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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUP40N25-60-E3 | 5.0400 |  | 6962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 40a (TC) | 6 V, 10V | 60MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 30 v | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 3,75 W (TA), 300 W (TC) | |||||
 | SI7186DP-T1-E3 | - - - | | 5402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7186 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 32a (TC) | 10V | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 2840 PF @ 40 V | - - - | 5.2W (TA), 64W (TC) | ||||
 | IRFR110TRPBF | 1.0000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | Irf820l | - - - | | 7274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf820l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | Sia411dj-t1-e3 | - - - | | 8393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 38 nc @ 8 v | ± 8 v | 1200 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||
 | IRF830aspbf | 2.2000 | | 776 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irf830aspbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SI3410DV-T1-E3 | - - - | | 7865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3410 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1295 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 4,1W (TC) | ||||
 | SQJB04ELP-T1_GE3 | 0,9700 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB04 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 11Mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 1055PF @ 25v | - - - | ||||||||
 | SUM50010E-GE3 | 3.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Streiflen | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum50010 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 150a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,75 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 212 NC @ 10 V | ± 20 V | 10895 PF @ 30 V | - - - | 375W (TC) | |||||
| SI7141DP-T1-GE3 | 2.3200 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7141 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9 MOHM @ 25a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 400 nc @ 10 v | ± 20 V | 14300 PF @ 10 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRFP31N50L | - - - | | 8528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP31 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP31N50L | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 31a (TC) | 10V | 180MOHM @ 19A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 30 v | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 460W (TC) | |||
| IRFR9310TRRPBF | - - - | | 6199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SIHS90N65E-GE3 | 20.6200 | | 233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHS90N65E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 87a (TC) | 10V | 29mohm @ 45a, 10V | 4v @ 250 ähm | 591 NC @ 10 V | ± 30 v | 11826 PF @ 100 V | - - - | 625W (TC) | |||||
 | SI1405DL-T1-E3 | - - - | | 5210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1405 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1,6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 125mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 568 MW (TA) | |||||
 | SI7403BDN-T1-GE3 | - - - | | 1342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7403 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 74MOHM @ 5.1A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15 NC @ 8 V | ± 8 v | 430 PF @ 10 V. | - - - | 3.1W (TA), 9,6 W (TC) | ||||
| IRLZ34 | - - - | | 5910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ34 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irlz34 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||
 | IRFU320 | - - - | | 4241 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu3 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU320 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SQP50P03-07_GE3 | - - - | | 2263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 5380 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||
 | SQ2301ES-T1_GE3 | 0,5300 | | 6065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2301 | MOSFET (Metalloxid) | To-236 (SOT-23) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 120 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 425 PF @ 10 V. | - - - | 3W (TC) | |||||
 | SIHA5N80AE-GE3 | 1.3800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHA5N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 3a (TC) | 10V | 1,35 Ohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 321 PF @ 100 V | - - - | 29W (TC) | |||||
 | SI4202DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4202 | MOSFET (Metalloxid) | 3.7W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 12.1a | 14mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 710PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| SIAA00DJ-T1-GE3 | 0,6800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIAA00 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 20.1a (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 1090 PF @ 12.5 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | |||||
 | IRFD214PBF | 0,5880 | | 6004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD214 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD214PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 450 Ma (TA) | 10V | 2OHM @ 270 Ma, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||
| IRF634PBF | 1.7500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF634PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SIR106DP-T1-RE3 | 1.7800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir106 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 16,1a (TA), 65,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 8mohm @ 15a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 3610 PF @ 50 V | - - - | 3,2 W (TA), 83,3W (TC) | |||||
| SI4630DY-T1-E3 | 2.0000 | | 8741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4630 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 161 NC @ 10 V | ± 16 v | 6670 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | IRL540PBF-BE3 | 2.5100 | | 995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRL540PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 77mohm @ 17a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||
 | SIHFL110TR-BE3 | 0,6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SIHFL110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFL110TR-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
| SIA443DJ-T1-GE3 | - - - | | 7594 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA443 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 8 V | ± 8 v | 750 PF @ 10 V | - - - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
| IRF530SPBF | 1.7300 | | 8751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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