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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3588DV-T1-GE3 | - - - |  | 6467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3588 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW, 83 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 2,5a, 570 Ma | 80MOHM @ 3a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI4134DY-T1-E3 | 0,7900 | | 189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4134 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 14a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 846 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI2314EDS-T1-GE3 | 0,3197 | | 6452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2314 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.77a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 5a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 750 MW (TA) | |||||
| SI3467DV-T1-E3 | - - - | | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
| SI4390DY-T1-GE3 | - - - | | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4390 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 12,5A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||||
 | IRF840LCSTRL | - - - | | 5066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irliz14g | - - - | | 9268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irliz14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irliz14g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.8a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||
| SI4774DY-T1-GE3 | 0,3900 | | 65 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4774 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,3 V @ 1ma | 14,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1025 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TC) | |||||
| SQ3481EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3481 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 5.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23.5 NC @ 10 V | ± 20 V | 870 PF @ 15 V | - - - | 4W (TC) | ||||||
 | SI1031R-T1-E3 | - - - | | 8647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 140 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
 | SI5402BDC-T1-GE3 | - - - | | 4906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5402 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 4,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | Sira00DP-T1-RE3 | 0,7903 | | 2197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira00 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1mohm @ 20a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | +20V, -16v | 11700 PF @ 15 V | - - - | 104W (TC) | ||||||
 | IRF9510L | - - - | | 9119 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF9510 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF9510L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 4a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SIHH26N60E-T1-GE3 | 5.6100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH26 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 135mohm @ 13a, 10V | 4v @ 250 ähm | 116 nc @ 10 v | ± 30 v | 2815 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | |||||
| SI4886DY-T1-E3 | - - - | | 5268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4886 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 13a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||
 | SIA777EDJ-T1-GE3 | - - - | | 8542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia777 | MOSFET (Metalloxid) | 5W, 7,8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V, 12V | 1,5a, 4,5a | 225mohm @ 1,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2.2nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| Irlz14strl | - - - | | 6846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SQS401ENW-T1_GE3 | - - - | | 7211 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1875 PF @ 20 V | - - - | 62,5W (TC) | ||||||
| IRFIB5N65A | - - - | | 6693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB5N65A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 5.1a (TC) | 10V | 930mohm @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 1417 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||
| SIR846DP-T1-GE3 | 2.5100 | | 8527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2870 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Sira66DP-T1-GE3 | 0,3959 | | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira66 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 1ma | 66 NC @ 10 V | +20V, -16v | - - - | 62,5W (TC) | ||||||
 | SQD10N30-330H_4GE3 | 1.6500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 300 V | 10a (TC) | 10V | 330mohm @ 14a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 30 v | 2190 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | |||||||
| SI4451DY-T1-E3 | 1.3041 | | 8046 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4451 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 12 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,25 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 800 MV @ 850 ähm | 120 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| IRFBC30aStrl | - - - | | 2602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
 | SUP40N25-60-E3 | 5.0400 | | 6962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 40a (TC) | 6 V, 10V | 60MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 30 v | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 3,75 W (TA), 300 W (TC) | |||||
| IRF830aspbf | 2.2000 | | 776 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irf830aspbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFR110TRPBF | 1.0000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SQJB04ELP-T1_GE3 | 0,9700 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB04 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 11Mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 1055PF @ 25v | - - - | ||||||||
 | SISF00DN-T1-GE3 | 1.4700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8SCD Dual | SISF00 | MOSFET (Metalloxid) | 69,4W (TC) | Powerpak® 1212-8SCD Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 30V | 60a (TC) | 5mohm @ 10a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 53nc @ 10v | 2700pf @ 15V | - - - | |||||||
 | Sia411dj-t1-e3 | - - - | | 8393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 38 nc @ 8 v | ± 8 v | 1200 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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