - - | | 8447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 37a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1150 PF @ 25 V. | - - - | 6,5 W (TA), 40,8W (TC) | ||||
 | SI6963BDQ-T1-GE3 | - - - | | 6140 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6963 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.4a | 45mohm @ 3,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1403CDL-T1-GE3 | - - - | | 4141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 140 MOHM @ 1,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 281 PF @ 10 V. | - - - | 600 MW (TA), 900 MW (TC) | ||||
 | SIHP240N60E-GE3 | 2.9700 | | 419 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP240 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 5,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 795 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
| SI1414DH-T1-GE3 | - - - | | 8721 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1414 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 46mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15 NC @ 8 V | ± 8 v | 560 PF @ 15 V | - - - | 2,8 W (TC) | ||||
 | SI1424EDH-T1-GE3 | 0,4300 | | 5506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1424 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 4,5 v | 33mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1,56W (TA), 2,8 W (TC) | |||||
 | SQP10250E_GE3 | - - - | | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP10250 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 53a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 30mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 4050 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SI3585CDV-T1-GE3 | 0,5500 | | 3868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (Metalloxid) | 1,4W, 1,3W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 3.9a, 2.1a | 58mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4.8nc @ 10v | 150pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQ2360EES-T1-GE3 | - - - | | 4081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2360 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 4.4a (TC) | 85mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | 370 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
| SI2303CDS-T1-E3 | 0,5100 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 190MOHM @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 155 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TC) | ||||
 | SQJ403BEEP-T1_GE3 | 1.6000 | | 7688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ403 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 164 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SI5947DU-T1-GE3 | - - - | | 9649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5947 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 6a | 58mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 480pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
| 2N7002E | - - - | | 4445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 340 Ma | 4,5 V, 10 V. | 5ohm @ 300 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 21 PF @ 5 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||
| SIHP12N65E-GE3 | 2.3700 | | 2051 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 30 v | 1224 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SIR880ADP-T1-GE3 | 1.8600 | | 1429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir880 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,3 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2289 PF @ 40 V. | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRFR1N60A | - - - | | 5593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR1N60A | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | |||
| SI1900DL-T1-E3 | 0,6000 | | 3537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1900 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 590 Ma | 480MOHM @ 590 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI4418DY-T1-GE3 | - - - | | 1838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4418 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 2.3a (TA) | 6 V, 10V | 130Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | IRFZ44STRLPBF | 2.7800 | | 754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | 2N6660JTXV02 | - - - | | 1075 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | Sihu6n80e-GE3 | 2.3400 | | 1499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab | Sihu6 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
| 2N7002K-T1-GE3 | 0,2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | ||||
 | SIS454DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS454 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 10 V. | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI6968DQ-T1-E3 | 1.3900 | | 292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6968 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 5.2a | 22mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 18nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor |
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