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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3460DV-T1-E3 | - - - |  | 7192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 450 mV @ 1ma (min) | 20 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | ||||||
 | SI4330DY-T1-GE3 | - - - | | 6712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4330 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.6a | 16,5 MOHM @ 8,7A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFPC40 | - - - | | 8904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPC40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 6.8a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 4.1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SQD100N03-3M4_GE3 | 1.6100 | | 8822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 10V | 3,4mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 124 NC @ 10 V | ± 20 V | 7349 PF @ 15 V | - - - | 136W (TC) | ||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4470 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 16a (TC) | 6 V, 10V | 12mohm @ 6a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3165 PF @ 25 V. | - - - | 7.1W (TC) | |||||
 | Sihu4n80e-GE3 | 0,8984 | | 9508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab | Sihu4 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1,27OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 30 v | 622 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | |||||
 | SISS46DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS46 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,5a (TA), 45,3a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 12,8 MOHM @ 10a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2140 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
| IRFP31N50LPBF | 7.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP31 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP31N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 31a (TC) | 10V | 180MOHM @ 19A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 30 v | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 460W (TC) | ||||
 | SI1050x-T1-GE3 | 0,5100 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1050 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 1.34a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 86mohm @ 1,34a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 11.6 NC @ 5 V. | ± 5 V | 585 PF @ 4 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
| SI4056DY-T1-GE3 | 0,9100 | | 1370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4056 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 11.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 15a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 29,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 50 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | Irfibf30g | - - - | | 4558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibf30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfibf30g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 900 V | 1,9a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 1,1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | |||
 | IRL3102L | - - - | | 6155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRL3102 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL3102L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 61a (TC) | 4,5 V, 7V | 13mohm @ 37a, 7V | 700 MV @ 250 um (min) | 58 NC @ 4,5 V | ± 10 V | 2500 PF @ 15 V | - - - | 89W (TC) | |||
 | SIHP5N50D-GE3 | 1.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
| IRFPC48 | - - - | | 6967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC48 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 8.9a (TC) | 10V | 820mohm @ 5.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | ||||
| SI4539ADY-T1-GE3 | - - - | | 7144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4539 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 4,4a, 3,7a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF9Z14strl | - - - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | SI7342DP-T1-GE3 | - - - | | 6344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7342 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.25MOHM @ 15a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 19 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 1900 PF @ 15 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
 | SQJA76EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja76 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 2,4 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 5250 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SIA462DJ-T1-GE3 | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA462 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18Mohm @ 9a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SIHP28N65EF-GE3 | 3.4119 | | 1126 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP28 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 28a (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 146 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3249 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SI7495DP-T1-E3 | - - - | | 5532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7495 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 13a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 6,5 MOHM @ 21A, 4,5 V. | 900 MV @ 1ma | 140 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| IRLIZ14GPBF | 1.9400 | | 1407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irliz14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irliz14gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.8a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||
 | IRFU420PBF | 1.3400 | | 9016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU420 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU420PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| SI4486EY-T1-GE3 | - - - | | 9236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4486 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 5.4a (TA) | 6 V, 10V | 25mo @ 7.9a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| SI3454CDV-T1-GE3 | - - - | | 8358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4.2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 305 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 1,5W (TC) | ||||
| SI4403BDY-T1-GE3 | - - - | | 6298 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4403 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 7.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 17mohm @ 9.9a, 4,5 V. | 1 V @ 350 µA | 50 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1,35W (TA) | |||||
 | IRFR9014 | - - - | | 9841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
| SI4427BDY-T1-GE3 | 0,8363 | | 1982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4427 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 9.7a (ta) | 10V | 10,5 MOHM @ 12,6a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| Sira18dp-t1-re3 | 0,1904 | | 4824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 33a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 14.7W (TC) | ||||||
| IRFR010 | - - - | | 8887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR010 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) |
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