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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD50N03-09P-GE3 | - - - |  | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 63a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 7,5W (TA), 65,2W (TC) | |||||
 | SI1013X-T1-GE3 | 0,4400 | | 8244 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1013 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 350 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
 | SI1037X-T1-GE3 | - - - | | 8544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1037 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 770 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 195mohm @ 770 Ma, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 170 MW (TA) | |||||
 | SQM50P03-07_GE3 | 2.6100 | | 3270 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM50 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 5380 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
 | IRF830LPBF | 1.1708 | | 1636 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF830LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFR110TRLPBF | 1.3900 | | 3865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||
 | SI4448DY-T1-E3 | - - - | | 6508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4448 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 50a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,7 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 150 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 12350 PF @ 6 V. | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
| SI4890BDY-T1-E3 | - - - | | 6520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4890 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 25 V | 1535 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | IRF820StrRPBF | 1.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SIR888DP-T1-GE3 | - - - | | 6224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir888 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,25 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 16 v | 5065 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||
 | SIA917DJ-T1-GE3 | - - - | | 2807 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia917 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 110 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 9nc @ 10v | 250pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5943DU-T1-GE3 | - - - | | 5749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5943 | MOSFET (Metalloxid) | 8.3W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 6a | 64mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15nc @ 8v | 460PF @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||
| SI1050x-T1-GE3 | 0,5100 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1050 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 1.34a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 86mohm @ 1,34a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 11.6 NC @ 5 V. | ± 5 V | 585 PF @ 4 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | SI5504BDC-T1-E3 | 1.0000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5504 | MOSFET (Metalloxid) | 3.12W, 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 4a, 3,7a | 65mohm @ 3.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7nc @ 10v | 220PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | 0,9100 | | 1370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4056 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 11.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 15a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 29,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 50 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SISS46DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS46 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,5a (TA), 45,3a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 12,8 MOHM @ 10a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2140 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | IRFP31N50LPBF | 7.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP31 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP31N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 31a (TC) | 10V | 180MOHM @ 19A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 30 v | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 460W (TC) | ||||
 | SI3493DDV-T1-GE3 | 0,3900 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1825 PF @ 10 V. | - - - | 3.6W (TC) | |||||
 | SIDR626DP-T1-RE3 | 2.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 42,8a (TA), 100A (TC) | 6 V, 10V | 1,7 MOHM @ 20A, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 5130 PF @ 30 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | IRLR014TR | - - - | | 1152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SIS456DN-T1-GE3 | - - - | | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRF9Z24strr | - - - | | 4600 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
| SI4401DY-T1-E3 | - - - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 8.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15,5 MOHM @ 10,5a, 10 V | 1 V @ 250 um (min) | 50 nc @ 5 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SQ4184EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4184 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 29a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5400 PF @ 20 V | - - - | 7.1W (TC) | |||||
 | SI6943BDQ-T1-GE3 | - - - | | 7033 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6943 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4500BDY-T1-GE3 | - - - | | 7817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4500 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 20V | 6,6a, 3,8a | 20mohm @ 9.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI7454DP-T1-E3 | 2.0000 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 5a (ta) | 6 V, 10V | 34mohm @ 7.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI7540DP-T1-E3 | - - - | | 9589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7540 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 12V | 7.6a, 5.7a | 17mohm @ 11.8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFZ14SPBF | 1.5200 | | 120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SIHP17N80AEF-GE3 | 2.9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHP17N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 305mohm @ 8.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 1300 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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