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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFI9520G | - - - |  | 1099 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9520g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 5.2a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||
 | SI7186DP-T1-E3 | - - - | | 5402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7186 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 32a (TC) | 10V | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 2840 PF @ 40 V | - - - | 5.2W (TA), 64W (TC) | ||||
 | SI3410DV-T1-E3 | - - - | | 7865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3410 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1295 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 4,1W (TC) | ||||
 | IRFR210TRPBF | 1.1700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SISH472DN-T1-GE3 | 0,6500 | | 437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH472 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 20a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,9mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 997 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 28W (TC) | |||||
 | SQJ461EP-T2_GE3 | 2.0400 | | 5466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ461EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 14.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 4710 PF @ 30 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
 | SI4830ADY-T1-GE3 | - - - | | 9548 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4830 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5468DC-T1-GE3 | 0,4900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5468 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 6.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 435 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 5,7W (TC) | ||||
| SI5449DC-T1-GE3 | - - - | | 9950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5449 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 85mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 11 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SI4378DY-T1-E3 | - - - | | 8021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4378 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 19a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 2,7 MOHM @ 25A, 4,5 V. | 1,8 V @ 250 ähm | 55 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 8500 PF @ 10 V. | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SUM60020E-GE3 | 3.1100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum60020 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 80 v | 150a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 227 NC @ 10 V | ± 20 V | 10680 PF @ 40 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SIA4263DJ-T1-GE3 | 0,6000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIA4263DJ-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7,5a (TA), 12A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 22mohm @ 7,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 52,2 NC @ 8 V. | ± 8 v | 1825 PF @ 10 V. | - - - | 3,29W (TA), 15,6 W (TC) | |||||
 | SI7601DN-T1-GE3 | - - - | | 8654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7601 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 16a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 19,2mohm @ 11a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 27 NC @ 5 V | ± 12 V | 1870 PF @ 10 V. | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SIHP17N80AE-GE3 | 2.8100 | | 963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHP17N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1260 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
| SI4618DY-T1-E3 | - - - | | 6290 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4618 | MOSFET (Metalloxid) | 1,98W, 4,16W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8a, 15,2a | 17mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 44nc @ 10v | 1535PF @ 15V | - - - | |||||||
 | Irf820l | - - - | | 7274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf820l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
| SUM50010E-GE3 | 3.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Streiflen | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum50010 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 150a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,75 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 212 NC @ 10 V | ± 20 V | 10895 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | IRFU320 | - - - | | 4241 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu3 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU320 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
| SI7141DP-T1-GE3 | 2.3200 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7141 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9 MOHM @ 25a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 400 nc @ 10 v | ± 20 V | 14300 PF @ 10 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI3909DV-T1-E3 | - - - | | 2906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | - - - | 200mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 500 MV @ 250 um (min) | 4nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR9210PBF-BE3 | 0,7655 | | 3570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR9210PBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||
 | SI1926DL-T1-E3 | 0,4100 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (Metalloxid) | 510 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 370 Ma | 1,4OHM @ 340 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | 18.5PF @ 30V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7366DP-T1-GE3 | - - - | | 9746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7366 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.7W (TA) | |||||
 | SI2307BDS-T1-GE3 | 0,5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2307 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 10V | 78mohm @ 3.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 380 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SIA975DJ-T1-GE3 | 0,6400 | | 179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia975 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 41mohm @ 4,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 26nc @ 8v | 1500pf @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHK075N60E-T1-GE3 | 6.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 80MOHM @ 13A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 2582 PF @ 100 V | - - - | 167W (TC) | ||||||
| SI4442DY-T1-GE3 | 1.5780 | | 6018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4442 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 22A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
| IRFR9024TRLPBF | 1.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRFR9020PBF | 1.8700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||||
 | SIHA5N80AE-GE3 | 1.3800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHA5N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 3a (TC) | 10V | 1,35 Ohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 321 PF @ 100 V | - - - | 29W (TC) |
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