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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N4856JTXV02 | - - - |  | 8798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4856 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N4857JTXV02 | - - - | | 8900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4857 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N4858JTXV02 | - - - | | 3827 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4858 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N4859JTX02 | - - - | | 3226 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4859 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N4859JTXL02 | - - - | | 3422 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4859 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N4860JTX02 | - - - | | 7381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4860 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N4861JTXL02 | - - - | | 1981 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4861 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5114Jan02 | - - - | | 1721 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5114 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5114JTX02 | - - - | | 3462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5114 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5114JTXV02 | - - - | | 9281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5114 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5115 | - - - | | 4657 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5115 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5115JTVL02 | - - - | | 4741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5115 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5116Jan02 | - - - | | 1064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5116JTVL02 | - - - | | 1489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||
| 2N5116JTXL02 | - - - | | 4372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N5116 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | |||||||||||||
 | 3N163-e3 | - - - | | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 3N163 | MOSFET (Metalloxid) | To-72 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | P-Kanal | 40 v | 50 mA (ta) | 20V | 250 Ohm @ 100 µA, 20V | 5 V @ 10 µA | ± 30 v | 3,5 PF @ 15 V | - - - | 375 MW (TA) | ||||
 | SIHB6N65E-GE3 | 1.9200 | | 7900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB6 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||
 | SIR172ADP-T1-GE3 | 0,4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir172 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 24a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1515 PF @ 15 V | - - - | 29,8W (TC) | ||||
 | SQM100N04-2M7_GE3 | 1.7342 | | 3935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 2,7 MOHM @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7910 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) | ||||
 | SQ3427aeev-t1_GE3 | 0,7800 | | 1196 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 10V | 95mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | ||||
 | SIHG33N65E-GE3 | 4.4659 | | 3198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG33 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 32.4a (TC) | 10V | 105mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 173 NC @ 10 V | ± 30 v | 4040 PF @ 100 V | - - - | 313W (TC) | ||||
| 2N4858JVP02 | - - - | | 2049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | 2N4858 | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
| Sira80DP-T1-RE3 | 1.5900 | | 546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira80 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,62 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 188 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 9530 PF @ 15 V | - - - | 104W (TC) | ||||
 | SQS482ENW-T1_GE3 | 0,9200 | | 4814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS482 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 16.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1865 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) | ||||
 | SIHFR1N60ATR-GE3 | 0,3410 | | 2692 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihfr1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||
| SIA915DJ-T4-GE3 | - - - | | 4122 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia915 | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W (TA), 6,5W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 3,7a (TA), 4,5a (TC) | 87mohm @ 2,9a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 9nc @ 10v | 275PF @ 15V | - - - | ||||||
| SI7190ADP-T1-RE3 | 1.8800 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7190 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 4,3a (TA), 14,4a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 102mohm @ 4.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 860 PF @ 100 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | ||||
| SIR140DP-T1-RE3 | 2.1700 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir140 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 71,9a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,67 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | +20V, -16v | 8150 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||
 | Siz350DT-T1-GE3 | 1.1300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz350 | MOSFET (Metalloxid) | 3,7W (TA), 16,7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 18,5a (TA), 30a (TC) | 6,75 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 20.3nc @ 10v | 940PF @ 15V | - - - | ||||||
 | SQJA37EP-T1_GE3 | 0,9000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja37 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,2mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4900 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) |
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