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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUM110P04-04L-E3 | 4.7600 |  | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 350 NC @ 10 V | ± 20 V | 11200 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SI4491EDY-T1-GE3 | 0,9700 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4491 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 17.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 13A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | ± 25 V | 4620 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 6,9 W (TC) | |||||
 | IRL640Strl | - - - | | 7857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180Mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | IRF820APBF | 1.7300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF820APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 340 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SIHP105N60EF-GE3 | 2.8386 | | 7227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP105 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 102mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 30 v | 1804 PF @ 100 V. | - - - | 208W (TC) | |||||
 | SIHH100N60E-T1-GE3 | 3.6787 | | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH100 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 100mohm @ 13.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 30 v | 1850 PF @ 100 V | - - - | 174W (TC) | |||||
 | SIHW61N65EF-GE3 | 9.2873 | | 9228 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHW61 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 480 | N-Kanal | 650 V | 64a (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 371 NC @ 10 V. | ± 30 v | 7407 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
| SIHP6N40D-E3 | 1.6000 | | 8974 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP6N40DE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 30 v | 311 PF @ 100 v | - - - | 104W (TC) | ||||
 | SIR882ADP-T1-GE3 | 2.5100 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir882 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 20a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1975 PF @ 50 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SIS448DN-T1-GE3 | - - - | | 1078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS448 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1575 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | ||||
| Sira88bdp-T1-GE3 | 0,5400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira88 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 19A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,83 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | +20V, -16v | 680 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 17W (TC) | |||||
 | IRFIB5N50LPBF | - - - | | 6961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB5N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 4.7a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1000 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
| IRF644S | - - - | | 2188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF644S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SI3981DV-T1-GE3 | - - - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3981 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1,9a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 5nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRF640Strr | - - - | | 5661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | ||||
 | IRFP048RPBF | 5.0600 | | 7453 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP048 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP048RPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 18mohm @ 44a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
 | SI2302ADS-T1-GE3 | - - - | | 2961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2302 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 60MOHM @ 3,6a, 4,5 V. | 1,2 V @ 50 µA | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 300 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||
 | VQ1004p | - - - | | 4690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | VQ1004 | - - - | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 830 Ma (TA) | 5v, 10V | - - - | - - - | ± 20 V | - - - | - - - | |||||||
 | IRF11N25D | - - - | | 3930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR11 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF11N25D | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
 | SQJ848EP-T1_GE3 | 1.6600 | | 3110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ848 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 47a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.5Mohm @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 2500 PF @ 20 V | - - - | 68W (TC) | ||||||
| IRLI530GPBF | 1.9300 | | 968 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLI530GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.7a (TC) | 4V, 5V | 160 MOHM @ 5.8a, 5V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 10 V | 930 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
| SUP90N08-6M8P-E3 | - - - | | 2120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 75 V | 90a (TC) | 10V | 6,8 MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 20 V | 4620 PF @ 30 V | - - - | 3,75W (TA), 272W (TC) | ||||
| IRFBE30PBF-BE3 | 2.2500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfbe30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBE30PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | SI8808DB-T2-E1 | 0,4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-uFbga | SI8808 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,8a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 95mohm @ 1a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 10 nc @ 8 v | ± 8 v | 330 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||
 | SI6966EDQ-T1-E3 | - - - | | 9542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6966 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | - - - | 30mohm @ 5.2a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 25nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHF15N65E-GE3 | 1.9257 | | 6692 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 30 v | 1640 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | |||||
 | SQD50N04-5M6_T4GE3 | 1.6700 | | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 5.6mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | ||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | 1.1400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4940 | MOSFET (Metalloxid) | 4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 8a | 24MOHM @ 5.3A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 43nc @ 10v | 741pf @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIA915DJ-T1-GE3 | - - - | | 3323 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia915 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 4,5a | 87mohm @ 2,9a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 9nc @ 10v | 275PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIUD401ED-T1-GE3 | 0,4300 | | 8874 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 0806 | SIUD401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 0806 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 500 mA (TA) | 2,5 V, 10 V. | 1,573OHM @ 200 Ma, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 2 NC @ 10 V. | ± 12 V | 33 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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