- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ2301ES-T1_GE3 | 0,5300 |  | 6065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2301 | MOSFET (Metalloxid) | To-236 (SOT-23) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 120 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 425 PF @ 10 V. | - - - | 3W (TC) | |||||
 | IRLZ34 | - - - | | 5910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ34 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irlz34 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||
 | SQP50P03-07_GE3 | - - - | | 2263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 5380 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||
 | SI1405DL-T1-E3 | - - - | | 5210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1405 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1,6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 125mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 568 MW (TA) | |||||
 | IRFP31N50L | - - - | | 8528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP31 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP31N50L | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 31a (TC) | 10V | 180MOHM @ 19A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 30 v | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 460W (TC) | |||
 | SI7403BDN-T1-GE3 | - - - | | 1342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7403 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 74MOHM @ 5.1A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15 NC @ 8 V | ± 8 v | 430 PF @ 10 V. | - - - | 3.1W (TA), 9,6 W (TC) | ||||
 | IRFR9310TRRPBF | - - - | | 6199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SIHS90N65E-GE3 | 20.6200 | | 233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHS90N65E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 87a (TC) | 10V | 29mohm @ 45a, 10V | 4v @ 250 ähm | 591 NC @ 10 V | ± 30 v | 11826 PF @ 100 V | - - - | 625W (TC) | |||||
 | SIHA100N60E-GE3 | 5.0300 | | 926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha100 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 1851 PF @ 100 V. | - - - | 35W (TC) | |||||
 | IRFI9530GPBF | 2.3000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9530GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
 | SIA432DJ-T1-GE3 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA432 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 800 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | |||||
 | SQJ409EP-T1_GE3 | 1.4900 | | 1197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ409 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 11000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||
 | SI4972DY-T1-E3 | - - - | | 3785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4972 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 2.5W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 10.8a, 7.2a | 14,5 MOHM @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28nc @ 10v | 1080PF @ 15V | - - - | ||||||
 | Irfz44rstrr | - - - | | 7617 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
| Irfz24s | - - - | | 2518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz24s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||
| SQJ158EP-T1_GE3 | 0,7300 | | 4045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ158 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 33mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||
| SIHG35N60EF-GE3 | 6.8300 | | 7934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG35 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 134 NC @ 10 V. | ± 30 v | 2568 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| IRFI840G | - - - | | 4585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi840g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
 | SUD20N10-66L-GE3 | 0,8500 | | 1072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud20 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 16,9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 66mohm @ 6.6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 860 PF @ 50 V | - - - | 2,1W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | SISH116DN-T1-GE3 | 1.7000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sish116 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 10.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,8 MOHM @ 16,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4465 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 8 v | 13,7a (TA), 20A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9mohm @ 14a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 85 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 3W (TA), 6,5 W (TC) | ||||||
 | SIHH14N65E-T1-GE3 | 5.2700 | | 3557 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 260 MOHM @ 7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 1712 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SIDR170DP-T1-RE3 | 2.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr170 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR170DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 23,2a (TA), 95A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 6195 PF @ 50 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI7720DN-T1-GE3 | 0,9072 | | 7889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7720 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1790 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQR40020ER_GE3 | 1.8400 | | 6771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-4, dpak (3 Leads + Tab) | SQR40020 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 (dpak) Umgekehrter Bleii | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 2,33 MOHM @ 20A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 8000 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | |||||
| IRFR9014NTRR | - - - | | 5789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SI4346DY-T1-GE3 | - - - | | 7665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4346 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 5.9a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 23mohm @ 8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.31W (TA) | ||||||
 | SUD19N20-90-T4-E3 | 1.4033 | | 4908 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud19 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 19A (TC) | 6 V, 10V | 90 MOHM @ 5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SI4946bey-T1-GE3 | 1.4800 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4946 | MOSFET (Metalloxid) | 3.7W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.5a | 41mohm @ 5.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25nc @ 10v | 840PF @ 30V | Logikpegel -tor | |||||||
| IRF9540 | - - - | | 6306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9540 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)